南京理工大学光电检测器件.pptx

热电探测器特点：热电探测器特点：响应波长无选择性响应波长无选择性响应波长无选择性响应波长无选择性，它对从可见光，它对从可见光到远红外的各种波长的辐射同样敏感。到远红外的各种波长的辐射同样敏感。响应慢响应慢响应慢响应慢，吸收辐射，吸收辐射产生信号需要的时间长，一般在几毫秒以上。产生信号需要的时间长，一般在几毫秒以上。光电探测器特点：光电探测器特点：响应波长有选择性响应波长有选择性响应波长有选择性响应波长有选择性，存在某一截止，存在某一截止波长波长0 0，超过此波长，器件没有响应。超过此波长，器件没有响应。响应快响应快响应快响应快，一般在纳，一般在纳秒到几百微秒。秒到几百微秒。1.1.响应度（或灵敏度响应度（或灵敏度)光电探测器的输出电压或输出电流与入射光功率之比光电探测器的输出电压或输出电流与入射光功率之比，它描述器件的光电转换效能。它描述器件的光电转换效能。第一节、基本特性参数第一节、基本特性参数光谱响应度光谱响应度 光电探测器的输出电压或输出电流与入射到探测器上的光电探测器的输出电压或输出电流与入射到探测器上的单色辐射通量之比单色辐射通量之比，光谱响应度愈大，表示光电探测器愈灵敏。光谱响应度愈大，表示光电探测器愈灵敏。积分响应度积分响应度 光电探测器输出的电流或电压与入射总光通量之比称为光电探测器输出的电流或电压与入射总光通量之比称为积分响应度积分响应度。积分灵敏度表示探测器对积分灵敏度表示探测器对连续辐射通量连续辐射通量的反应的反应程度。程度。2 2响应时间响应时间 当入射辐射到光电探测器当入射辐射到光电探测器后或入射辐射遮断后，光电探后或入射辐射遮断后，光电探测器的输出上升到稳定值或下测器的输出上升到稳定值或下降到照射前的值所需时间称为降到照射前的值所需时间称为响应时间响应时间。上升时间和下降时间上升时间和下降时间3 3频率响应频率响应 光电探测器的响应随入射辐射的调制频率而变化的特性称光电探测器的响应随入射辐射的调制频率而变化的特性称为频率响应为频率响应。4 4暗电流暗电流Id 光电探测器在没有输入信号和背景辐射时所流过的电流光电探测器在没有输入信号和背景辐射时所流过的电流(加电源时加电源时)。一般测量其直流值或平均值。一般测量其直流值或平均值。5 5信噪比信噪比(SN)它是它是在负载电阻上产生的信号功率与噪声功率之比在负载电阻上产生的信号功率与噪声功率之比，即若用分贝(dB)表示，则为6 6噪声等效功率噪声等效功率(NEP)或称最小可探测功率或称最小可探测功率Pmin。信噪比为信噪比为1 1时，入射到探测器时，入射到探测器上的辐射通量上的辐射通量。即即一、概念题一、概念题1、光电探测器的响应度（或灵敏度）、光电探测器的响应度（或灵敏度）2、信噪比信噪比3、最小可探测功率最小可探测功率二、简答题二、简答题热电检测器件和光电检测器件的特点是什么？热电检测器件和光电检测器件的特点是什么？第二节、真空光电探测器件第二节、真空光电探测器件 光电管分真空光电管和充气光电光电管分真空光电管和充气光电管两种。若球内充低压惰性气体就成管两种。若球内充低压惰性气体就成为充气光电管。为充气光电管。1 1 1 1、结构及分类、结构及分类、结构及分类、结构及分类 光电阴极通常采用逸出功小的光敏材料光电阴极通常采用逸出功小的光敏材料。当光线照射到当光线照射到光敏材料上便有电子逸出，这些电子被具有正电位的阳极所光敏材料上便有电子逸出，这些电子被具有正电位的阳极所吸引，在光电管内形成空间电子流，在外电路就产生电流。吸引，在光电管内形成空间电子流，在外电路就产生电流。若在外电路串入一定阻值的电阻，则在该电阻上的电压降或若在外电路串入一定阻值的电阻，则在该电阻上的电压降或电路中的电流大小都与光强成函数关系，从而实现光电转换。电路中的电流大小都与光强成函数关系，从而实现光电转换。2 2、工作原理、工作原理 优点：光电阴极面积大，灵敏度较高优点：光电阴极面积大，灵敏度较高；暗电流小，最低暗电流小，最低可达可达10-14A；光电发射弛豫过程极短。光电发射弛豫过程极短。3 3、优缺点、优缺点 缺点：真空光电管一般体积都比较大、工作电压高达百缺点：真空光电管一般体积都比较大、工作电压高达百伏到数百伏、玻壳容易破碎等。目前已基本被固体光电器伏到数百伏、玻壳容易破碎等。目前已基本被固体光电器件所代替。件所代替。建立在光电效应、二次电子发射和电子光学理论基础上建立在光电效应、二次电子发射和电子光学理论基础上的，把微弱入射光转换成光电子，并获倍增的器件。