模拟电子技术期末试卷5答案.doc

模拟电子技术期末考试试卷12010。05班级_ _ 学号_ _ 姓名_ 分数_ _题号得分阅卷一二三四五总分得分阅卷一填空（25分）(1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是电子，掺杂越多，则其数量一定越多 ,相反，少数载流子应是空穴 ，掺杂越多，则其数量一定越少。（2）把PN结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做单向导电特性。（3)当PN结外加正向电压时，PN结内多子扩散形成较大的正向电流。（4）硅二极管的导通电压值约为 0。6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V。（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的饱和区和截止区。(6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成共基、共射、共集电三种组态。（7）放大电路的频率特性是指放大倍数值随信号频率而变,称为幅频特性，而输出信号与输入信号的相位差 随信号频率而变，称为相频 特性。（8）假设级放大电路的每一级的放大倍数分别为，那么多级放大电路的放大倍数（9)要使电路产生稳定的振荡，必须满足振幅平衡和 相位平衡 两个条件。（10)小功率直流电源一般由四部分组成，分别是电源变压器、整流 、滤波 和稳压电路.二选择题（每题2分，共20分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入（B) ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 (C） 。 （A）电流负反馈 (B）电压负反馈 （C）直流负反馈 （D）交流负反馈(2）RC串并联网络在时呈 . （A）感性（B）阻性 (C)容性（3）通用型集成运放的输入级多采用 。 （A)共基接法 （B）共集接法 (C)共射接法 （D)差分接法（4）两个相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。 (A）（B)2 （C）2 （D）1+（5）在（A）、（B)、（C)三种电路中输出电阻最小的电路是 （B） ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 (C） 。 （A)共基放大电路 （B）共集放大电路 （C) 共射放大电路 （6）当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uC uB uE 。（A） (B） VCC/RL=13/6=2.16 A【评分标准】5分；5分。 3。 解:I。U./RL=30/200=0。15 A ID=0。5I。=0。50。15=75mAUDRM=U2=U。/1.2=1.430/1。2=35v由RLC=(35）T/2 取系数为5,200C=5/2f5/250=0.05 C=0.00025F=250F【评分标准】8分;3分；5分。模拟电子技术期末考试试卷3一、填空题(25分，每空1分)1.在本征半导体中,_是多子，由_形成.在P型半导体中,_是少子，由_形成.2. 二极管的基本特性是_,其反向电阻比正向电阻值_。当二极管两端加正向电压时，其动态电阻随正向电流的增加而_。3。共射电路中，三极管的交流电流放大作用体现在Ib的_变化可控制IC、的_变化,所以三极管是一个由_控制_的器件.它的三种工作状态分别是_、_、_.4。为了稳定静态工作点，在放大电路中应引入负反馈;若要稳定放大倍数、改善非线性失真等性能,应引入负反馈。5.场效应管是通过改变_来改变漏极电流的,所以是一个_控制的_器件.6。LC振荡器从起振到稳幅，是利用三极管的_使放大倍数_,直至_;而RC文氏电桥式振荡器是利用非线性元件的_发生变化，使放大电路中的_增大，从而使_减小。二、选择题（18分，每小题2分）1. 当负载电阻RL = 1k时,电压放大电路输出电压比负载开路时输出电压减少20%，该放大电路的输出电阻R。（ );a0.25 k b。05 k C1 kd15k 2. 二极管加正向电压时，其正向是由（ )。 a:多数载流子扩散形成 b：多数载流子漂移形成 c：少数载流子漂移形成3。 当晶体管工作在放大区时,（).a.发射结和集电结均反偏;b。发射结正偏，集电结反偏；c。 发射结和集电结均正偏；4。用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是U1=2.8V ，U2=2。1V ,U3=7V ， 那么此三极管是（ )型三极管，U1=2。8V的那个极是（ )，U2=2。