不良分析技法.pptx

1/10发信发信 NoNo决决裁裁决裁者决裁者辅助决裁者辅助决裁者担当担当COMMENT&COMMENT&向后进行事项向后进行事项 教育目的：学习不良分析的基本技法，并对工程异常品进行合理的分析，防止工程再工教育目的：学习不良分析的基本技法，并对工程异常品进行合理的分析，防止工程再工,提高工程收率。提高工程收率。教育内容：不良分析基本步骤及方法，不良项目不良主要原因及判定方法教育内容：不良分析基本步骤及方法，不良项目不良主要原因及判定方法 向后进行事项：相关内容再学习，不良分析学习分析向后进行事项：相关内容再学习，不良分析学习分析配布：配布：题目题目 :不良分析不良分析 技法技法 学习学习 报告书报告书KEC-W KEC-W 制制 造造 技技 术术 GROUPGROUP报报 告告 日日 子子20032003年年 05 05 月月 07 07 日日文文 书书 分分 量量表纸包含表纸包含 10 10 枚枚作作 成成 者者所所 属属职责职责,位位姓姓 名名制制 造造 技技 术术社员社员陆绮涟陆绮涟 期间(2003年 05月 01日 2003年 05月 07日)KEYWORDKEYWORD栏栏制品制品工程工程设备设备材料材料业体业体其他其他教育报告教育报告第1页/共10页 2/10题目题目:不良不良 分析分析 技法技法1.1.目的：目的：学习不良分析的基本技法，并对工程异常品进行合理的分析，防止工程再工,提高工程收率。2.2.教育时间：教育时间：2003.05.072003.05.073.3.教育地点：制造技术教育地点：制造技术-G G4.4.教育内容：教育内容：1）不良分析基本步骤及方法2）不良项目不良主要原因及判定方法5.5.教育内容：教育内容：1）不良分析步骤介绍 区区分分内容内容准备事项准备事项1不良Sample接受发生现况充分把握分析2初等分析1）不良发生内容确认：不良内容 规格（EI/FS）&比较 调查2）不良发生 Lot 收率确认，作业履历（Travel Card）调查3）外观检查 实施（Package Crack，污物，污染，混入等与良品比较）4）确认 Lot 作业 设备 履历 调查（该Lot 作业时，设备状态，作业条件，变更条件，变更点 与否）3电气的特性分析1）Test Program比较 分析（制造，出荷检事）2）不良与良品全项目 Data分析比较（生产设备，出荷检查，设备）第2页/共10页 3/10区区分分内容内容准备事项准备事项4波形分析不良与良品全项目 Data 分析比较5X-RAY 检查Wire Bond Loop 状态 确认61 次 Epoxy Mold Compound Decap1）Heat Temp：100150，23Min Heating2）用药品：勃然硝酸（80%），硫酸（20%）Mixer3）Remove Time：5 Min 以上（Package有差异）7Chip特性分析1）Wire Bonding 状态确认2）Chip Crack 有无确认3）表面状态 确认 与Chip Hand Probe 特性确认82 次 Decap（Layer Remove）LayerHeating使用化工药品Remove TimePassivationPIQOxide常温2 分以上Glass常温盐酸3060Metal100150盐酸(3)：硝酸(1)5 分以上FieldOxide常温Nitride165(液温)磷酸3050以上第3页/共10页 4/10 2）Assembly 不良项目 主要原因 及 判定方法不良项目主要原因方法确认项目确认方法1 1确认方法2 2&结论hFE派生不良1.Probe Cut Miss2.Die Bond 工程不足3.Emitter Sinter 不足1.hFE Spec2.良品与不良品高电流领域比较分析(VBEF，VBCF，VBE)1.VBEF，VCE(SAT)比良品高，VBCF与良品相同Wafer不良2.VBEF与良品相同，VBCF，VCE(SAT)比良品高VBE确认后，共晶状态良好Wafer不良3.VBEF，VCE(SAT)比良品高，VBCF与良品同一Wafer不良4.VBEF，VCE(SAT)比良品高，VBCF与良品同一Wafer不良VCE(SAT)高电流IC=数+mA1.Base Sinter不足2.Emitter Sinter不足3.表面共晶不足良品 不良 比较分析(VBEF，VBCF，VCE(SAT)1.VBEF，VCE(SAT)比良品高，VBCF与良品同一Wafer不良2.VBEF，VCE(SAT)与良品同一，VCE(SAT)比良品高VBE确认后，共晶状态良好Wafer不良第4页/共10页 5/10 不良项目主要原因方法确认项目确认方法1 1确认方法2 2&结论VBE(SAT)1.Base Sinter不足2.Emitter Sinter不足3.表面 共晶 不足良品 不良 比较分析(VBEF，VBCF，VCE(SAT)1.VBEF，VCE(SAT)比良品高，VBCF与良品同一Wafer不良2.VBEF，VCE(SAT)与良品同一，VCE(SAT)比良品高VBE确认后，共晶状态良好Wafer不良VBCF1.Die Bond工程不足2.