的，把微弱入射光转换成光电子，并获倍增的器件。、基本结构与原理、基本结构与原理光入射窗口光入射窗口光电阴极光电阴极电子光学输入系统电子光学输入系统二次发射电子倍增器二次发射电子倍增器阳极阳极 光窗分光窗分侧窗式侧窗式和和端窗式端窗式两种，它是入射光的通道。两种，它是入射光的通道。由于光窗对光由于光窗对光的吸收与波长有关，波长越短吸收越多，的吸收与波长有关，波长越短吸收越多，所以倍增管光谱特性的短所以倍增管光谱特性的短所以倍增管光谱特性的短所以倍增管光谱特性的短波阈值决定于光窗材料波阈值决定于光窗材料波阈值决定于光窗材料波阈值决定于光窗材料。1 1光入射窗光入射窗侧窗式侧窗式端窗式端窗式2 2光电阴极光电阴极 光电阴极由光电阴极由光电发射材料光电发射材料制作。光电发射材料大体可分为制作。光电发射材料大体可分为三类：三类：纯金属材料纯金属材料、表面吸附一层其他元素原子的金属和半导表面吸附一层其他元素原子的金属和半导体材料体材料。光射入物体后，物体中的电子吸收光子能光射入物体后，物体中的电子吸收光子能 量，从基态跃迁到能量高于真空能级量，从基态跃迁到能量高于真空能级（真空中（真空中（真空中（真空中 静止电子能量）静止电子能量）静止电子能量）静止电子能量）的激发态。的激发态。受激电子从受激地点出发，在向表面运动过程中免不了要同受激电子从受激地点出发，在向表面运动过程中免不了要同其它电子或晶格发生碰撞，而失去一部分能量。其它电子或晶格发生碰撞，而失去一部分能量。达到表面的电子，如果仍有足够的能量足以克服表面势垒对达到表面的电子，如果仍有足够的能量足以克服表面势垒对电子的束缚（即逸出功）时，即可从表面逸出。电子的束缚（即逸出功）时，即可从表面逸出。光电发射大致可分三个过程：光电发射大致可分三个过程：光电发射大致可分三个过程：光电发射大致可分三个过程：光吸收系数大，以便体内有较多的电光吸收系数大，以便体内有较多的电光吸收系数大，以便体内有较多的电光吸收系数大，以便体内有较多的电 子子子子受到激发；受到激发；受到激发；受到激发；光电子在体内传输过程中受到的能量光电子在体内传输过程中受到的能量光电子在体内传输过程中受到的能量光电子在体内传输过程中受到的能量 损损损损失小，使其溢出深度大；失小，使其溢出深度大；失小，使其溢出深度大；失小，使其溢出深度大；材料的逸出功要小，使到达真空界面的电子能够比较材料的逸出功要小，使到达真空界面的电子能够比较材料的逸出功要小，使到达真空界面的电子能够比较材料的逸出功要小，使到达真空界面的电子能够比较容易地逸出；容易地逸出；容易地逸出；容易地逸出；另外，作为光电阴极，其材料还要有一定的电导率，另外，作为光电阴极，其材料还要有一定的电导率，另外，作为光电阴极，其材料还要有一定的电导率，另外，作为光电阴极，其材料还要有一定的电导率，以便能够通过外电源来补充因光电发射所失去的电子。以便能够通过外电源来补充因光电发射所失去的电子。以便能够通过外电源来补充因光电发射所失去的电子。以便能够通过外电源来补充因光电发射所失去的电子。良好的光电发射材料应具备下述条件：良好的光电发射材料应具备下述条件：良好的光电发射材料应具备下述条件：良好的光电发射材料应具备下述条件：金属吸收效率很低金属吸收效率很低 ；金属中光电子逸出深度很浅，只有几纳米；金属中光电子逸出深度很浅，只有几纳米；金金属属逸逸出出功功大大多多为为大大于于3 3eVeV，对对410nm410nm的的可可见见光光来来说说，很很难难产生光电发射产生光电发射，量子效率低；量子效率低；量子效率低；量子效率低；金属材料是否满足良好的光电发射材料的条件？金属材料是否满足良好的光电发射材料的条件？金属材料是否满足良好的光电发射材料的条件？金属材料是否满足良好的光电发射材料的条件？半导体材料是否满足良好的光电发射材料的条件？半导体材料是否满足良好的光电发射材料的条件？半导体材料是否满足良好的光电发射材料的条件？半导体材料是否满足良好的光电发射材料的条件？光吸收系数比金属大；光吸收系数比金属大；光吸收系数比金属大；光吸收系数比金属大；体体体体内内内内自自自自由由由由电电电电子子子子少少少少，散散散散射射射射能能能能量量量量变变变变小小小小故故故故量量量量子子子子效效效效率率率率比比比比金金金金属大；属大；属大；属大；光发射波长延伸至可见光、近红外波段。光发射波长延伸至可见光、近红外波段。