WIRD0325镀膜机操作及镀膜工艺指导书.doc

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镀膜机操作及镀膜工艺指导书
受控状态及编号
文件编号
GL/WI-RD-03-25
页码
Page 1 of 30
部门
技术部
发布日期
2013年12月9日
拟制
徐 威
审核

批准

变更 履历
1
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镀膜机操作及镀膜工艺指导书
受控状态及编号
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GL/WI-RD-03-25
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部门
技术部
发布日期
2013年12月9日
拟制
徐 威
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批准

变更 履历
1
2007-05-28
文件整合
将老版文件改为新版的格式
聂旭光
2
2007-08-15
内容新增
1、增加产品镀膜前烘烤要求 Page 15
周霞

2、增加表单 Page 20
周霞
3
2007-10-09
客户审核要求
1、增加变更履历 Page 1
杨莎

2、去掉产品镀膜前烘烤要求 Page 15
周霞

3、5#镀膜机增加光栅增透 Page 15
聂旭光
4
2008-04-29
内容新增
新增镀膜应急情况处理办法 Page 7.8
冯浩
5
2008-09-09
内容新增
Page 12
冯浩
6
2009-04-13
内容变更
更新3#镀膜机作业流程 Page 9-14
何健
7
2009-04-24
内容新增
新增4#镀膜机作业流程 Page 19-21
何健
8
2009-05-18
客户审核要求
新增镀膜产品切换要求 Page 21
何健
9
2009-08-05
文件整合
全部更新 全文
冯浩
10
2010-01-15
内容变更
1.变更4#5#6#机台清洗周期 2变更4#工艺参数
冯浩
11
2010-04-7
内容新增
1.新增7.95um/10.8um光栅镀膜工艺 page9-14
2.增加405nm增透工艺 page20
徐威
12
2010-7-28
内容变更
1. 变更3#镀膜机保养规范 Page 13
2.变更4#镀膜机工艺参数 Page 18-22
3.变更5#镀膜机工艺参数 Page 25-26
4. 变更6#镀膜机工艺参数 Page 30
徐威
袁超
13
2010-9-13
内容新增
新增《镀膜工艺卡片》 Page 18，32
叶小兵
14
2010-9-20
内容新增
新增3#，4#镀膜机烘烤温度点检要求
冯浩
15
2011-4-18
内容新增
新增镀膜工艺卡片三洋BD414蓝光偏小AR、正常AR、偏大AR
徐威
16
2011-11-21
文件整合
全部更新 全文
靖泽兵
17
2011-12-30
内容变更
部分内容调整 Page 3.4.7
靖泽兵
18
2012-2-8
内容变更
表单变更 Page28
靖泽兵
19
2012-3-12
内容变更
表单变更 Page28
靖泽兵
20
2012-5-21
内容新增
1. 增加测温时机，时机为停机大于等于24小时后测温。
2. 明确8.2.4中C条处理办法
靖泽兵
21
2012-12-26
内容变更
表单变更 Page28
靖泽兵
22
2013-1-5
内容新增
新增阳极筒更换注意事项 Page16
徐威
23
2013-1-14
内容新增
1.新增清扫注意事项及膜料存放要求 Page3、4
2.新增下伞条件 Page 8
3.新增离子源存放要求 Page 16
4.变更设备清洗流程 Page 13、15、20、22
5.变更配件更换要求 Page 14、21
徐威
24
2013-12-9
应客户要求
增加《产品面别一览表》 Page 29-30
杨莎
25
2014-4-23
内容变更
Sio2加料变更 Page 4
徐威