表面Sinter不足良品与不良品高电流领域比较分析(VBEF，VBCF，VBE)1.VBEF比良品高，VBE比良品同一Wire Bonding正常Wafer不良2.VBEF与良品同一，VCE(SAT)比良品高VBE确认后 共晶状态良好Wafer不良VBE1.Back Metal不良2.Solder3.D/B共晶不足良品 不良 比较分析*共晶状态*Solder Thickness1.Foilless：共晶状态2.Foil：4面Foil有OKBonding共晶 对策VBCF，VCE(SAT)OKWafer不良VCE(SAT)低电流hFE Lineariter良品 不良 比较分析Probe Cut MissFab不良IEBOProbe Cut MissFab不良第5页/共10页 6/10 不良项目主要原因方法确认项目确认方法1 1确认方法2 2&结论ICBO，ICEO，IR1.Probe Cut Miss2.Crack耐压 派生 确认1.正常派形值小1.混入 确认2.Wafer 不良2.不安定Jitter派形Wire Bonding 状态确认Zener Grade派生Probe Cut MissManual(370 C/T 确认)1.正常派形值小1.混入 确认2.Wafer不良2.不安定Jitter派形1.Chip Crack确认2.Crack无Wafer不良VBEFBase&Emitter Sinter不足良品 不良 比较分析(派形 比较分析)1.正常派形值大1.混入 确认2.Wafer不良2.不安定Jitter派形Wire Bonding状态确认KhFE LineariterhFE 派形测定1.正常派形值大1.混入 确认2.Wafer不良2.不安定Jitter派形Wire Bonding状态确认第6页/共10页 7/10 不良项目主要原因方法确认项目确认方法1 1确认方法2 2&结论Resistor1.Test Damage2.Probe Cut Miss连续Test 10 回 实施1.正常派形1.他 特性OK Fab不良2.不正常派形2.他 特性NG 不良分析Triac Igt，Vgt，Vtm1.Probe Cut Miss2.共晶不良370 C/T派形 确认1.抵抗变动无1.Fab不良2.抵抗变动有2.Test 变更平衡RegulatorVout其他特性确因Regulation设备别CheckOK时Probe Cut MissCondenser CheckAC项目其他特性确因设备别CheckCondenser CheckG-B/G其他特性确因设备别Check共同Must 确认事项1)设备测定值分析(制造，品保，370C/T)2)Chip混入有无第7页/共10页 8/10 3）Assembly不良项目可能出现的不良原因及判定方法 不良项目不良原因Open Chip Poping Pad,Post Open Chip无 Wire无 Wire CutTouch Chip Crack Wire Slip Contact Miss 静电 Etching Miss Ball TouchICBO 背面，侧面，表面微细Crack Chip自身Defect(故障)IEBO E-B Junction Defect Junction上Ball BondingVCBO 背面，侧面，表面微细Crack Chip自身Defect VEBO 背面，侧面，表面微细Crack Chip自身DefectVCEO,R,S,X 背面，侧面，表面微细Crack Chip自身DefectVBEF Poor Bonding 由于过电流导致Wire Cut E-B Sinter 不足的阻抗成分VCBF Base Sinter不足 Chip的Bonding不良 Back Metal 上阻抗成分VBE 背面Crack 工程不良，溶液不良 测定条件，设定Miss Si和B/M厚度大VCE/SAT 背面Crack Chip里面和Back阻抗性 L/F与Back Metal Contact 阻抗成分VBE/SAT Poor Bonding E-B Sinter不足的阻抗成分hFE大小 E-B 浓度问题 电气性Damage 的低电流hFE DownK 由于浓度，Chip自身Defect 电气性Damage低电流hFE Down混入异极性，同极性，混入第8页/共10页 9/103.3.相关用语含义相关用语含义 Curve Tracer 370ACurve Tracer 370A各测定项目大致波形状态（各测定项目大致波形状态（TRTR）BVCE Collector-emitter breakdown voltage BVCB Collector-base breakdown voltage BVEB Emitter-base breakdown voltage VFBC Base-collector forward voltage VFBE Base-emitter forward voltage VFEC Emitter-collector forward voltage VCESAT Collector-emitter saturation voltage VBESAT Base-emitter saturation voltage HFE HFE(IC/IB)BTON Base turn-on voltage ICE Collector-emitter cut-off current ICB Collector-base cut-off current IEB Emitter-base cut-off current 第9页/共10页 10/10 VCBO/VCEO/VEBO正确波形显示 VBEF/VBCF/VECF正确波形显示 hFE正确波形显示 VBESAT正确波形显示 VCESAT正确波形显示 波形基本形状与上述波形有区别时，则出现波形失真，对该项目状态确认需要 4.4.向后进行事项向后进行事项 相关内容再学习 不良分析学习分析第10页/共10页