电路分析和电子电路基础电路复习北邮计算机省公共课一等奖全国赛课获奖课件.pptx

第一章第一章 电路模型与基尔霍夫定律电路模型与基尔霍夫定律第二章第二章 电阻电路基本分析方法与定理电阻电路基本分析方法与定理第三章第三章 动态电路时域分析动态电路时域分析第四章第四章 正弦稳态电路分析正弦稳态电路分析第五章第五章 基本半导体器件基本半导体器件第六章第六章 基本放大电路基本放大电路第七章第七章 集成运算放大电路集成运算放大电路第八章第八章 负反馈放大电路负反馈放大电路第九章第九章 直流稳压电源直流稳压电源第十章第十章 波形产生与整形电路波形产生与整形电路X电路与电子学基础第1页1-1电路与电路模型电路与电路模型1-2电路分析中基本变量电路分析中基本变量1、电流、电压及它们参考方向、电流、电压及它们参考方向2、关联参考方向关联参考方向3、功率、功率X1-3基尔霍夫定律基尔霍夫定律1、KCL（节点或封闭面）（节点或封闭面）2、KVL1-4直流电路基本元件直流电路基本元件电阻、电阻、独立源（理想、实际）、受控源独立源（理想、实际）、受控源第一章第一章电路模型与基尔霍夫定律电路模型与基尔霍夫定律第2页基尔霍夫电流定律基尔霍夫电流定律(KCL)对于任一集总电路中任一节点，在任一时刻，流入对于任一集总电路中任一节点，在任一时刻，流入（或流出）该该节点全部支路电流代数和为零。（或流出）该该节点全部支路电流代数和为零。XKCL也适合用于广义节点（封闭面）。也适合用于广义节点（封闭面）。第3页基尔霍夫电压定律基尔霍夫电压定律(KVL)对任一集总电路中任一回路，在任一时刻，沿该回路对任一集总电路中任一回路，在任一时刻，沿该回路全部支路电压降代数和为零：全部支路电压降代数和为零：X即：第4页2-1等效概念及等效变换分析等效概念及等效变换分析1、电阻串联与分压公式、电阻串联与分压公式2、电阻并联与分流公式、电阻并联与分流公式3、电源等效变换电源等效变换X2-2复杂电路系统分析方法复杂电路系统分析方法1、支路电流法、支路电流法2、节点电压法节点电压法第二章第二章电阻电路基本分析方法与定理电阻电路基本分析方法与定理2-3电路分析基本定理电路分析基本定理1、叠加定理叠加定理2、替换定理、替换定理3、戴维南定理和诺顿定理戴维南定理和诺顿定理4、最大功率传输定理最大功率传输定理5、对偶特征、对偶特征第5页X对外电路等效对外电路等效：对外对外VCR曲线曲线完全相同。完全相同。实实际际电电压压源源实实际际电电流流源源实际电压源实际电压源/实际电流源实际电流源第6页节点电压法列写规则节点电压法列写规则X节点电压法列写规则：节点电压法列写规则：本本节点节点电电压压乘以乘以本节点本节点自自电电导导，加上相邻，加上相邻节点电压节点电压乘以本乘以本节点节点与相邻与相邻节点节点之间之间互互电导电导，等于，等于流入本节点全部电流源电流代数和流入本节点全部电流源电流代数和。第7页节点电压法节点电压法几个特殊情况几个特殊情况（1）若）若支路为电压源与电阻串联支路为电压源与电阻串联，则可等效为电流，则可等效为电流源与电阻并联。源与电阻并联。（2 2）若电路中含有电流源与电阻串联支路若电路中含有电流源与电阻串联支路，则在列，则在列节点方程时不考虑此电阻。节点方程时不考虑此电阻。（3）若电路中含有理想电压源支路若电路中含有理想电压源支路，则，则设其支路电设其支路电流流i为未知量，同时增列一个电压源支路电压与相关节为未知量，同时增列一个电压源支路电压与相关节点电压方程。点电压方程。（4 4）当电路中含有受控源时当电路中含有受控源时，把受控源看成独立源对，把受控源看成独立源对待待，按普通规则列写独立节点电压方程。，按普通规则列写独立节点电压方程。