一、目的
为了规范镀膜作业员镀膜操作，特制定该文件。
二、适用范围
本文件适用于参与镀膜操作的全体人员。
三、设备及辅助材料
3.1 1#：昭和真空镀膜机；
3.2 2#：昭和真空镀膜机；
3.3 3#：莱宝真空镀膜机；
3.4 4#：韩一真空镀膜机；
3.5 5#：现代南光ZZS1100真空镀膜机；
3.6 6#：现代南光ZZS1100真空镀膜机；
3.7其它设备及辅助材料：镀膜材料、吸尘器、铜刷、锤子、镊子、丙酮、口罩、手套。
四、镀膜机制作产品范围
编号
名称
适用产品
4.1
1#昭和镀膜机作业流程
全反、增透膜等
4.2
2#昭和镀膜机作业流程
全反、增透膜等
4.3
3#莱宝镀膜机作业流程
光栅、滤光片、分光、全反、增透膜等
4.4
4#韩一镀膜机作业流程
滤光片、分光、全反、增透膜等
4.5
5#南光镀膜机作业流程
分光、增透膜等
4.6
6#南光镀膜机作业流程
增透膜等
4.7
镀膜产品切换要求
生产中减少产品切换频率

五、镀膜作业内容
后留下一工序
5.1镀膜流程图
OK

NG
报废
产品性能检查

光控、晶控确认
添料
清扫
开机
关机
下伞
进气
镀膜
排气
（抽真空）
上伞

5.2镀膜操作说明

昭和
莱宝
韩一
南光
开机
参考设备部文件
参考设备部文件
参考设备部文件
参考设备部文件
清扫
清扫完毕
清扫电子枪周边防护板
清扫遮料板
清扫洁坩埚周边
清扫支架
清扫镀膜机四周防护板
盖住坩埚
1、 使用工具：铜刷和吸尘器
2、清扫流程：

※ 注意事项：
⑴整个清洁过程中操作人员必须戴口罩、手套；
⑵遮料板每罩清扫，每3罩反射镜更换1次，并拆网喷砂处理。
(3)用铝纸包的护板每5罩反射镜(35罩AR)须更换。
添料
1、添加SiO2时，先将坩埚周围卫生清洁再将烧结成块的SiO2取出，然后加入新的SiO2膜料。添加时，用添料勺一边添加一边压紧，最终添加到膜料与坩埚上边沿齐平即可。
2、添加TiO2时，需将前一次熔出的坑填平。
※ 添加膜料注意相对应坩埚序号，及所需添加的材料名称；
※ 膜料添加完毕后，需将坩埚周边的多余膜料清除干净。

膜料的存放要求：
1、不使用的已熔膜料需放入干燥塔内保存
2、已开启的膜料，0.5KG以内的放1包干燥剂，0.5KG以上的放2包干燥剂。

SiO2 添加图

SiO2 添加后图：

TiO2 添加后图：

1、添加SiO2时，先将烧结成块的SiO2取出，然后加入新的SiO2膜料，添加时，用专用治具一边添加一边压紧（见图示），最终添加到膜料与坩埚上边沿齐平即可。
2、添加Ti3O5时，将前一次熔出的坑填平即可。
3、添加ZrO2时，只需将前次使用的膜料取出，更换成新膜料即可，膜料必须放置到坩埚中心位置。
※ 添加膜料注意相对应坩埚序号，及所需添加的材料名称；
※ 膜料添加完毕后，需将坩埚周边的多余膜料清除干净。

膜料的存放要求：
1、不使用的已熔膜料需放入干燥塔内保存
2、已开启的膜料，0.5KG以内的放1包干燥剂，0.5KG以上的放2包干燥剂。

SiO2 添加图

SiO2 添加后图

SiO2 添加后图：

TiO2 添加后图：

1、添加SiO2时，先将坩埚周围卫生清洁再将烧结成块的SiO2取出，然后加入新的SiO2膜料，添加时，用添料勺一边添加一边压紧（见图示），最终添加到膜料与坩埚上边沿齐平即可。
2、添加TiO2时，将前一次熔出的坑填平即可。
3、添加Si时，添加的膜料需低于坩埚边缘2mm～3mm。
※ 添加膜料注意相对应坩埚序号，及所需添加的材料名称；
※ 膜料添加完毕后，需将坩埚周边的多余膜料清除干净。