光发射波长延伸至可见光、近红外波段。光发射波长延伸至可见光、近红外波段。70 70 70 70年代后期，发展了年代后期，发展了年代后期，发展了年代后期，发展了负电子亲和势（负电子亲和势（负电子亲和势（负电子亲和势（NEANEANEANEA）光电阴极，长波光电阴极，长波光电阴极，长波光电阴极，长波可至可至可至可至1.61.61.61.6mmmm。(1)(1)使光电阴极发射的光电子尽可能全部会聚到第一倍增极上，而将其他部分使光电阴极发射的光电子尽可能全部会聚到第一倍增极上，而将其他部分的杂散电子散射掉，提高信噪比；的杂散电子散射掉，提高信噪比；(2)(2)使阴极面上各处发射的光电子在电子光学系统中有尽可能相等的渡越时间，使阴极面上各处发射的光电子在电子光学系统中有尽可能相等的渡越时间，以保证光电倍增管的快速响应。以保证光电倍增管的快速响应。光电阴极光电阴极聚焦极聚焦极3 3电子光学系统电子光学系统 倍增系统是由许多倍增极组成的综合体，每个倍增极都是由二次电子倍增材料倍增系统是由许多倍增极组成的综合体，每个倍增极都是由二次电子倍增材料构成，具有使一次电子倍增的能力。因此倍增系统是决定整管灵敏度最关键的部构成，具有使一次电子倍增的能力。因此倍增系统是决定整管灵敏度最关键的部分。分。4 4二次发射倍增系统二次发射倍增系统 阳极是采用金属网作的栅网状结构，把它置于靠近最末一级倍增阳极是采用金属网作的栅网状结构，把它置于靠近最末一级倍增极附近，用来收集最末一级倍增极发射出来的电子。极附近，用来收集最末一级倍增极发射出来的电子。光入射窗口光入射窗口光电阴极光电阴极电子光学输入系统电子光学输入系统二次发射电子倍增器二次发射电子倍增器阳极阳极5 5阳极阳极1 1、光子透过入射窗入射到光电阴极、光子透过入射窗入射到光电阴极K K上。上。2 2、光电阴极的电子受光子激发，离开表面发射到真空中。、光电阴极的电子受光子激发，离开表面发射到真空中。3 3、光电子通过电场加速和电子光学系统聚焦入射到第一倍增极、光电子通过电场加速和电子光学系统聚焦入射到第一倍增极D1D1上，倍增极发射出比入射电子数目更多的二次电子。入射电子经上，倍增极发射出比入射电子数目更多的二次电子。入射电子经N N级倍增后，光电子就放大级倍增后，光电子就放大N N次。次。4 4、经过倍增后的二次电子由阳极、经过倍增后的二次电子由阳极a a收集起来，形成阳极光电流，在收集起来，形成阳极光电流，在负载负载RL上产生信号电压。上产生信号电压。、基本特性参数、基本特性参数1 1光谱响应度光谱响应度 PMTPMT的光谱响应曲线与光电阴极的相同，主要取决于的光谱响应曲线与光电阴极的相同，主要取决于光电阴光电阴极材料的性质极材料的性质。2 2放大倍数放大倍数(电流增益电流增益)在一定工作电压下，光电倍增管的阳极电流与阴极电流之比在一定工作电压下，光电倍增管的阳极电流与阴极电流之比称为管子的放大倍数称为管子的放大倍数M M或电流增益或电流增益G G。3.3.暗电流暗电流 它限制了可测直流光通量的最小值，同时也是产生噪声的重它限制了可测直流光通量的最小值，同时也是产生噪声的重要因素，是鉴别管子质量的重要参量。应选取暗电流较小的管要因素，是鉴别管子质量的重要参量。应选取暗电流较小的管子。子。4.4.伏安特性伏安特性 光电倍增管的伏安特性光电倍增管的伏安特性曲线分为阴极伏安特性曲线曲线分为阴极伏安特性曲线与阳极伏安特性曲线。在电与阳极伏安特性曲线。在电路设计时，一般使用阳极伏路设计时，一般使用阳极伏安特性曲线来进行负载电阻、安特性曲线来进行负载电阻、输出电流、输出电压的计算。输出电流、输出电压的计算。5.5.频率响应频率响应 由于由于PMTPMT是光电发射型器件，而光电发射的延迟时间是光电发射型器件，而光电发射的延迟时间31013S，所以所以PMTPMTPMTPMT有很高的频率响应有很高的频率响应有很高的频率响应有很高的频率响应。6.6.噪声噪声 主要来源是光电阴极、光电发射的随机性和各倍增极二次主要来源是光电阴极、光电发射的随机性和各倍增极二次电子发射的随机性，同时也与背景光或信号光中的直流分量电子发射的随机性，同时也与背景光或信号光中的直流分量有关。有关。、PMTPMT的供电电路的供电电路 倍增管各电极要求直流供电，从阴极开始至各级的电压倍增管各电极要求直流供电，从阴极开始至各级的电压要依次升高，一般多采用要依次升高，一般多采用电阻链分压电阻链分压电阻链分压电阻链分压办法来供电。