元器件降额标准参考.doc

元器件降额准则（参考件）
元器件种类
降额参数
降额等级
Ⅰ
Ⅱ
Ⅲ
集成电路
模拟电路
放大器
电源电压
0.70
0.80
0.80
输入电压
0.60
0.70
0.70
输出电流
0.70
0.80
0.80
功率
0.70
0.75
0.80
最高结温（℃）
80
95
105
比较器
电源电压
0.70
0.80
0.80
输入电压
0.70
0.80
0.80
输出电流
0.70
0.80
0.80
功率
0.70
0.75
0.80
最高结温（℃）
80
95
105
电 压调整器
电源电压
0.70
0.80
0.80
输入电压
0.70
0.80
0.80
输出输入电压差
0.70
0.80
0.85
输出电流
0.70
0.75
0.80
功率
0.70
0.75
0.80
最高结温（℃）
80
95
105
模拟开关
电源电压
0.70
0.80
0.85
输入电压
0.80
0.85
0.90
输出电流
0.75
0.80
0.85
功率
0.70
0.75
0.80
最高结温（℃）
80
95
105
数字电路
双极型 电路
频率
0.80
0.90
0.90
输出电流
0.80
0.90
0.90
最高结温（℃）
85
100
115
MOS型电路
电源电压
0.70
0.80
0.80
输出电流
0.80
0.90
0.90
功率
0.80
0.80
0.90
最高结温（℃）
85
100
115
混和集成电路
厚模集成电路（W/cm2）
7.5
薄模集成电路（W/cm2）
6.5
最高结温（℃）
85
100
115
大规模集成电路
最高结温（℃）
改善散热方式减少结温
分离半导体器件
晶体管
方向
电压
一般晶体管
0.60
0.70
0.80
功率MOSFET的栅源电压
0.50
0.60
0.70
电流
0.60
0.70
0.80
功率
0.50
0.65
0.75
功率管安全工作区
集电极－发射极电压
0.70
0.80
0.90
集电极最大允许电流
0.60
0.70
0.80
最高结温
Tjm（℃）
200
115
140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
微波晶体管
最高结温
同晶体管
二极管（基准管除外）
电压（不合用于稳压管）
0.60
0.70
0.80
电流
0.50
0.65
0.80
功率
0.50
0.65
0.80
最高结温
Tjm（℃）
200
115
140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
微波二极管
最高结温
同二极管
基准二极管
可控硅/半导体光电器件
电压
0.60
0.70
0.80
电流
0.50
0.65
0.80
最高结温
Tjm（℃）
200
115
140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
固定电阻器
合成型电阻器
电压
0.75
0.75
0.75
功率
0.50
0.60
0.70
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
薄膜型电阻器
电压
0.75
0.75
0.75
功率
0.50
0.60
0.70
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
电阻网络
电压
0.75
0.75
0.75
功率
0.50
0.60
0.70
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
线绕电阻
电压
0.75
0.75
0.75
功率
精密型
0.25
0.45
0.60
功率型
0.50
0.60
0.70
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
电位器
非线绕电位器
电压
0.75
0.75
0.75
功率
合成、薄膜微调
0.30
0.45
0.60
精密塑料型
不采用
0.50
0.50
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
线绕电位器
电压
0.75
0.75
0.75
功率
普通型
0.30
0.45
0.50
非密封功率型
－
－
0.70
微调线绕型
0.30
0.45
0.50
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
热敏电阻器
功率
0.50
0.50
0.50
最高环境温度（℃）
TAM-15
TAM-15
TAM-15
电容器
固定玻璃釉型
直流工作电压
0.50
0.60
0.70
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-10
TAM-10
TAM-10
固定云母型
直流工作电压
0.50
0.60
0.70
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-10
TAM-10
TAM-10
固定陶瓷型
直流工作电压
0.50
0.60
0.70
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-10
TAM-10
TAM-10
固定纸/塑料薄膜
直流工作电压
0.50
0.60
0.70
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-10
TAM-10
TAM-10
电解电容器
铝电解
直流工作电压
－
－
0.75
最高额定环境温度TAM（℃）
－
－
TAM-20
钽电解
直流工作电压
0.50
0.60
0.70
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-20
TAM-20
TAM-20
微调电容器
直流工作电压
0.30~0.40
0.50
0.50
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-10
TAM-10
TAM-10
电感元件
热点温度THS（℃）(简写T)
T-40~25
T-25~10
T-15~0
工作电流
0.60~0.70
0.60~0.70
0.60~0.70
瞬间电压/电流
0.9
0.9
0.9
介质耐压
0.5~0.6
0.5~0.6
0.5~0.6
扼流圈工作电压
0.7
0.7
0.7
继电器
连续触点电流
小功率负荷（＜100mW）
不降额
电阻负载
0.50
0.75
0.90
电容负载（最大浪涌电流）
0.50
0.75
0.90
电感负载
电感额定电流的
0.50
0.75
0.90
电阻额定电流的
0.35
0.40
0.75
电机负载
电机额定电流的
0.50
0.75
0.90
电阻额定电流的
0.15
0.20
0.35
灯丝负载
灯泡额定电流的
0.50
0.75
0.90
电阻额定电流的
0.07~0.08
0.10
0.30
触点功率（用于舌簧水银式）
0.40
0.50
0.70
线圈吸合电压
最小维持电压
0.90
0.90
0.90
最小线圈电压
1.10
1.10
1.10
线圈释放电压
最大允许值
1.10
1.10
1.10
最小允许值
0.90
0.90
0.90
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-20
TAM-20
TAM-20
振动极限
0.60
0.60
0.60
工作寿命（循环次数）
0.50