膜料的存放要求：
1、不使用的已熔膜料需放入干燥塔内保存
2、已开启的膜料，0.5KG以内的放1包干燥剂，0.5KG以上的放2包干燥剂。

SiO2 添加图

SiO2 添加后图：

TiO2 添加后图：

1、添加SiO2时，先将坩埚周围卫生清洁再将烧结成块的SiO2取出，然后加入新的SiO2膜料，添加时，用专用治具一边添加一边压紧（见图示），最终添加到膜料与坩埚上边沿齐平即可。
2、添加TiO2时，需将前一次熔出的坑填平即可。
3、添加Si时，添加的膜料需低于坩埚边缘2mm～3mm。
※ 添加膜料注意相对应坩埚序号，及所需添加的材料名称；
※ 膜料添加完毕后，需将坩埚周边的多余膜料清除干净。

膜料的存放要求：
1、不使用的已熔膜料需放入干燥塔内保存
2、已开启的膜料，0.5KG以内的放1包干燥剂，0.5KG以上的放2包干燥剂。

SiO2 添加图

SiO2 添加后图：

TiO2 添加后图：

光控、晶控确认
每罩均需更换光控片
1、镀FM时更换20个光控片；
2、镀AR时更换4个光控片。
※ 更换过程中注意保持光控片表面洁净。
※ 更换后需在《镀膜原始数据记录表》中做好更换记录。
使用光控时：每罩均需更换光控片，同时检查晶振寿命值，寿命值＞10时必须更换晶振片；
单独使用晶控时，每罩检查晶振寿命值：
1、镀GT产品时，晶振寿命值＞3时必须更换晶振片；每更换阳极筒时也必须更换晶振片
2、镀除GT以外其它产品时，晶振寿命值＞8时必须更换晶振片；
3、晶振片更换好后，需检查晶振频率是否正常显示，寿命值是否为0，若不是，则需重新更换。
※ 更换过程中注意保持光控/晶控片表面洁净；
※ ※ 更换后需在《镀膜原始数据记录表》中做好更换记录。
使用光控时：每罩镀膜前需检查光控片使用状况，并根据下罩镀膜产品决定是否需要更换光控片（例：光控共40个点，若已用28个点，而下一罩需要用16个点，则28+16=44＞40，故在镀下一罩之前需更换光控片），同时检查晶振寿命值，寿命值＞16时必须更换晶振片；
单独使用晶控时：检查晶振寿命值，寿命值＞10时必须更换晶振片；
晶振片更换好后，需检查晶振频率是否正常显示，寿命值是否为0，若不是，则需重新更换。
※ 更换过程中注意保持光控/晶控片表面洁净；
※ 更换后需在《镀膜原始数据记录表》中做好更换记录。
1、检查晶振片寿命值，寿命值＜96%时，必须更换晶振片。
2、晶振片更换好后，需检查晶振频率是否正常显示，寿命值是否≥98%，若不是，则需重新更换。
※ 更换过程中注意保持光控/晶控片表面洁净；
※ 更换后需在《镀膜原始数据记录表》中做好更换记录。
上伞
将装好镜片的伞架放置到镀膜机工件架上，并确认是否放置到位。
※ 上伞时应避免手或袖口等碰触镜片，造成镜片脏污。
将装好镜片的伞架放置到镀膜机工件架上，并确认是否放置到位。
※ 上伞时应避免手或袖口等碰触镜片，造成镜片脏污。
将装好镜片的伞架放置到镀膜机工件架上，并确认是否放置到位。
※ 上伞时应避免手或袖口等碰触镜片，造成镜片脏污。
参考《镀膜装取片作业指导书》GL/WI-RD-13-02
排气
（抽真空）
1、用无尘布擦拭密封圈和门边沿，以防脏污影响抽真空速度；
2、关闭真空室门，点击面版上的“排气开始”键,进入自动排气、加热状态。
※ 记录开始排气的时间点
3、检查镀膜机自动运行状态：“Power Supply”是否保持“ON”状态。
1、用无尘布擦拭密封圈和门边沿，以防脏污影响抽真空速度；
2、关真空室门，按VENT键(关放气阀)，设备即进入抽真空状态。
※ 记录开始排气的时间点
1、用无尘布擦拭密封圈和门边沿，以防脏污影响抽真空速度；
2、关闭真空室门，按一下“RUN”键，设备进入自动排气、加热状态。
※ 记录开始排气的时间点
3、检查自动运行的几个AUTO开关状态：ROTATION，POCKET，SHUTTER，HEATER，APC（RVC300；充氧需要），电子枪、加热是否均为EXT模式。