设法设法以节点电以节点电压表示压表示受控源受控源控制量，即每个控制量对应一个辅助方程控制量，即每个控制量对应一个辅助方程。第8页叠加定理叠加定理叠叠加加定定理理：在在由由线线性性电电阻阻、线线性性受受控控源源和和独独立立电电源源组组成成电电路路中中，任任一一元元件件电电流流(或或电电压压)能能够够看看成成是是电电路路中中每每一一个个独独立立电电源源单单独独作作用用于于电电路路时时，在在该该元元件件产产生生电电流流(或电压或电压)代数和。代数和。单独作用含义：单独作用含义：指某一独立源作用时，其它独立源不指某一独立源作用时，其它独立源不作用，即作用，即置零。置零。即独立电压源短路，独立电流源开路。即独立电压源短路，独立电流源开路。X X第9页戴维宁定理与诺顿定理戴维宁定理与诺顿定理X X第10页计算计算 简单电阻电路情况，用串并联。简单电阻电路情况，用串并联。含受控电源情况含受控电源情况戴维宁等效电阻戴维宁等效电阻 计算计算X外加电压法外加电压法开路电压短路电流法开路电压短路电流法外加电压法外加电压法开路电压短路电流法开路电压短路电流法第11页此时负载得到最大功率为：此时负载得到最大功率为：由线性含源二端网络传递给可变负载由线性含源二端网络传递给可变负载 功率为最大条件功率为最大条件是：负载是：负载 应与戴维宁等效电阻应与戴维宁等效电阻 相等。相等。X X最大功率传输定理最大功率传输定理第12页3-2动态元件基本特征动态元件基本特征1、电容元件、电容元件2、电感元件、电感元件X3-4一阶电路一阶电路零输入响应零输入响应1、一阶、一阶RC电路零输入响应电路零输入响应2、一阶、一阶RL电路零输入响应电路零输入响应第三章第三章动态电路时域分析动态电路时域分析3-5一阶电路一阶电路零状态响应零状态响应1、一阶、一阶RC电路零状态响应电路零状态响应2、一阶、一阶RL电路零状态响应电路零状态响应3-6一阶电路全响应一阶电路全响应3-7一阶电路一阶电路三要素法三要素法3-7 换路定则及初始值确定第13页初始值：初始值：在换路瞬间，电路中一些电量会突然发生改在换路瞬间，电路中一些电量会突然发生改变，而换路后这一瞬间这些电量值称为初始值。变，而换路后这一瞬间这些电量值称为初始值。X X初始值初始值计算初始值步骤：计算初始值步骤：1 1、画出、画出 等效电路，其中，在直流激励下电容等效电路，其中，在直流激励下电容相当于开路，电感相当于短路，并依据该电路计算相当于开路，电感相当于短路，并依据该电路计算初始状态初始状态 和和 ；2 2、依据换路定则，、依据换路定则，；3 3、画出、画出 等效电路，其中电容用电压值为等效电路，其中电容用电压值为 电电压源代替，电感用电流值为压源代替，电感用电流值为 电流源代替；电流源代替；4 4、依据、依据 等效电路，用分析直流方法计算电路中其等效电路，用分析直流方法计算电路中其它变量初始值。它变量初始值。第14页零状态响应零状态响应(z.s.r)：动态元件初始储能为零时，仅：动态元件初始储能为零时，仅由外加激励引发响应（充电过程）。由外加激励引发响应（充电过程）。零输入响应零输入响应(z.i.r)：外加激励为零时，仅由动态元件：外加激励为零时，仅由动态元件非零初始状态引发响应（放电过程）。非零初始状态引发响应（放电过程）。全响应全响应：动态元件处于非零初始状态时，电路在外加：动态元件处于非零初始状态时，电路在外加激励作用下响应，激励作用下响应，是零输入响应与零状态响应之和是零输入响应与零状态响应之和。X稳态响应：稳态响应：电路到达新稳定状态时一直存在响应。电路到达新稳定状态时一直存在响应。暂态响应：暂态响应：含有指数形式，伴随时间增加逐步趋于零含有指数形式，伴随时间增加逐步趋于零响应。