开关
连续触点电流
小功率负荷（＜100mW）
不降额
电阻负载
0.50
0.75
0.90
电容负载（电阻额定电流的）
0.50
0.75
0.90
电感负载
电感额定电流的
0.50
0.75
0.90
电阻额定电流的
0.35
0.40
0.75
电机负载
电机额定电流的
0.50
0.75
0.90
电阻额定电流的
0.15
0.20
0.35
灯丝负载
灯泡额定电流的
0.50
0.75
0.90
电阻额定电流的
0.07~0.08
0.10
0.15
触点电压
0.40
0.50
0.70
触点功率
0.40
0.50
0.70
连接器
工作电压
0.50
0.70
0.80
工作电流
0.50
0.70
0.80
最高接触对额定温度TM（℃）
TM-40
TM-20
TM-15
电机
最高工作温度（℃）
T-40
T-20
T-15
最低极限（℃）
0
0
0
轴承载荷额定值
0.75
0.90
0.90
灯泡
白炽灯
工作电压（如可行）
0.94
0.94
0.94
氖/氩灯
工作电压（如可行）
0.94
0.94
0.94
电路断路器
电流
阻性负载
0.75
0.75
0.90
容性负载
0.75
0.75
0.90
感性负载
0.40
0.40
0.50
电机负载
0.20
0.20
0.35
灯丝负载
0.10
0.10
0.15
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-20
保险丝
电流额定值
＞0.5A
0.45~0.5
0.45~0.5
0.45~0.5
≤0.5A
0.2~0.4
0.2~0.4
0.2~0.4
T＞25℃时，增长降额1/℃
0.005
0.005
0.005
晶体
最低温度（℃）
TL+10
TL+10
TL+10
最高温度（℃）
TU-10
TU-10
TU-10
微波管
最高额定环境温度（℃）
TAM-20
TAM-20
TAM-20
输出功率
0.80
0.80
0.80
反射功率
0.50
0.50
0.50
占空比
0.75
0.75
0.75
声表面波器件
输入功率（f＞100MHz）
减少+10dBm
输入功率（f＜100MHz＝
减少+20dBm
纤维光学器件
光纤光源
峰值光输出功率
0.50（合用于ILD）
电流
0.50（合用于ILD）
结温
设法减少
光纤探测器
PIN反向压降
0.60
结温
设法减少
光纤与光缆
温度
上限额定值－20；下限额定值+20
张力
光纤
耐拉实验的0.20
光缆
拉伸额定值的0.50
弯曲半径
最小允许值的0.20
核辐射
按产品具体规范降额或加固
导线与电缆
最大应用电压
最大绝缘电压规定值的0.50
最大应用电流（A）
线规AVG
30/28/26/24/22/20/18/16
单根导线电流ISV
1.3/1.8/2.5/3.3/4.5/6.5/9.2/13.0
线规AVG
14/12/10/8/6/4
单根导线电流ISV
17.0/23.0/33.0/44.0/60.0/81.0