※ 熔Si时需手动熔料
1、用无尘布擦拭密封圈和门边沿，以防脏污影响抽真空速度；
2、关闭真空室门，同时开烘烤，进入排气状态。
※ 记录开始排气的时间点
※ 在抽真空同时要如实记录抽真空时间。
3、预熔膜料
※ SiO2膜料不需要预熔。
镀膜
镀膜制程文件选择：镀膜机电脑操作软件界面中依次选择：“成膜实行” →“镀膜条件名选择”（根据产品制造单产品名称选择镀膜制程文件，如：FM-23I81选择制程文件“M-23I81” ）→“成膜开始”，则设备进入自动运行状态。
※ 在整个自动过程中，注意调整电子束光斑的位置和大小。
※ 镀膜过程中需观察光控曲线极值点走势是否正常，进氧是否正常,真空度是否稳定,若不正常则需在《镀膜原始数据记录表》中记录异常状况。
1、按STEP键、再按8键，检查程序编辑是否正确。
2、按STEP键，再按7键，检查所镀膜系是否正确。
3、按AUTO键、 START键，则设备进入自动运行状态。
※ 在整个自动过程中，注意调整电子束光斑的位置和大小。
※ 镀膜过程中需观察监控速率是否稳定，束流是否正常，进氧是否正常,真空度是否稳定,若不稳定则需在《镀膜原始数据记录表》中记录异常状况。
检查镀膜程序调用是否正确，若确认无误，单击HOPE程序界面中绿色START键，则设备进入自动运行状态。
※ 在整个自动过程中，注意调整电子束光斑的位置和大小。
※ 镀膜过程中需观察监控速率是否稳定，束流是否正常，进氧是否正常,真空度是否稳定,若不稳定则需在《镀膜原始数据记录表》中记录异常状况。
1、当真空度达到3.0E-3Pa且抽真空时间达到2小时时可进行镀膜；
2、镀膜前确认所镀产品型号，寻找该产品的镀膜程序，并根据程序规定进行镀膜。
3、镀膜完成后关闭烘烤保持高真空5分钟后关闭高阀。
※ 镀膜时同种膜料的光斑放置位置要一致，光斑扫描大小要一致。
※ 电子枪电流调节不可忽大忽小，时常使用的电流调节位置做好标记，以便下次使用时参考。
※ Si膜料镀完后要将坩埚中的膜料突起熔平才能旋转坩埚，以免坩埚卡住。
※ 当镀膜过程中发现膜料喷溅时，需及时关闭蒸发挡板，并记录此时晶振所显示的厚度值，待膜料预溶至无喷溅现象时方可继续镀膜。
※ 镀膜过程中需观察监控速率是否稳定，束流是否正常，进氧是否正常,真空度是否稳定,若不稳定则需在《镀膜原始数据记录表》中记录异常状况
进气
1、镀膜完成后，镀膜机触膜屏控制面板上“排气系”界面自动进入 “大气”状态。
2、若需手动放气，在镀膜机触膜屏控制面板上“排气系”界面选择“手动” →关闭“MV1\MV2” →（Polycold开始除霜，35℃时除霜完成）→点击“W\SW”（开始进气）。
※ 开门时间点需记录到《镀膜原始数据记录表》中。
1、镀膜完成后等待腔体门自动打开；
2、若需手动放气，则按下VACUUM SELECT菜单中放气阀VENT键。
※ 开门时间点需记录到《镀膜原始数据记录表》中。
1、 镀膜完成后，镀膜机将按以下顺序动作：MV OFF（设定时间），HEATER OFF（设定时间），ROTAT10N OFF 冷却结束（设定时间），LV开，充气，开门。
2、若需手动放气，则待POLYCOLD除霜结束后按下白色VENT键等待自动开门。
※ 开门时间点需记录到《镀膜原始数据记录表》中。
温度降至220℃后打开放气阀待真空室门自动打开。
※ 开门时间点需记录到《镀膜原始数据记录表》中。
下伞
将伞架从镀膜机工件架上取下，放置到净化工作台中。
※ 下伞时需带石棉网手套，避免烫伤；
※ 下伞时应避免手或袖口等碰触镜片，造成镜片脏污。
将伞架从镀膜机工件架上取下，放置到净化工作台中。
※ 下伞时需带石棉网手套，避免烫伤；
※ 下伞时应避免手或袖口等碰触镜片，造成镜片脏污。
将伞架从镀膜机工件架上取下，放置到净化工作台中。
※ 下伞时需带石棉网手套，避免烫伤；
※ 下伞时应避免手或袖口等碰触镜片，造成镜片脏污。