响应。响应强制分量：响应强制分量：形式由激励决定那部分响应。形式由激励决定那部分响应。响应自由分量：响应自由分量：形式由形式由电路结构和元件参数决定电路结构和元件参数决定那部那部分响应。分响应。第15页零输入响应零输入响应X不但适合用于状态变量，也适合用于非状态变量。不但适合用于状态变量，也适合用于非状态变量。只适合用于状态变量。只适合用于状态变量。零状态响应零状态响应第16页X一一阶电阶电路三要素法路三要素法在直流激励下，需要求一阶动态电路中任一支路电在直流激励下，需要求一阶动态电路中任一支路电压、电流时，只需知道待求量压、电流时，只需知道待求量初始值初始值、稳态值稳态值和和电电路时间常数路时间常数三个量就能够求得该量解，这种方法就三个量就能够求得该量解，这种方法就成为成为三要素法三要素法。暂态响应暂态响应稳态响应稳态响应不但适合用于状态变量，也适合用于非状态变量。不但适合用于状态变量，也适合用于非状态变量。对于状态变量对于状态变量第17页时间常数：时间常数：电压、电流衰减快慢取决于时间常数大小，电压、电流衰减快慢取决于时间常数大小，越大，衰减越慢，反之则越快。越大，衰减越慢，反之则越快。X时间时间常数常数计算方法：计算方法：依据电路，利用公式依据电路，利用公式 和和 计算。对于复杂电路，利用戴维南定理或诺顿定理将计算。对于复杂电路，利用戴维南定理或诺顿定理将除动态元件以外电路用戴维南等效电路或诺顿等效电除动态元件以外电路用戴维南等效电路或诺顿等效电路替换，由此能够确定路替换，由此能够确定R为戴维南等效电阻或诺顿等为戴维南等效电阻或诺顿等效电阻。效电阻。第18页4-1正弦稳态信号基本概念正弦稳态信号基本概念1、正弦信号、正弦信号有效值有效值2、正弦信号、正弦信号相位差相位差X4-2正弦信号相量表示法正弦信号相量表示法1、正弦信号相量表示、正弦信号相量表示第四章第四章正弦稳态电路分析正弦稳态电路分析4-3正弦电路相量分析法正弦电路相量分析法1、相量形式、相量形式KCL、KVL2、电阻、电感、电容元件相量模型、电阻、电感、电容元件相量模型3、相量欧姆定理普通形式、阻抗和导纳、相量欧姆定理普通形式、阻抗和导纳第19页4-4正弦电路功率正弦电路功率1、瞬时功率、瞬时功率2、平均功率（有功功率）和无功功率平均功率（有功功率）和无功功率3、视在功率与功率因数、视在功率与功率因数X4-7RLC电路谐振电路谐振1、RLC串联谐振串联谐振2、RLC并联谐振并联谐振第四章第四章正弦稳态电路分析正弦稳态电路分析4-6传输函数与滤波基本知识传输函数与滤波基本知识第20页正弦信号有效值正弦信号有效值X周期性电流周期性电流 有效值等于周期性电流瞬时值平有效值等于周期性电流瞬时值平方在一个周期内平均值再取平方根，即方在一个周期内平均值再取平方根，即方均根值方均根值。正弦电流信号正弦电流信号 有效值有效值正弦电压信号正弦电压信号 有效值有效值任一正弦信号有效值总为其振幅任一正弦信号有效值总为其振幅0.707倍。倍。第21页电路中量符号表示示例符号表示示例符号说明符号说明纯直流量纯直流量 ，变量名与角标都大写变量名与角标都大写纯交流量纯交流量 ，变量名与角标都小写变量名与角标都小写正弦信号振幅 ,或者或者 ,变量名大写，角标是变量名大写，角标是m m有效值有效值 ，或者或者 ，变变量量名名大大写写，或或变变量量名名大大写角标小写写角标小写有效值有效值/振幅相量振幅相量 ，或者或者 ,变量名大写，头部带点变量名大写，头部带点带直流分量交流总量 ，变量名小写，角标大写变量名小写，角标大写惯用电路变量符号表示惯用电路变量符号表示第22页两个两个同频率同频率正弦量：正弦量：定义定义相位差相位差 ：二者同相二者同相二者反相二者反相正弦信号相位差正弦信号相位差二者正交二者正交X超前超前 相位相位滞后滞后 相位相位第23页相量形式相量形式KCL：X相量形式相量形式KVL：电阻元件复数欧姆定律（相量形式）：电阻元件复数欧姆定律（相量形式）：电容元件复数欧姆定律（相量形式）：电容元件复数欧姆定律（相量形式）：第24页电感元件复数欧姆定律（相量形式）：电感元件复数欧姆定律（相量形式）：支路阻抗：支路阻抗：（单位：欧姆）（单位：欧姆）一个无源线性支路，在关联参考方向下：一个无源线性支路，在关联参考方向下：串联阻抗：串联阻抗：并联导纳：并联导纳：支路导纳：支路导纳：（单位：西门子）（单位：西门子）第25页依据依据KCL、KVL、欧姆定律及电路元件、欧姆定律及电路元件VCR相量形式，相量形式，利用相量并引用阻抗和导纳，则正弦稳态电路计算能利用相量并引用阻抗和导纳，则正弦稳态电路计算能够仿照电阻电路处理方法进行。这种利用相量对正弦够仿照电阻电路处理方法进行。这种利用相量对正弦稳态电路进行分析方法称为相量法。稳态电路进行分析方法称为相量法。相量分析方法相量分析方法时域模型时域模型 相量模型相量模型 X第26页相量法解题步骤相量法解题步骤(1)写出已知正弦量相量。写出已知正弦量相量。(2)作出原电路相量模型，求出电路中各相量间关作出原电路相量模型，求出电路中各相量间关系。系。(3)依据所求得依据所求得相量，写出对应正弦量。相量，写出对应正弦量。X相量分析方法相量分析方法第27页X相量图法相量图法相量图法：相量图法：先定性地画出相量图，然后依据图形先定性地画出相量图，然后依据图形特征处理问题一个方法。特征处理问题一个方法。有时只需计算有时只需计算有效值有效值和和相位差相位差，对这类问题，更，对这类问题，更适合于用相量图法求解。适合于用相量图法求解。(1)串串联联电电路路通通常常以以电电流流作作为为参参考考相相量量，并并联联电电路路通通常以电压作为参考相量，参考相量初相为零。常以电压作为参考相量，参考相量初相为零。(2)测量仪表读数为有效值。测量仪表读数为有效值。(3)依据电路元件依据电路元件VCR确定各相量间相位关系确定各相量间相位关系。(4)依据实部、虚部正负确定相量所在象限，从依据实部、虚部正负确定相量所在象限，从 而确定相位角而确定相位角。第28页功率功率X瞬时功率瞬时功率，关联参考方向时：，关联参考方向时：平均功率平均功率:单位：单位：W W（瓦特）（瓦特）支路平均功率实际上是描述电阻成份所消耗功率。支路平均功率实际上是描述电阻成份所消耗功率。无功功率：无功功率：单位：单位：VARVAR（乏）（乏）无功功率仅与支路中等效电抗成份相关无功功率仅与支路中等效电抗成份相关，反应了，反应了支路支路电抗成份与外电路交换能量最大速度。电抗成份与外电路交换能量最大速度。视在功率：视在功率：单位：伏安单位：伏安(VA)(VA)电路电路功率因数功率因数：第29页5-1半导体基本理论半导体基本理论1、P型半导体和型半导体和N型半导体型半导体2、PN结结X5-3晶体三极管晶体三极管1、工作原理、工作原理2、特征曲线、特征曲线3、低频小信号电路模型、低频小信号电路模型第五章第五章基本半导体器件基本半导体器件5-2晶体二极管晶体二极管1、工作原理及伏安特征、工作原理及伏安特征2、稳压二极管、稳压二极管第30页N N型半导体型半导体：在本征半导体中掺入五价元素（如磷、锑）在本征半导体中掺入五价元素（如磷、锑）后会出现多出电子，从而形成以后会出现多出电子，从而形成以自由电子为主载流子，空自由电子为主载流子，空穴为少数载流子，穴为少数载流子，这种半导体叫做这种半导体叫做N N型半导体。