一般情况办法来供电。一般情况下，各级间电压均相等，约下，各级间电压均相等，约8080100100V V，总电压约总电压约1000100013001300V V。对对电源电压稳定性要求较高电源电压稳定性要求较高。如果电源电压不稳，会引起许多。如果电源电压不稳，会引起许多参量的变化，特别是电流增益变化，从而直接影响输出特性。目前参量的变化，特别是电流增益变化，从而直接影响输出特性。目前已有光电倍增管专用的电源稳压块。已有光电倍增管专用的电源稳压块。1)1)1)1)电源电压稳定性的要求电源电压稳定性的要求电源电压稳定性的要求电源电压稳定性的要求 电源电压的变化和放大倍数变化的关系为：电源电压的变化和放大倍数变化的关系为：电源电压的变化和放大倍数变化的关系为：电源电压的变化和放大倍数变化的关系为：因倍增管中的电流与电阻链中的电流是并联关系，要保证各因倍增管中的电流与电阻链中的电流是并联关系，要保证各级电压稳定，要求流过电阻链的电流级电压稳定，要求流过电阻链的电流IR至少要比阳极电流至少要比阳极电流Ia大大2020倍以上倍以上。一般说，一般说，IR越大，对稳定极间电压越大，对稳定极间电压UD越有利。但越有利。但IR也不能太也不能太大，因为大，因为IR太大会增大电阻的功耗，加重电源负担。当太大会增大电阻的功耗，加重电源负担。当UD给定后，给定后，分压电阻分压电阻R的最大值的最大值应取决于阳极的最大平均电流应取决于阳极的最大平均电流，R最小值最小值应应取决于高压电源输出的功率取决于高压电源输出的功率。一般常用分压器的阻值选择范围为。一般常用分压器的阻值选择范围为20500K2)2)2)2)电阻链分压电阻的确定电阻链分压电阻的确定电阻链分压电阻的确定电阻链分压电阻的确定 倍增管的输出电流主要是倍增管的输出电流主要是来自于最后几级，探测脉冲来自于最后几级，探测脉冲光时，为了不使光时，为了不使阳极脉动电阳极脉动电流流引起极间电压发生大的变引起极间电压发生大的变化，常在最后几级的分压电化，常在最后几级的分压电阻上并联电容器。阻上并联电容器。3)3)并联电容的确定并联电容的确定 倍增管供电电路与其后倍增管供电电路与其后倍增管供电电路与其后倍增管供电电路与其后续信号处理电路必须要有续信号处理电路必须要有续信号处理电路必须要有续信号处理电路必须要有一个共用的参考电位，即一个共用的参考电位，即一个共用的参考电位，即一个共用的参考电位，即接地点。倍增管的接地方接地点。倍增管的接地方接地点。倍增管的接地方接地点。倍增管的接地方式有两种，即式有两种，即式有两种，即式有两种，即阴极接地阴极接地阴极接地阴极接地或或或或阳极接地阳极接地阳极接地阳极接地。4)4)接地方式接地方式阴极接地阴极接地阴极接地阴极接地阳极接地阳极接地阳极接地阳极接地 优点：优点：便于屏蔽，光、磁、电的屏蔽罩可以跟阴极靠得近便于屏蔽，光、磁、电的屏蔽罩可以跟阴极靠得近些，些，屏蔽效果好；暗电流小，噪声低屏蔽效果好；暗电流小，噪声低。缺点：缺点：但这时阳极要处于正高压，会导致寄生电容大，匹但这时阳极要处于正高压，会导致寄生电容大，匹配电缆连接复杂，特别是后面若接直流放大器，整个放大器都处于配电缆连接复杂，特别是后面若接直流放大器，整个放大器都处于高电压，不利于安全操作；如果后面接交流放大器，则必须接一个高电压，不利于安全操作；如果后面接交流放大器，则必须接一个耐压很高的隔直电容器，而一般耐压很高的电容器体积大而且价格耐压很高的隔直电容器，而一般耐压很高的电容器体积大而且价格高。高。阴极接地的特点阴极接地的特点阴极接地的特点阴极接地的特点 优点优点优点优点：便于跟后面的放大器相接，操作安全，后面不仅可以便于跟后面的放大器相接，操作安全，后面不仅可以通过一个低压耦合电容与交流放大器相接，也可以直接与直流通过一个低压耦合电容与交流放大器相接，也可以直接与直流放大器相接。放大器相接。缺点：缺点：但这时阴极要处于负高压，屏蔽罩不能跟阴极靠得很但这时阴极要处于负高压，屏蔽罩不能跟阴极靠得很近，至少要间隔近，至少要间隔12cm，因此屏蔽效果差一些，暗电流和噪声因此屏蔽效果差一些，暗电流和噪声都比阴极接地时大，而且整个倍增管装置的体积也要大些。都比阴极接地时大，而且整个倍增管装置的体积也要大些。阳极接地的特点阳极接地的特点阳极接地的特点阳极接地的特点 使用前应了解器件的特性。真空光电器件的共同特点是灵敏度高、惰使用前应了解器件的特性。