参考《镀膜装取片作业指导书》GL/WI-RD-13-02
※
1.当车间温度低于22℃时，每罩产品镀完膜后等温度降至200℃以下开进气阀，开门后等温度降至50℃以下取伞。
2.当车间温度高于22℃时，按照原工艺进行生产。
机
参考设备部文件
参考设备部文件
参考设备部文件
参考设备部文件
5.3镀膜后自检
5.3.1光学性能检查：
A. 镜片冷却至常温后，取1、3、5圈各一片，测试光学性能（见测试清单），并按镀膜批号保存好镀膜曲线；
B. 光栅产品冷却至常温后，每圈伞片边缘各取一片，去胶并测试衍射比值；
C. 若测试光学性能OK，则将测试片归还到吸塑盒中原位置后，将测试曲线与对应产品一同后流品质抽检；
D. 若测试光学性能NG，则及时通知当班组长，当班组长若能自行调整则调整后再知会项目负责人，若不能自行调整则第一时间通知产品负责人，待产品负责人制定调整方案后再做调整，调整状况均需详细记录到《镀膜原始数据记录表》中。
5.3.2外观检查：
A. 每罩取测试了光学性能的3片产品进行外观检查；
B. 检查方式：置于强光灯下，目视检查；
C. 检查项目：麻点、喷点、雾状、手指印、水渍等；
D. 处理方法：3片中只要发现有1片不良，及需上报当班组长，由组长确认是否可继续生产，当组长不能判定时，需上报项目负责人，由项目负责人确定是否可继续生产，同时项目负责人需制定改善方案。
六、膜料更换及使用
6.1膜料更换
膜料名称
SiO2
Si
TiO2 Ti3O5 Ta2O5
Nb2O5 Al2O3 H4
M1
常规
更换周期
每次洗设备后更换
≤15天（15天为蒸着使用时间）
≤15天（15天为蒸着使用时间）
≤20天（(20天为蒸着使用时间)
更换流程
添加新膜料
酒精擦拭
清水冲洗
坩埚
喷砂
将坩埚中的膜料敲出
投入生产
镀膜过程中膜料污染
达到规定使用天数
熔料
有杂质或严重污染
局部小面积污染
将污染的膜料敲出
添加新料

※ 高折射率材料熔料遵循先大光点将膜料颗粒熔化,再中光点进行小范围熔(光点控制成小圆圈路线),最后小光点大面积的扫描(整个坩埚内全部扫描到,使药品得到充分的溶化)的原则；
※ 熔料次数≥2次，手动熔料电流控制见附件。
※ 低折射率材料不需要进行熔料。
※ 更换膜料后需将更换信息记录到《镀膜原始数据记录表》中。
备注

※ 此药品属于使用量比较小的药品,在平时使用过程中选择小瓶盛装拿起使用,原装的大瓶膜料放入干燥箱中保管.