1V的那个极是（ ）,U3=7V的那个极是( ）。a. NPN b。 PNP c。 发射极d . 基极 e。 集电极5.在固定式偏置电路中,若偏置电阻RB的值增大了，则静态工作点Q将（ ）.a。 上移 b。 下移 c. 不动 d。上下来回移动6。 在OCL乙类功放电路中,若最大输出功率为1W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为（ )。1W 0。5W 0.2W 7。对于放大电路,所谓开环是指(）a。 无信号源b. 无反馈通路c.无电源8。 若桥式整流由两个二极管组成,负载流过电流IO，则每只整流管中电流ID为（ ），承受最高反向电压为（ ）。 IOIO/2 cIO/4 d 。U2 e f 2U29. 串联型稳压电路中的放大环节放大的对象是(）。基准电压取样电压基准电压与取样电压之差三、判断题(8分,每小题1分)1。在分压式偏置电路中,值的大小对放大器静态工作点Q无影响。 ( ）2。通常多级阻容耦合放大电路,若各级均采用共射电路，则电路的输出电压与输入电压总是反向的.（ ）3。振荡电路中只有正反馈网络而没有负反馈网络。（ )4.一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）5。在互不对称功率放大电路输入端所加的电源电压越大越好，则交越失真就越容易 消除。 （ ）6。若放大电路的负载固定,为使其电压放大倍数稳定,可以引入电压负反馈,也可以引入电流负反馈。（ )7。共集电极（或共漏极）放大电路,由于A1,故没有反馈.（ )8。使用集成运算放大器器件来组成比例运算电路，这时可按比例运算关系任意选用电阻值。（ )四、分析判断题（8分）1。判断下图的反馈类型（8分,每小题4分）VCCRC1C2 Rb2RC2 Rb1C1C3RLRe1Ce1Re2Rf CfvO-+R5R3-+vIR1R4R22。1（ ） 2 ( ） 五、计算题(41分）1.（6分）图中RS、Re、Rb1、Rb2、RC、RL、VCC均已知;求：IC、IB、VCBVCCvSvoRsRb1Rb2RCRLReCb1Cb2CB2。电路如图（2)所示，设运放是理想的，试求,，的值.（8分)3。如下图所示电路为输出电压可调电路，当时，流过的最小电流为（510），调整端1输出的电流远小于，。（5分）（1）求的值；(2）当，时，求输出电压；(3）调节从0时,求输出电压的调节范围。4。 电路如图所示,已知VCC=VEE=15V.晶体管T1,T2的100，rbb=200RC=RL=6k,RE=7。2k(12分）1。估算T1，T2管的静态工作点ICQ，VCEQ2.计算AVD=VO/(Vi1Vi2），Rid,Rod模拟电子技术期末考试试卷3(参考答案）一、填空题(25分,每空1分)1。自由电子 掺杂 自由电子 本征激发2.单向导电性 大 减小3.微小 较大 电流 电流源 饱和状态 放大状态 截止状态4.直流 交流5。栅源电压 电压 电流源6。非线性性 减小 KF=1 阻值 负反馈深度 放大倍数二、选择题（18分，每小题2分)1.a2。a 3.b 4。a,d,c，e 5.b6。b7.b 8.b,e 9。C 三、判断题（8分，每小题1分）1.2.3。4.5.6。7。8.四、分析判断题（8分)1。判断下图的反馈类型（8分，每小题4分)1本级反馈：Re1：第一级的直流的电流串联负反馈Re2:第二级的交、直流的电流串联负反馈级间反馈:Rf1、Cf ：交流的电流并联负反馈2本级反馈：第一级的电压串联负反馈第二级的电压并联负反馈 级间反馈：电压并联负反馈【评分标准】每题4分五、计算题（41分)1。（分）解：【评分标准】过程分；2.(8分)解： 【评分标准】求得每个电压值得4分3。（13分)【评分标准】4分3分8分解：可得当时,当时,即输出电压的的调节范围()。4。【评分标准】6分;6分；解：（1) ICQ=1mA,VCEQ=9。7V (2） AVD=-71.4,Rid=5。6k，Rod=12k模拟电子技术期末考试试卷4一、填空题：（2分，每空1分）1、BJT是 控制器件,FET是控制器件。2、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为,则此二极管_；若两次读数都接近零，则此二极管_；若读数一次很大，一次读数小,则此二极管_.3。简单的差分放大器双端输出时,对_信号有较强的抑制能力，而对_信号有较强的放大作用.4.差动放大电路两个输入端的电流分别是2v和3v,则共模信号是 v，差模信号为v.5、要获得低频信号，可选用振荡器；要获得高频信号可选用振荡器.6、负反馈虽使放大电路的放大倍数_了，但其他的性能得到了改善：_、_、_、_。7、射极输出器的重要特点是_、_和_。8、场效应管栅源间的输入电阻比晶体三极管基射间的输入电阻_。源极输出电路的重要特点是_，_和_。