真空光电器件的共同特点是灵敏度高、惰性小、供电电压高、采用玻璃外壳、抗震性差。性小、供电电压高、采用玻璃外壳、抗震性差。使用时不宜用强光照。光照过强时，光电线性会变差而且容易使光电使用时不宜用强光照。光照过强时，光电线性会变差而且容易使光电阴极疲劳（轻度疲劳经一段时间可恢复，重度疲劳不能恢复），缩短寿命。阴极疲劳（轻度疲劳经一段时间可恢复，重度疲劳不能恢复），缩短寿命。工作电流不宜过大。工作电流大时会烧毁阴极面，或使倍增级二次电工作电流不宜过大。工作电流大时会烧毁阴极面，或使倍增级二次电子发射系数下降，增益降低，光电线性变差，缩短寿命。子发射系数下降，增益降低，光电线性变差，缩短寿命。用来测量交变光时，负载电阻不宜很大，因为负载电阻和管子的等效用来测量交变光时，负载电阻不宜很大，因为负载电阻和管子的等效电容一起构成电路的时间常数，若负载电阻较大，时间常数就变大，频带电容一起构成电路的时间常数，若负载电阻较大，时间常数就变大，频带将变窄。将变窄。6 6 6 6）使用注意事项）使用注意事项）使用注意事项）使用注意事项一、简答题一、简答题1 1、光电倍增管的基本结构与工作原理是什么？、光电倍增管的基本结构与工作原理是什么？2 2、光电倍增管的供电电路注意哪些问题、光电倍增管的供电电路注意哪些问题？二、文献检索（电子作业发至二、文献检索（电子作业发至wlty21wlty21 ）什么是负电子亲和势（什么是负电子亲和势（NEANEA）光电阴极？原理？光电阴极？原理？一、光敏电阻一、光敏电阻第三节、半导体光电检测器件第三节、半导体光电检测器件 本征型本征型半导体光敏电阻、半导体光敏电阻、掺杂型掺杂型半导体光敏电阻半导体光敏电阻当入射光子使电子由价带越升到导带时，导带中的电子和当入射光子使电子由价带越升到导带时，导带中的电子和价带中的空穴均参与导电，因此电阻显著减小，电导增加。若价带中的空穴均参与导电，因此电阻显著减小，电导增加。若连接电源和负载电阻，即可输出电信号。连接电源和负载电阻，即可输出电信号。优点优点：灵敏度高，工作电流大（达数毫安）：灵敏度高，工作电流大（达数毫安），光谱响应范围宽，所测光强范围宽，无极性之，光谱响应范围宽，所测光强范围宽，无极性之分。分。缺点缺点：响应时间长，频率特性差，强光线性差，：响应时间长，频率特性差，强光线性差，受温度影响大。受温度影响大。主要用于主要用于红外的弱光探测与开关控制红外的弱光探测与开关控制。路灯自动点熄原理图如图所示，分析它的工作原理。路灯自动点熄原理图如图所示，分析它的工作原理。它是利用光生伏特效应制成的将光能转换成电能的它是利用光生伏特效应制成的将光能转换成电能的器件。它是一种不需加偏压就能把光能直接转换成电器件。它是一种不需加偏压就能把光能直接转换成电能能P-NP-N结光电器件。结光电器件。按用途可分成按用途可分成太阳能光电池太阳能光电池和和光电检测光电池光电检测光电池。二、光电池二、光电池 在在P P（N N）型硅作基底，然后在基底上扩散型硅作基底，然后在基底上扩散N N（P P）型半导体作为受光面。构成型半导体作为受光面。构成P-NP-N结后，再经过结后，再经过各种工艺处理，分别在基底和光敏面上制作输出电各种工艺处理，分别在基底和光敏面上制作输出电极，涂上二氧化硅作保护膜，即成光电池。极，涂上二氧化硅作保护膜，即成光电池。当光照到当光照到PNPN结表面时，如果光子能量足够大，就结表面时，如果光子能量足够大，就将在将在PNPN结附近激发电子空穴对，在结附近激发电子空穴对，在PNPN结内电场作用结内电场作用下，下，N N区的光生空穴拉向区的光生空穴拉向P P区，区，P P区的光生电子拉向区的光生电子拉向N N区，区，结果在结果在N N区聚集了电子，区聚集了电子，P P区聚集了空穴，这样在区聚集了空穴，这样在N N区和区和P P区之间产生了电势差。区之间产生了电势差。光电检测光电池具有光电检测光电池具有光敏面积大光敏面积大，频率响应高频率响应高，光电流随光电流随照度线性变化照度线性变化。太阳能光电池太阳能光电池耐辐射，转换效率高，成本低，体积小，结耐辐射，转换效率高，成本低，体积小，结构简单、重量轻、可靠性高、寿命长构简单、重量轻、可靠性高、寿命长，在空间能直接利用太，在空间能直接利用太阳能转换成电能的特点。阳能转换成电能的特点。