双极型数字电路降额准则
降额参数
降额等级
Ⅰ
Ⅱ
Ⅲ
电源电容容限
±3％
±5％
见技术条件
频率
0.80
0.90
0.95
输出电流
0.80
0.90
0.90
最高结温（C）
85
100
115

HP电压降额标准
器件型号
正常状态
最差状态
电阻
峰值电压(%)
功率 (%)
温度
峰值电压(%)
功率 (%)
温度
碳膜、金属膜
50
50

PCB的标准焊接温度
£ 85° C
50
80

PCB的标准焊接温度
£ 100° C

³ 100 Kohm
£1/4 W
1/2 W
50
50
50
80
³ 1 W
40
50
40
80

< 100 Kohm
£1/4 W
80
50
80
80
1/2 W
80
50
80
80
1 W
80
60
80
80
³ 2 W
80
50
80
60
玻璃釉电阻

70
60
压敏电阻
80
50
80
80
不同功率下的峰值电压：1/6 W-200（150）V；1/4 W-250V；1/2 W-350 V；1W-350 V；2W-350V；3W-500 V；5W-500V
器件型号
Isteady (%)
Im (%)
Isteady (%)
Im (%)
NTC-电阻

PTC-电阻

80
80
电容
V DC (%)
V CP (%)
V peak (%)
I rms
(%)
I p-p (%)
Temp (%)
V DC (%)
V CP (%)
V peak (%)
I rms
(%)
I p-p (%)
Temp (%)
薄膜电容

85

85
PE
MPE

90

85
MPP

85

85
85
Ceramic fixed
陶瓷电容

75

80

90

90
Electrolytic
(85° C, 2023 h)
80

80
85

60
90

95
90

70
Electrolytic
(105° C, 2023 h)
80

80
90

60
90

95
90

70

Component Typ
Normal Case
Worst Case
Inductors
Core Temp (°C)
Core Temp (%)
Core Temp (°C)
Core Temp (%)
Choke Coil

80
Transformer
Semiconductors
Tj min. = 150°C
Note: Tj to Tcase has to be calculated for verification in any case
Diode
Vrm (%)
Io (%)
I fsm (%)
Tcase (°C)
Vrm (%)
Io (%)
I fsm (%)
Tcase (°C)

90
50
70
90
Zener Diode
Pd (%)
Iz (%)
IFM (%)
Tcase (°C)
Pd (%)
Iz (%)
IFM (%)
Tcase (°C)

50
50
80
90
Damp/Modulation Diode

Vrm (%)
Io (%)
I fsm (%)
Tcase (°C)

90
50
70
90
Transistors
Vce (%)
Veb (%)
IC (%)
Tcase (°C
Vce (%)
Veb (%)
IC (%)
Tcase (°C
85
85
85

85
85
85
90
MOSFET
Vpss (%)
Ip (%)
IDM (%)
VGS (%)
Vpss (%)
Ip (%)
IDM (%)
VGS (%)
85
80
80
85
90
85
80
85
IC
Vpeak (%)
Pd (%)
Tcase (°C)
Vpeak (%)
Pd (%)
Tcase (°C)
80
80
90
85
80
90
PCB ( Solder Temp)
£ 85°C
£ 100°C
Special Parts
Vpeak (%)
Irms (%)
Tcase (°C)
Vpeak (%)
Irms (%)
Tcase (°C)
Switch Power
MOSFET
85

90
85

100
DC-DC booster
MOSFET
DC- DC booster
rectifier
Hor.- output

器件型号
Normal Case
Worst Case
Special Parts
Vpeak (%)
Irms (%)
Tcase (%)
Vpeak (%)
Irms (%)
Tcase (%)
H-Driver/Vertical
行场驱动
80
80
75
85
80
80