9、理想集成运放的条件是_、_、_、_和_.二、选择题:(20分，每题2分）1、PN结反向向偏置时，其内电场被（ ）。A、削弱 B、增强 C、不变 D、不确定2、三极管工作在饱和状态的条件是（ ）.A、发射极正偏，集电极正偏 B、发射极正偏,集电极反偏C、发射极反偏,集电极反偏 D、发射极反偏，集电极正偏3、PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，( ）. a：其反向电流增大 b:其反向电流减小 c：其反向电流基本不变4、稳压二极管是利用PN结的( ）。 a：单向导电性 b：反向击穿性 c:电容特性5、二极管的反向饱和电流在20时是5A，温度每升高10,其反向饱和电流增大一倍,当温度为40时，反向饱和电流值为( )。 a：10A b:15A c:20A d:40A6、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ）。A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态7、某NPN型三极管的输出特性如图所示，当Uce=6V时.其电流 放大系数为（ ）。A、=100 B、=50 C、=150 D、=25 8.当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（）a集电极最大允许功耗b集电极最大允许电流c集基极反向击穿电压（)9、右图为单相桥式整流滤波电路，U1为正旋波，其有效值为U1=20V，f=50HZ。若实际测得其输出电压为28。28V,这是由于（ )的结果.9题图a。开路 b.C的容量过小c。C的容量过大 d。RL开路10、在非线性失真中，饱和失真也称为( ）a 顶部失真 b 底部失真 c 双向失真三、判断题：(分，每题分)1、P型半导体中的多数载流子是空穴,少数载流子是自 由电子.（ ）2、在三极管放大电路的三种基本组态中，共集电极放大电路带负载的能力最强。（)3、负反馈可以提高放大电路的放大倍数的稳定值。（)4、功率放大电路工作在大信号状态,要求输出功率大，且转换效率高。（)5、因为差动放大电路采用了直接耦合方式，故只能放大直流信号。（）6、多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大,且其通频带越宽（）7、二极管的反向偏置电压升高时,其正向电阻增大。（）8、要稳定放大电路工作点,可以引入交流负反馈。（）四、判断下列各图中,哪些电路能进行正常的放大：（6分）1 2. VCCR1R2RLvivoVCCRCRBVs ( ) ( ） 五、综合题（38分)1.已知如图:V=12V，RB=100k，RW=400K， RC,.5当滑动变阻器的触点在中间位置时求静态值并画直流负载线 （设UBE = 0 )(8分)RW+VRR C21RL=6+VEEVEEUi2、一双电源互补对称电路如图题所示，设已知Vcc12 V,RL6，vI为正弦波。求:（1）在BJT的饱和压降VCES可以忽略不计的条件下,负载上可能得到的最大输出功率Pom；（2）每个管子允许的管耗 PCM至少应为多少?（3）每个管子的耐压 |V（BR）CEO|应大于多少?（10分）3题图3、在图所示单相桥式整流电容滤波电路中，已知RL=40，C=1000uF，u2=20sinwtV，现用万用表测量输出直流电压，如果出现下列几种情况,试分析哪个数据合理？那些不合理？会出现什么故障？（10分) UO=18V： UO=28V： UO=9V: UO=24V：4、为了用低值电阻实现高电压增益的比例运算,常用一T形网络以代替，如图（4)所示，试证明（10分）模拟电子技术期末考试试卷4(参考答案）一、填空题：（28分，每空1分）10、 电流、电压11、 开路 内部短路 正常12、 共摸 差摸13、 1。5v、1v 14、 RC、LC15、 降低提高放大倍数的稳定性减小非线性失真展宽频带改善电路输入输出电阻16、 电压跟随特性好输入电阻高输出电阻低17、 大跟随性好输入电阻大输出电阻小18、 开环增益无穷大差模输入电阻无穷大输出电阻为共模抑制比无穷大带宽无穷大二、选择题:（20分，每题2分）1、b，2、a,3、b，4、c,5、a，6、a，7、d,8、c，9、d，10、C三、判断题：(分，每题分）1、，2、,3、，4、，5、，6、，7、，8、四、1图：不能，2图：不能【评分标准】每个3分五、综合题（38分）1。IB=UCC/（RB200）= 40A IC=IB=1。5m AUCE= UCCICRC=6VIC( mA）380A60AQ40A1。520AIB=00 612UCE （V)【评分标准】2分2分4分2.解 （1）输出功率（1）(2)每管允许的管耗（3） 每管子的耐压【评分标准】（1）3分;(2）3分；（3)4分;3.