符号符号 连接电路连接电路 等效电路等效电路三、光敏二极管三、光敏二极管共同点共同点：一个一个PNPN结，单向导电性结，单向导电性不同点：不同点：受光面大，受光面大，PNPN结面积更大，结面积更大，PNPN结深度较浅；结深度较浅；表面有防反射的表面有防反射的SiOSiO2 2保护层；保护层；外加负偏压；外加负偏压；与普通二极管相比与普通二极管相比:共同点：共同点：均为一个均为一个PNPN结，利用光生伏特效应，结，利用光生伏特效应，SiOSiO2 2保护膜；保护膜；不同点：不同点：结面积结面积比光电池的比光电池的小小，频率特性好频率特性好；光生电势与光电池相同，但光生电势与光电池相同，但电流电流比光电池比光电池小小；可在零偏压下工作，更常在可在零偏压下工作，更常在反偏压下工作反偏压下工作；与光电池相比：与光电池相比：无光照时，只有热效应引起的暗无光照时，只有热效应引起的暗电流流过电流流过PNPN结；结；光照时，产生附加的光生载流子，光照时，产生附加的光生载流子，使流过使流过PNPN结的电流骤增；反向电压结的电流骤增；反向电压增加了耗尽层的宽度和结电场，使增加了耗尽层的宽度和结电场，使更多的光生载流子流过更多的光生载流子流过PNPN结。结。a)a)不加外电源不加外电源 b)b)加反向外电源加反向外电源 c)2DUc)2DU环极接法环极接法环极接法的作用：环极接法的作用：克制由于克制由于SiOSiO2 2保护膜中保护膜中的杂质正离子静电感应。的杂质正离子静电感应。光谱响应光谱响应光照特性光照特性 随着入射光功率随着入射光功率的变强，则同一反向电的变强，则同一反向电压下的光电流也变大。压下的光电流也变大。入射光功率不变入射光功率不变时，反向电压加到某一时，反向电压加到某一电压后，光电流几乎不电压后，光电流几乎不随反向电压的变化而变随反向电压的变化而变化。化。频率响应频率响应光生载流子在薄层中的扩散时间及光生载流子在薄层中的扩散时间及PNPN结中的漂移时间（结中的漂移时间（载载流子的渡越时间）流子的渡越时间）；结电容和杂散电容（结电容和杂散电容（RCRC时间常数）时间常数）；它是它是半导体光电器件中频率响应最好的器件之一半导体光电器件中频率响应最好的器件之一，频率，频率响应与下列因素有关：响应与下列因素有关：无论是光生载流子向结区扩散，还是结电场中载流子的漂移，它们都无论是光生载流子向结区扩散，还是结电场中载流子的漂移，它们都有一定的驰豫时间，这个驰豫时间影响光敏器件的频率响应。对于扩散有一定的驰豫时间，这个驰豫时间影响光敏器件的频率响应。对于扩散型二极管主要驰豫时间为光生载流子向结区扩散时间。对于耗尽层型二型二极管主要驰豫时间为光生载流子向结区扩散时间。对于耗尽层型二极管主要驰豫时间为光生少子在结区的漂移时间。极管主要驰豫时间为光生少子在结区的漂移时间。对于不同波长的光，器件也有不同的频率响应。波长越长的光在较深对于不同波长的光，器件也有不同的频率响应。波长越长的光在较深处被吸收，产生的少数载流子远离处被吸收，产生的少数载流子远离PNPN结，需较长的扩散时间。而较短波结，需较长的扩散时间。而较短波长的光在靠近表面处被吸收，产生的少数载流子离长的光在靠近表面处被吸收，产生的少数载流子离PNPN结很近，扩散时间结很近，扩散时间短。所以短。所以耗尽层型优于扩散型光敏二极管耗尽层型优于扩散型光敏二极管。载流子的渡越时间载流子的渡越时间载流子的渡越时间载流子的渡越时间温度特性温度特性由于反向饱和电流对温度的强烈依赖由于反向饱和电流对温度的强烈依赖性，光敏二极管的暗电流对温度的变化性，光敏二极管的暗电流对温度的变化非常敏感。非常敏感。按材料按材料按材料按材料 硅光敏二极管、硅光敏二极管、锗光敏二极管、化合物光敏二极管；锗光敏二极管、化合物光敏二极管；按结特性：按结特性：按结特性：按结特性：PNPN结（扩散层、耗尽层）、结（扩散层、耗尽层）、PINPIN结结 、异质结、肖特基势、异质结、肖特基势 垒型及点接触型；垒型及点接触型；按对光的响应：按对光的响应：按对光的响应：按对光的响应：紫外、可见光、红外紫外、可见光、红外紫外、可见光、红外紫外、可见光、红外肖特基结光敏二极管：肖特基结光敏二极管：光敏面小，势垒电容小，响应快，但工艺困难。光敏面小，势垒电容小，响应快，但工艺困难。扩散层扩散层PNPN结光敏二极管：结光敏二极管：耗尽层厚度小于结的任一边的扩散长度，工作区是结两边的耗尽层厚度小于结的任一边的扩散长度，工作区是结两边的扩散区，光电流主要由扩散流引起。扩散区，光电流主要由扩散流引起。