型半导体。P P型半导体型半导体：在本征半导体中掺入三价元素（如硼、铟等）在本征半导体中掺入三价元素（如硼、铟等），形成多出空穴，从而形成以，形成多出空穴，从而形成以空穴为主载流子，电子为少空穴为主载流子，电子为少数载流子数载流子，这种半导体叫做，这种半导体叫做P P型半导体。型半导体。三价杂质三价杂质原子空穴原子空穴被填补后被填补后变成负离变成负离子子五价杂质五价杂质原子缺乏原子缺乏自由电子自由电子后变成正后变成正离子离子第31页PNPN结结 因为浓度差，因为浓度差，N N区多子（电子）向区多子（电子）向P P区扩散区扩散，从而形成带正电区，从而形成带正电区域。一样，域。一样，P P区多子（空穴）向区多子（空穴）向N N区扩散区扩散，使得，使得P P区有多出电子，区有多出电子，从而形成带负电荷区域。最终在从而形成带负电荷区域。最终在PNPN结处形成结处形成空间电荷区（空间电荷区（N N正正P P负）负），该电荷区形成内电场，方向由，该电荷区形成内电场，方向由N N区指向区指向P P区，恰好阻止扩区，恰好阻止扩散继续。散继续。伴随扩散继续，内电场伴随扩散继续，内电场也逐步加强，最终到达也逐步加强，最终到达扩散与阻止扩散平衡状扩散与阻止扩散平衡状态，于是空间电荷区宽态，于是空间电荷区宽度稳定下来，能够认为度稳定下来，能够认为载流子被耗尽，所以空载流子被耗尽，所以空间电荷区也称为间电荷区也称为耗尽层耗尽层。第32页PNPN结加正向电压结加正向电压正向导通正向导通假如在假如在PNPN结两端外加电压，将破结两端外加电压，将破坏原来平衡状态，半导体器件上坏原来平衡状态，半导体器件上施加外电压称为偏置电压。施加外电压称为偏置电压。当电源正极接到当电源正极接到PNPN结结P P端，负极端，负极接到接到PNPN结结N N端，称为正向偏置电端，称为正向偏置电压。此时外加电场与内电场方向压。此时外加电场与内电场方向相反，将多数载流子推向空间电相反，将多数载流子推向空间电荷区，外加电场减弱了内电场荷区，外加电场减弱了内电场（耗尽层变窄），引发载流子扩（耗尽层变窄），引发载流子扩散运动连续进行，从而形成正向散运动连续进行，从而形成正向电流，电流，PNPN结导通。结导通。第33页PNPN结加反向电压结加反向电压反向截止反向截止当电源正极接到当电源正极接到PNPN结结N N端，负极接到端，负极接到PNPN结结P P端，端，称为反向偏置电压。此称为反向偏置电压。此时外加电场与内电场方时外加电场与内电场方向相同，使内电场加强向相同，使内电场加强（耗尽层变宽），深入（耗尽层变宽），深入阻止载流子扩散，阻止阻止载流子扩散，阻止电流形成，电流形成，PNPN结处于截结处于截止状态。止状态。第34页2.2.二极管伏安特征二极管伏安特征(正向特征正向特征)当正向电压很小，不足以克服当正向电压很小，不足以克服PNPN结内电场结内电场影响是，二极管展现很高电阻特征，其正影响是，二极管展现很高电阻特征，其正向特征起始电流几乎为零，该段区域称为向特征起始电流几乎为零，该段区域称为死区；死区；伴随外加正向偏置电压升高，当电压足以伴随外加正向偏置电压升高，当电压足以克服内电场影响时，正向电流开始上升，克服内电场影响时，正向电流开始上升，二极管开始导通；正向导通电压：二极管开始导通；正向导通电压：普通按普通按照硅管照硅管0.7V0.7V。外加正向偏置电压超出死区电压后，二极管内电场被大大减弱，外加正向偏置电压超出死区电压后，二极管内电场被大大减弱，正向电流增加很快，与正向偏置电压近似成正比，伏安特征曲正向电流增加很快，与正向偏置电压近似成正比，伏安特征曲线近似成一条直线，该段区域称为线性区；线近似成一条直线，该段区域称为线性区；反向截止；反向截止；反向击穿；反向击穿；第35页稳压二极管稳压二极管 稳压二极管工作在击穿区。