※ 此药品属于使用量比较小的药品,在平时使用过程中选择小瓶盛装拿起使用,原装的大瓶膜料放入干燥箱中保管.
6.2熔料
6.2.1昭和、莱宝镀膜机都是设备自动熔料；
6.2.2 韩一镀膜机熔料
当真空达到8.0E-5Torr时进行Si材料预熔，预熔前先将电子枪2调到手动状态并开启电子枪及高压电源，将扫描X、Y分别调整到6慢慢加大束流至100mA等待60s再慢慢加到200mA等待90s这时Si已慢慢熔化，在降束流将至150mA并将扫描X、Y调整到0等待60s，再慢慢加到250mA等待90s，再慢慢加到350mA等待90s，再慢慢加到450mA等待30s，将扫描X、Y分别调整到10并慢慢降束流至200mA等待20s, 再慢慢降束流至100mA等待20s，再慢慢降束流至50mA等待20s，再将束流慢慢降到0扫描X、Y分别调整为0，关闭电子枪将其调到自动状态。
熔料曲线：
Tio2/M1
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
100
200
300
400
500
600
700

6.2.3 南光镀膜机熔料：
当真空计显示为5.0E-3时,方可预熔膜料。
将工转电压调至100V,熔料，开电子枪灯丝, 调节遥控盒上束流使电流表2显示为0.5A预热5分钟，（若用电子枪Ⅰ,则把电子枪选择开关指向枪Ⅰ），开扫描电源, 开高压, 慢慢加大束流,注意观察真空室内光斑的位置, 不断调节X,Y扫描移动光斑,在坩埚的位置,使膜料均匀预熔, 当束流达到规定值,膜料预熔放气,直到真空计显示放气量只降不升时,再把光斑放到坩埚中间烧1分钟左右,关电子枪束流,关预置。
※ 熔Al2O3时将X扫描加一圈Y扫描加半圈
熔料曲线：

七、设备清洗
7.1昭和镀膜机清洗
7.1.1清洗周期
A. 镀FM时：3天/周期(≤15罩FM)；
B. 镀AR时：7天/周期(≤105罩AR)；
C. FM+AR的混合生产时，先安排生产FM,后生产AR,更换周期不超过105罩AR(1罩FM=7罩AR).
拆卸坩埚周围盖板
7.1.2清洗流程图

放置到干燥柜中
取出镀膜机内坩埚

送喷砂房喷砂
包铝纸的护板需更换新的铝纸

清水冲洗干净
拆卸真空室内的底板、左右护板、伞架、挡板、电子枪护板

清洁加热管边缘，工件架边缘，机内侧壁沉积膜料

用铜刷或刮刀

用酒精擦拭
用吸尘器将粉尘吸除用铝纸将电子枪盖好
清洁电子枪周边

吸除镀膜机内掉落的膜料及粉尘

用酒精擦拭
擦拭扩散泵上方真空室、POLYCOLD管道及真空室内壁

用酒精浸泡并擦拭
用1000#砂纸打磨
清洁电子枪体

更换枪灯丝

安装电子枪、电子枪护板、真空室内的底板、左右护板及挡板

排气测试

护板清洗要求：拆卸人员与喷砂人员共同填写《昭和镀膜机清洗交接表》。
排气要求：温度设定300℃，抽真空1小时，并试枪空镀5-10分钟。

7.1.3配件更换
A、电子枪灯丝更换
l 1#电子枪灯丝更换周期：25天/周期(25天为镀膜机工作时间)；
l 2#电子枪灯丝更换周期：每次清洗机台时更换。
l 在生产周期内出现电子枪灯丝打火或枪灯丝烧断情况时可更换枪灯丝,。
l 更换新的枪灯丝后要预热10分钟以上。
l 更换下的枪灯丝须贴上小标签，并在小标签上注明更换时间、人及几号电子枪.
注：作业员更换枪灯丝时组长需监督确认，并在《镀膜原始数据记录表》中记录更换信息,以便在下次清洗设备时由组长判定是否再次更换枪灯丝.