耗尽层型耗尽层型PNPN结光敏二极管：结光敏二极管：耗尽层厚度大于结的任一边的扩散长度，光电转换主要在耗耗尽层厚度大于结的任一边的扩散长度，光电转换主要在耗尽层内，光电流主要由漂移电流引起的，有很高的频率响应。尽层内，光电流主要由漂移电流引起的，有很高的频率响应。几种常见的光敏二极管几种常见的光敏二极管PINPIN管管 它的结构特点是，在它的结构特点是，在P P型半导体和型半导体和N N型半导体之间夹着一层型半导体之间夹着一层（相对）很厚的本征半导体。这样，（相对）很厚的本征半导体。这样，PNPN结的内电场就基本上结的内电场就基本上全集中于全集中于I I层中，从而使层中，从而使PNPN结双电层的间距加宽，结电容变结双电层的间距加宽，结电容变小。小。这种管子最大的特点是这种管子最大的特点是频带宽频带宽频带宽频带宽，可达，可达1010GHzGHz。另一个特点是，另一个特点是，线性输出范围宽线性输出范围宽线性输出范围宽线性输出范围宽。所不足的是，所不足的是，I I层电阻很大，层电阻很大，管子的输出电流小管子的输出电流小管子的输出电流小管子的输出电流小，一般，一般多为零点几微安至数微安。目前有将多为零点几微安至数微安。目前有将PINPIN管与前置运算放大器管与前置运算放大器集成在同一硅片上并封装于一个管壳内的商品出售。集成在同一硅片上并封装于一个管壳内的商品出售。雪崩光电二极管雪崩光电二极管 雪崩光电二极管是利用雪崩光电二极管是利用PNPN结在高反向电压下产生的雪崩效应结在高反向电压下产生的雪崩效应来工作的一种二极管。来工作的一种二极管。特点：特点：工作电压很高，约工作电压很高，约100100200200V V，接近于反向击穿电接近于反向击穿电压。压。有很有很高的内增益高的内增益，可达到几百。，可达到几百。响应速度特别快，带宽可达响应速度特别快，带宽可达100100GHzGHz，是目前响应速度最快是目前响应速度最快的一种光电二极管。的一种光电二极管。缺点：缺点：噪声大噪声大。四、光敏三极管四、光敏三极管特点：特点：光电晶体管的光电晶体管的灵敏度灵敏度比光电二极管比光电二极管高高，输出电流输出电流也比也比光电二极管光电二极管大大，多为毫安级。，多为毫安级。缺点：缺点：它的它的光电特性不光电特性不如光电二极管如光电二极管好好，在较强的光照下，光，在较强的光照下，光电流与照度不成线性关系。所以光敏三极管多用来作光电开关元件电流与照度不成线性关系。所以光敏三极管多用来作光电开关元件或光电逻辑元件。或光电逻辑元件。五、五、阵列式或象限式结型光电器件阵列式或象限式结型光电器件 利用集成电路技术使两个至几百个光电二极管或光电池排利用集成电路技术使两个至几百个光电二极管或光电池排成一行，集成在一块集成电路片子上，即成为阵列式的一维光成一行，集成在一块集成电路片子上，即成为阵列式的一维光电器件，也可以使光电二极管或光电池制成象限式的二维光电电器件，也可以使光电二极管或光电池制成象限式的二维光电器件。器件。这两种器件中，衬底是共用的，而各光敏元都是独立的，这两种器件中，衬底是共用的，而各光敏元都是独立的，分别有各自的前极引出线。分别有各自的前极引出线。就目前的应用看，两个并列的光电二极管或光电池，可用就目前的应用看，两个并列的光电二极管或光电池，可用来辨别光点移动的方向。来辨别光点移动的方向。2 24 4个并列的光敏元，可用来收集光点移动的相位信息。个并列的光敏元，可用来收集光点移动的相位信息。几十个至几百个或更多并列的光敏元，可用来摄取光学图几十个至几百个或更多并列的光敏元，可用来摄取光学图象或用作空间频谱分析。象或用作空间频谱分析。象限式光电器件可用来确定光点在二维平面上的位置坐标。象限式光电器件可用来确定光点在二维平面上的位置坐标。多用于准直、定位、跟踪或频谱分析等方面。多用于准直、定位、跟踪或频谱分析等方面。这种器件的特点是，光敏元件密集度大，这种器件的特点是，光敏元件密集度大，总尺寸小，容易作到各单元多数一致，便于总尺寸小，容易作到各单元多数一致，便于信号处理。信号处理。六、六、光电位置探测器（光电位置探测器（PSDPSD）PSD PSD PSD PSD是利用离子注入技术制成的一种可确定光的能量中心是利用离子注入技术制成的一种可确定光的能量中心是利用离子注入技术制成的一种可确定光的能量中心是利用离子注入技术制成的一种可确定光的能量中心位置的结型光电器件，有一维的和二维的两种。位置的结型光电器件，有一维的和二维的两种。位置的结型光电器件，有一维的和二维的两种。