解： UO=18V是U2的0.9倍,说明电解C开路，不合理； UO=28V是U2的峰值，说明负载RL开路，不合理；UO=9V是U2的0.45倍,说明电解C开路，同时至少又有一个二极管脱焊，不合理；UO=24V是U2的1。2倍，属于正常情况，合理。【评分标准】2。5分 2。5分2。5分2。5分4。 证明: 由于 得即 【评分标准】得出Uo的表达式给5分，最后证明出等式相等给5分共计10分模拟电子技术期末考试试卷5一 填空题（共20分,每空1分)1、P型半导体中多数载流子为，少数载流子为。2、用万用表检测二极管时,应将万用表的电阻挡置于和量程。3、三极管有型和型两种结构，三极管中集电区与基区之间的PN结称为结，基区与发射区之间的PN结成为结。4、三极管的输出特性曲线分为区、区和区。5、常用的级间耦合方式有耦合、耦合和耦合。6、集成运算放大器在线性应用时有和两个重要特点。7、实际应用中，要使电路建立起振荡,必须满足的起振条件是。8、获取中小功率直流电源常用的途径是、整流、和。二。 选择题（共20分,每题2分)1、图中场效应管为（) A、增强型N沟道 B、增强型P沟道C、耗尽型N沟道D、耗尽型P沟道2、二极管两端加上正向电压时（ ）A一定导通 B超过死区电压才能导通C超过0。7伏才导通 D超过0.3伏才导通3、三极管处于饱和状态时，三极管的发射结和集电结分别处于（ )A发射结和集电结都处于正偏B发射结处于正偏,集电结处于反偏C发射结处于反偏,集电结处于正偏D. 发射结和集电结都处于反偏4、单相半波整流电路,若电源变压器次级电压U2=100V，则负载电压UL将是（ ）A.100V B。45VC。90V D.120V5、对三极管放大作用的实质,下面说法正确的是（ ）A. 三极管可以把小能量放大成大能量B. 三极管可以把小电流放大成大电流C。 三极管可以把小电压放大成大电压D. 三极管可用较小的电流控制较大的电流6、影响放大器静态工作点稳定的最主要因素是（ ）A.温度的影响 B。管子参数的变化C。电阻变值 D。管子老化7、场效应管是一种器件，三极管是一种器件（ )A。两者都是电压控制 B。两者都是电流控制C。前者为电压控制，后者为电流控制D。前者为电流控制,后者为电压控制8、正弦波振荡器中，选频网络的主要作用是（ ）。A。使振荡器产生一个单一频率的正弦波B。使振荡器输出较大的信号C。使振荡器有丰富的频率成分D。保证输出电压稳定且失真小9、正弦波振荡器中,选频网络的主要作用是( )。A.使振荡器产生一个单一频率的正弦波B。使振荡器输出较大的信号C。使振荡器有丰富的频率成分D.保证输出电压稳定且失真小10、稳压管工作在状态下，能够稳定电压。（ ）A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿D. 任意三判断正误（共10分,每题1分；正确的画“，错误的画“”）1、由于P型半导体中的多数载流子是空穴，所以P型半导体带正电.（ ）2、三极管是由两个PN结组成的，所以可以用两个二极管连接组成一个三极管。（ ）3、有两个BJT，其中第一个管子的=150,I=200A，第二个管子的=50, I=10A,其他参数一样。由于，因此第一个管子的性能优于第二个管子的性能。（ ）4、共集电极放大电路，由于A1，故没有反馈。( ）5、画放大电路的交流通路的方法是将电容当成短路，直流电源置零。( ）6、固定偏置放大电路的静态工作点比分压式偏置放大电路的稳定.（ ）7、若放大电路的负载固定，为使其电压放大倍数稳定，可以引入电压负反馈,也可以引入电流负反馈。( )8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）9、加法运算电路可分为同相加法运算电路和反相加法运算电路两种。（ )10、正弦波振荡电路中的反馈网络是正反馈。（ )四、分析简答题(15分）1、判断下图的反馈类型，写出判断依据（10分）2、用相位平衡条件判断下图能否产生振荡（5分）五、计算题（35分）1、(10分)有两个三极管分别接在电路中，今测得它们的管脚的电位(对“地)分别如下表所列:管脚123电位（V）43。49管脚123电位（V）-6-2。3-2三极管1 三极管22、（15分）电路如图所示,已知：EC=12V,RS=10kW，=120kW, =30kW，RC=3.3kW， =1.7kW， =3.9kW， =0。7V,电流放大系数b=50，电路中电容容量足够大，试求:（1）静态工作点、（2)晶体管的输入电阻(3）放大器的电压放大倍数、输入电阻ri和输出电阻ro+EC3、(10分）电路如图所示，为理想运放，1K，K，0。9K,求的表达式。模拟电子技术期末考试试卷5（参考答案）一、填空题（共20分，每空1分）1、空穴 自由电子 2、R100 R1K3、PNP NPN 集电 发射4、截止 放大 饱和5、阻容 变压器 直接6、虚短 虚断7、18、降压 滤波 稳压二、选择题(共20分，每题2