B、光控片更换
l 1镀FM时安装全部的光控片(20个）；
l 镀AR时安装4个光控片。
注：
1、 更换光控片时，需保持光控片表面清洁；
2、 更换光控片后需在《镀膜原始数据记录表》中记录更换信息；
3、 更换后的光控片统一放置保管，积攒到一定数量后由采购部门统一外发返工抛光后再次利用。
4.更换套铜时须对应放置，换下的套铜放置于夹具中。
4、

C、光控灯泡更换
l 更换周期：7天/周期（7天为工作时间）
l 更换周期内如果发现光信号发生波动较大时或出现极值点偏差时，则当即更换光控灯泡。
注：更换光控灯泡后需在《镀膜原始数据记录表》中记录更换信息；

7.2莱宝镀膜机清洗
7.2.1清洗周期
A、整个清洗周期，只能镀AR产品100罩，镀其他产品需做折算：
l 1罩光栅增透=1罩AR；
l 1罩光栅=0.25罩AR；
l 1罩G2K=3罩AR
B、若需镀光栅，必须在设备清洗后优先镀，且只能镀108罩，再镀只能镀光栅以外产品。

7.2.2清洗流程图
护板清洗要求：拆卸人员与喷砂人员共同填写《莱宝镀膜机清洗交接表》。
排气要求：温度设定280℃，排气（抽真空）一小时，并试枪及离子源空镀5-10分钟
将管道内水排出
盖上离子源盖板
拆卸坩埚周围盖板
取出镀膜机内坩埚
拆卸真空室内的底板、左右护板、伞架、挡板
送喷砂房喷砂
用酒精擦拭
清洁烘烤盘边缘，加热管边缘，工件架边缘沉积膜料
用铜刷或刮刀
吸除掉落的膜料及粉尘
擦拭扩散泵上方真空室、POLYCOLD管道及护板
用酒精擦拭
安装4块通水护板
安装其他护板
清洁电子枪体
用1000#砂纸打磨
用酒精浸泡并擦拭
更换枪灯丝
排气测试
放置到干燥柜中
清水冲洗干净
清洁电子枪周边
用吸尘器将粉尘吸除用铝纸将电子枪盖好
通水测试
（先通热水后通冷水）

7.2.3配件更换
A、电子枪灯丝更换
l 以GT计算，当枪灯丝使用值为400时，需洗枪，换枪灯丝。
l 在生产周期内出现电子枪灯丝打火或枪灯丝烧断情况时可更换枪灯丝,。
注：1、当镀一罩GT时枪1使用值加1，枪2加0；
2、当镀一罩AR时，枪1使用值加1，枪2加4；
3、作业员更换枪灯丝时组长需监督确认，并在《镀膜原始数据记录表》中记录更换信息,以便在下次清洗设备时由组长判定是否再次更换枪灯丝.
l 更换新的枪灯丝后要预热10分钟以上。

B、晶振片更换
l 镀GT产品时，晶振寿命值＞3时必须更换晶振片；
l 镀除GT以外其它产品时，晶振寿命值＞8时必须更换晶振片；
l 光控控制时，晶振寿命值＞10时必须更换晶振片；
l 每更换阳极筒时也必须更换晶振片；
l 当发现镀膜速率不稳时及时更换晶振片；
注：1、更换晶振片时，需保持晶振片表面清洁；
2、 更换晶控片后需在《镀膜原始数据记录表》中记录更换信息；
l 装好后，检查晶振频率是否正常显示，寿命值是否为0。

C、阳极筒更换
l 以GT计算，镀7罩GT后需要更换阳极筒；
l 以AR计算，镀15罩AR后需要更换阳极筒；
l 超过一个12小时未用时也应该更换阳极筒；
注：1、更阳极筒后需在《镀膜原始数据记录表》中记录更换信息；
2、 镀光栅时要求离子源功率DP控制在5.0±0.1。（通过调整BV值控制）
l 从其它产品转镀光栅产品时，需要更换阳极筒。

D、离子源清洁及存放
l 更换硼化镧后，使用时间≤48小时时，每更换阳极筒时都需清洁一次离子源；
使用时间＞48小时时，每更换2次阳极筒时清洁一次离子源。
l 当离子源陶瓷环若出现明显破损，需更换。
l 当离子源不使用时须加盖盖好，使用时须将盖取出。
l 当镀膜机开门时间>2小时则须将离子源取出放入干燥柜中存放。
E、硼化镧与加热器更换
l 使用时间＞250H时，需更换硼化镧与加热器；

