模拟电子技术试卷及答案[1].doc

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《模拟电子技术》试卷

一.填空题(每空1分,共30分)
1．P型半导体掺入 三 价元素，多子是 自由电子 ，少子是 空穴 。
2．PN结主要特性是具有单向导电性 ，即正 导通，反向 截止 。

3．三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置，集电结 反向偏置 。
4．在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的 放大 区；在数字电路中三极管一般工作在 截止 区或 饱和 区，此时也称它工作在 开关 状态。
5．幅度失真和相位失真统称为 频率 失真，它属于 线性 失真。
6．功率放大电路的主要作用是 向负载上提供足够大的输出功率 ， 乙类 功率放大电路的效率最高。
7．放大电路中为了稳定静态工作点，应引入 a （a.直流负反馈，b.交流负反馈）。
8．三极管串联型稳压电路由 取样电路 、 基准电路 、 比较电路 和 调整电路 四大环节组成。
9．分压式偏置电路具有 稳定静态工作点 作用，其原理是构成 电压串联 负反馈。
10．集成运算放大器是 直接 耦合放大电路。集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反相输入 端，前者的极性与输出端 同相 ；后者的极性同输出端 反相 。
11．根据MOS管导电沟道的类型，可分为 PMOS 和 NMOS 型。

二、单项选择题（每题2分，共20分，将答案填在下表中）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
C
D
A
B

1．常温下，硅二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V；锗二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V。C
A) 0.3，0.5，0.5，0.7 B) 0.5，0.7，0.3，0.5
C) 0.5，0.7，0.1，0.2 D) 0.3，0.5，0.1，0.2
2．下图中的3种特性曲线，依次属于哪种场效应管？正确的说法是（ D ）

A) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET
B) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道耗尽型
C) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET
D) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET； N沟道结型
3．在共射基本放大电路中，当β一定时，在一定范围内增大IE，电压放大倍数将（ A）
A) 增加 B) 减小
C) 不变 D) 不能确定
4．如图所示差分放大电路中，为提高抑制零点漂移的能力，试问采用下列（ B ）措施好。
A) 提高电源电压 B) 采用恒流源差分电路
C) 减小工作点电流 D) 加大RC
 窗体顶端

5．功率放大电路按（ A ）原则分为甲类，甲乙类和乙类三种类型。
A) 按三极管的导通角不同 B) 按电路的最大输出功率不同
C) 按所用三极管的类型不同 D) 按放大电路的负载性质不同
6．理想集成运算放大器的放大倍数Au，输入电阻Ri，输出电阻Ro分别为（ C ）
A) ¥，0，¥ B) 0，¥，¥ C) ¥，¥，0 D) 0，¥，0
7．正弦波振荡电路的起振条件是（ B ）。
A) ； B)  ；
C) ； D) ；
8．共模抑制比KCMR是（ D ）
A) 输入差模信号与共模信号之比的绝对值
B) 输入共模信号与差模信号之比的绝对值
C) 输出交流信号与输出直流信号之比的绝对值
D) 差模放大倍数与共模放大倍数之比的绝对值
9．下列说法中正确的是（ D ）
A) 任何放大电路都有功率放大作用
B) 只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真
C) 若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈
D) 若放大电路引入电压负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变
10．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（B ）。
A) 耦合电容和旁路电容的存在
B) 半导体管极间电容和分布电容的存在
C) 半导体管的非线性特性
D) 静态工作点不合适

三．（8分）计算下图放大器的静态工作点及电压放大倍数，已知Ucc=12V，Rb1=20K，Rb2=10K，Re=2K ,Rc=2K，RL=6K，β=40,rbe=1K。

四．（6分）设硅稳压管D1和D2的稳定电压分别为5V和10V，正向压降均为0.7V，求：

①稳压管接法如图，求输出电压。
②若两只稳压管方向均相反，求。
③若D1方向不变，D2方向相反，求。

五．（9分）下图中三极管均为硅管，RB和RC的电阻值选取合适，从偏置情况分析判断下图中各三极管的工作状态。

（1） （2） （3）

六、（9分）设图中的运算放大器都是理想的，试写出uo1、uo2和uo的表达式。

七．(10分)计算下图二级放大器的电压放大倍数，输入、输出电阻。已知：Rb1 = Rb2 = 280K，Rc1 = Rc2 = 3K，RL = 3K，UCC = 12V，β= 50，rbe1 = rbe2 = 950Ω。

八．（8分）在图示的单相桥式整流电路中，分析：
①如果VD3接反，则会出现什么现象?
②如果VD3被开路, 则会出现什么现象?

《模拟电子技术》试卷答案

一.填空题(每空1分,共30分)
1．P型半导体掺入 3 价元素，多子是 自由电子 ，少子是 空穴 。
2．PN结主要特性是 单向导电性 ，即正向 导通 ，反向 截止 。
3．三极管工作在放大状态的外部条件是发射结 正偏 ，集电结 反偏 。
4．在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的 放大 区；在数字电路中三极管一般工作在 饱和 区或 截止 区，此时也称它工作在 开关 状态。
5．幅度失真和相位失真统称为 频率 失真，它属于 线性 失真。
6．功率放大电路的主要作用是 向负载提供足够大的输出功率 ， 乙类 功率放大电路的效率最高。
7．放大电路中为了稳定静态工作点，应引入 a （a.直流负反馈，b.交流负反馈）。
8．三极管串联型稳压电路由 取样电路 、 基准电压 、 比较电路
和 调整电路 四大环节组成。
9．分压式偏置电路具有 稳定静态工作点 作用，其原理是构成 电流串联 负反馈。
10．集成运算放大器是 直接 耦合放大电路。集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反相输入 端，前者的极性与输出端 同相 ；后者的极性同输出端 反相 。
11．根据MOS管导电沟道的类型，可分为 NMOS 和 PMOS 型。
二、单项选择题（每题2分，共20分，将答案填在下表中）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
C
D
A
B
A
C
B
D
D
B
三．（8分）

四．（6分）
① UO = 5+10 = 15V
② UO = 0.7+0.7=1.4V
③ UO = 5+0.7=5.7V
五．（9分）
（1）UBE=1-0.5=0.5V<0.7V，发射结反偏，所以三极管工作在截止状态
（2）发射结正偏，集电结反偏，所以三极管工作在放大状态
（3）发射结正偏，集电结正偏，所以三极管工作在饱和状态
六、（9分）

七．(10分)

八．（8分）
① 在电源负半周将出现电源短路，电源烧坏
② 只能在电源负半周整流，出现半波整流现象。

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