位置的结型光电器件，有一维的和二维的两种。当入射光是一个小光斑，照射到光敏面时，其输出则与光当入射光是一个小光斑，照射到光敏面时，其输出则与光当入射光是一个小光斑，照射到光敏面时，其输出则与光当入射光是一个小光斑，照射到光敏面时，其输出则与光的能量中心位置有关。这种器件和象限光电器件比较，其特点的能量中心位置有关。这种器件和象限光电器件比较，其特点的能量中心位置有关。这种器件和象限光电器件比较，其特点的能量中心位置有关。这种器件和象限光电器件比较，其特点是，它对光斑的形状无严格要求，光敏面上无象限分隔线，对是，它对光斑的形状无严格要求，光敏面上无象限分隔线，对是，它对光斑的形状无严格要求，光敏面上无象限分隔线，对是，它对光斑的形状无严格要求，光敏面上无象限分隔线，对光斑位置可连续测量。光斑位置可连续测量。光斑位置可连续测量。光斑位置可连续测量。七、光电开关与光电耦合器七、光电开关与光电耦合器 光电开关和光电耦合器都是由发光端和受光端组成的组合光电开关和光电耦合器都是由发光端和受光端组成的组合光电开关和光电耦合器都是由发光端和受光端组成的组合光电开关和光电耦合器都是由发光端和受光端组成的组合件。件。件。件。光电开关不封闭，发光端与受光端之间可以插入调制板。光电开关不封闭，发光端与受光端之间可以插入调制板。光电开关不封闭，发光端与受光端之间可以插入调制板。光电开关不封闭，发光端与受光端之间可以插入调制板。光电耦合器则是把发光元件与受光元件都封闭在一个不透光电耦合器则是把发光元件与受光元件都封闭在一个不透光电耦合器则是把发光元件与受光元件都封闭在一个不透光电耦合器则是把发光元件与受光元件都封闭在一个不透光的管壳内。光的管壳内。光的管壳内。光的管壳内。光电开关光电开关光电开关光电开关光电耦合器光电耦合器光电耦合器光电耦合器 光电开关的发光端与受光端彼此独立，完全没有电的联光电开关的发光端与受光端彼此独立，完全没有电的联光电开关的发光端与受光端彼此独立，完全没有电的联光电开关的发光端与受光端彼此独立，完全没有电的联系，两端之间的电阻一般都在系，两端之间的电阻一般都在系，两端之间的电阻一般都在系，两端之间的电阻一般都在10111011以上。光电开关多用于以上。光电开关多用于以上。光电开关多用于以上。光电开关多用于光电计数、报警、安全保护、无接触开关，及各种光电控制光电计数、报警、安全保护、无接触开关，及各种光电控制光电计数、报警、安全保护、无接触开关，及各种光电控制光电计数、报警、安全保护、无接触开关，及各种光电控制等方面。等方面。等方面。等方面。光电耦合器多用于电位隔离、电平匹配、抗干扰电路、光电耦合器多用于电位隔离、电平匹配、抗干扰电路、光电耦合器多用于电位隔离、电平匹配、抗干扰电路、光电耦合器多用于电位隔离、电平匹配、抗干扰电路、逻辑电路、模逻辑电路、模逻辑电路、模逻辑电路、模/数转换、长线传输、过流保护，及高压控制数转换、长线传输、过流保护，及高压控制数转换、长线传输、过流保护，及高压控制数转换、长线传输、过流保护，及高压控制等方面。等方面。等方面。等方面。一、接受光信号的方式一、接受光信号的方式光信号的有无：光信号的有无：被测对象造成投射到光电器件上的光信被测对象造成投射到光电器件上的光信号截断或通过。如光电开关、光电报警等。这时光电器件不号截断或通过。如光电开关、光电报警等。这时光电器件不考虑线性，而考虑线性，而要考虑灵敏度要考虑灵敏度。第四节、各种光电检测器件的性能比较和第四节、各种光电检测器件的性能比较和应用选择应用选择光信号的色度差异：光信号的色度差异：当被测对象本身光辐射的色温存在差当被测对象本身光辐射的色温存在差异或表面颜色变化时，必须选择异或表面颜色变化时，必须选择合适的光谱特性合适的光谱特性的光电器件。的光电器件。光信号的幅度大小：光信号的幅度大小：当被测对象因对光的反射率、透过率当被测对象因对光的反射率、透过率或是被测对象本身光辐射的强度变化，此时光信号幅度大小亦或是被测对象本身光辐射的强度变化，此时光信号幅度大小亦改变。为准确测出幅度大小的变化，改变。为准确测出幅度大小的变化，必须选用线性好、响应快必须选用线性好、响应快的器件的器件，如，如PMTPMT或光电二极管。或光电二极管。光信号按一定频率交替变化：光信号按一定频率交替变化：这种光信号的输入是有一这种光信号的输入是有一定频率的，必须使所选器件的定频率的，必须使所选器件的上限截止频率大于输入信号的频上限截止频率大于输