l 更换后需计时归零，同时将时间计时器设定为250H。
F、石墨加热器及硼化镧的预使用及硼化镧“消毒
l 石墨加热器的预热
当更换新的石墨加热器时，需对加热器和硼化镧进行预热除气的操作，具体步骤如下：
=>按照操作指南安装新部件
=>关上真空室门并在“idle”状态下抽真空至3.0E-5mbar
=>通冷水，在APS控制面板MENU 6菜单中设置以下参数：
Operating mode local
HEATER CURRENT 30A
HEATER POWER 0KW
=>按下“HEATER”按钮，等待加热器的预热时间完成。
=>改变HEATER CURRENT(加热器电流)到40A并等待预热时间完成。
=>按照每次10A逐渐增加HEATER CURRNET至100A，每一步都需等待预热时间完成。
=>按照每次20A逐渐增加HEATER CURRNET至200A，每一步都需等待预热时间完成。
=>将HEATER POWER（加热器功率）设置为1.8kw并等待预热时间完成。
完成以上步骤后，加热器的参数已设置为正常工作时的状态。
l 硼化镧的预热
=>将离子源设置为LOCAL模式
=>按下“HEATER”，等待加热器加热完毕。(在约500S)
=>在MENU3菜单将32号离子源中设置为以下参数
Coil current 0.5A
APS shutter delay time 0sec
Discharge pre-current 10A
Discharge pre-time 0sec
Bias voltage 0V
Discharge idle current 0A
Gas 1 start flow 10sccm
Gas 1 trigger delay 0sec
Gas 1 ramp time 0sec
Gas 1 end flow 10sccm
=>按下“SOURCE”
点火程序和适应阶段将在到达设定的参数之前自动运行。

在开始阶段，DISCHARGE VOLTAGE将比BIAS VOLTAGE要高，（在MENU1菜单中查看当前值）
=>每次10A增加DISCHARGE CURRENT到30A。（在MENU2菜单中更改）
注：每一步都需等待几分钟直到离子源稳定（放电电压缓慢减小）。

=>减小GAS 1 FLOW 到8sccm。
=>增加DISCHARGE CURRENT 到40A。
=>增加COIL CURRENT到1.00A
注：现在DISCHARGE VOLTAGE 应该比BIAS VOLTAGE要低。

=>将BIAS VOLTAGE设定为120V以启动偏压控制，此时DISCHARGE VOLTAGE应该近似为90-100V。让APS以此状态运行至少20-30分钟
=>依次按下SOURCE 和HEATER关闭离子源和加热器。
l 硼化镧“消毒”
当硼化镧表面被氧化时，称为“中毒”，其外在表现为硼化镧表面变为土黄色，此时需对其进行“消毒”除气操作。消毒原理是硼化镧表面在氩离子环境中再生。
具体操作如下：
1）清洁
用莱宝专用工具将阳极桶取出并更换，将离子源加热器、硼化镧及其附件取出进
行清洁，后安装到位。
2）关上真空室门抽真空至2.0E-5mbar。
3）按HEATER键，启动离子源加热器并自动等待300秒。
4）按MENU键、3键，进入离子源参数设置，并设置SET30，如下；
COIL CURRENT 0.5 A
DISCHARGE PRE CURRENT 10 A
DISCHARGE PRE TIME 10s
DISCHARGE CURRENT 10A
BIAS VOLTAGE 0.0 V
DISCHARGE IDLE CURRENT 10A
GAS 1 GAS 2
GAS START FLOW /sccm 20 0
GAS END FLOW /sccm 20 0
5）按SOURCE键，启动离子源
=>当离子源第一次点火后DISCHARGE PRE CURRENT（放电电流）可能小于10A并且离子束可能会闪烁。如果在离子源内部产生电弧，则可能触发低压保护而关闭离子源，同时会出现F：DISCHARGE VOLTAGE的报警提示。
=>按下“ACKN”键消除报警。
=>重新启动离子源直到在此条件下有稳定的放电电压。
=>按照一定的增量逐渐增加参数的数值。如下表

6）
7）
8）
9）
COIL CURRENT
0.5A
1.0A
1.5A
2.0A
DISCHARGE PRE CUN