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基于LTCC工艺的设计规范总结
1．材料特性
特性
相关参数值
1．相对介电常数Er：
5.9±0。2＠(1~100GH）
2．介质损耗角正切：
〈0.002 ＠（1~100GHz）
3．电阻率：
〉at 100DVCΩ
5．层数：
最多30层
6．每层层厚：
0.1mm
7．导体厚度:
0.01mm
8．孔径：
最小直径0.1mm可选6mil 8mil 10mil 12mil
9．密度:Density
3。2
10．镀金属:
铜（Cu）顶层:嵌入其中，中间层:上下各嵌入50％
过孔镀银（Ag)
11.基板尺寸（最大)
105mm×105mm
12．生瓷片精度
横向平面精度：±5um
众向生瓷精度：±10um
2。导体线宽和间距
建议尺寸 最小尺寸

A
B
C
顶层
45um
45um
45um
内层
100um
100um
100um
Note: 可能的情况下推荐更大的间距，密度过大或者焊盘过近将造成潜在的短路问题
相关参数：
网印最小线宽/间距 100um/100um直描最小线宽/间距 50um/75um
蚀刻最小线宽/间距 45um/45um
3．导体到基板边缘的间距/和腔体间隙
推荐尺寸 最小尺寸
4．电气过孔
214 的可选通孔直径为：6mils、8mils、10mils、12mils
互连通孔最小直径:0.1mm
5。同层通孔间距
A一般取3倍于孔径尺寸
注意：散热和RF通孔排除在此标准外
相关参数：互连通孔最小节距：0.3mm
6。过孔托盘
在通孔上面和下面的托盘必须以一定的距离与通孔的所有边都重叠,除非密集布线情况时不允许使用此方法(通孔直接与导线相连）
7．基板边缘电气通孔
A值推荐3～4倍于通孔直径,最小为18～25mil
8．器件安装处通孔分布
当设计的密度需要长的通孔串时，通孔必须交错分布以防发生突然折断的裂缝.
层与层直接的电气通孔之间的交错连接：通孔采取垂直方向的交错（Z字型），以使传送通道（routing channels)的封闭（blockage）降到最小，并减小通孔的“加速效应”(posting effect)。以下是交错通孔技术的示例：
可接受的Z字形 推荐的阶梯型 堆叠通孔
通孔堆栈：说明：电连接建议使用交错通孔，在特别情况下，在同一通孔处最多可以通孔15 层.
9．地和电源面板
大面积的裸露导体区域，比如面板，必须是实心的.烧结板在所有可能的地方应该网格化。铺地的区域必须是实心的，以此在需要时提供对传输线或其他关键信号线的保护.所有铺地板的边缘（在基板的周围和腔体附近）都必须造成城形,来提升生瓷带层与层之间的迭片结构的粘合性。相邻层之间的面板的栅格形状必须是可以相互抵消（offset）的，使基板顶层和地层表面较为平整
注意:接地板的网格应尽可能的大来减小多余增量和损耗，对于大面积地面/电源面，建议使用栅格形式，对于特别情况，局部可以使用面地面/面电源面。
10．空腔
空腔底部导体与空腔壁之间的间隙
如果有必要,底部导体的电气连接可以穿过空腔壁，但是不能超过壁长的25％，最大50%，城形的金属化设计可以用来满足该设计。
裸露/烧结导体到腔体壁之间的间隙
11．通孔与腔体的间隙
通孔和腔体壁之间的间隙
连接架
注意：在设计确认前应该检查连接架上的空腔壁高度
12．空腔与空腔的间隔:
最小尺寸
注意：
1． 烧结腔体壁长度不应超过500mils
2． 烧结前的经机械加工的腔体壁长度不能超过2inches
3． 最少腔体深度是一层生瓷片，连接架是经过考虑的腔体构成的.
4． 需要检查