因为齐纳击穿效应，在维稳压二极管工作在击穿区。因为齐纳击穿效应，在维持一定电流条件下，二极管反向偏置电压会稳定在一个固定持一定电流条件下，二极管反向偏置电压会稳定在一个固定数值，当反向偏置电压撤消后，能恢复原来状态数值，当反向偏置电压撤消后，能恢复原来状态 。主要用。主要用于电压限制和调整，也可作为电路过电压保护器件。于电压限制和调整，也可作为电路过电压保护器件。稳压二极管电路符号：稳压二极管电路符号：第36页三极管工作原理三极管工作原理对发射结（对发射结（b be e结）施加正结）施加正向偏置电压，向偏置电压，b be e结导通，结导通，大量自由电子因扩散运动越大量自由电子因扩散运动越过发射结抵达基区，产生由过发射结抵达基区，产生由e e向向b b电子流。发射区不停从电电子流。发射区不停从电源得到补充电子，连续扩散源得到补充电子，连续扩散运动形成发射极电运动形成发射极电 。对集电结（对集电结（b bc c结）施加反向偏置电压，结）施加反向偏置电压，集电极就含有很强集电极就含有很强a a电子吸收能力。电子吸收能力。因为基区很薄，由发射区抵达基区电子小部分因为基区很薄，由发射区抵达基区电子小部分被基极空穴复合，因为基区接电源正极，电源被基极空穴复合，因为基区接电源正极，电源将电子吸收，相当于电源向基区连续提供空穴，将电子吸收，相当于电源向基区连续提供空穴，形成基极电流形成基极电流 。发射极发射极 集电极集电极第37页三极管工作原理三极管工作原理在一定范围内，集电极电流与基极电流保持了比较固定百分在一定范围内，集电极电流与基极电流保持了比较固定百分比关系，在此范围内，基极电流越大，集电极电流就越大，表比关系，在此范围内，基极电流越大，集电极电流就越大，表现出三极管放大特征。现出三极管放大特征。自由电子从发射区抵达基区，自由电子从发射区抵达基区，基区很薄，又因为集电极含有很基区很薄，又因为集电极含有很强电子吸收能力，所以抵达基区强电子吸收能力，所以抵达基区大部分电子在外电场作用下越过大部分电子在外电场作用下越过集电结抵达集电区，漂移运动形集电结抵达集电区，漂移运动形成集电极电流成集电极电流 。因为集电极所搜集电子数大于进入基极电因为集电极所搜集电子数大于进入基极电子数，所以集电极电流大于基极电流。子数，所以集电极电流大于基极电流。发射极发射极 集电极集电极第38页(2)(2)当当U UCECE变大，使集电极反偏后，变大，使集电极反偏后，集电结内电场很大，能将从发射区集电结内电场很大，能将从发射区扩散到基区自由电子中绝大部分拉扩散到基区自由电子中绝大部分拉到集电区，从而形成了集电极电流到集电区，从而形成了集电极电流I IC C。基区复合降低，一样。基区复合降低，一样U UBEBE下下I IB B减减小，特征曲线右移。小，特征曲线右移。(1)(1)当当U UCECE=0V=0V时，发射极与集电极时，发射极与集电极短路，相当于并联两个二极管正向短路，相当于并联两个二极管正向特征曲线。特征曲线。UCE=0V UCE 1V(3)(3)当当U UCECE1V1V时，集电极已经反偏，若再增大时，集电极已经反偏，若再增大U UCECE，只要只要U UBEBE不不变则变则I IB B基本不变。基本不变。第39页输出特征曲线输出特征曲线IC=f(UCE)|IB=常数常数I IB B与与I IC C亲密相关，亲密相关，I IB B不一样对应不不一样对应不一样曲线。一样曲线。对于某一曲线，当对于某一曲线，当U UCECE从零逐步增大，从零逐步增大，集电结电场随之增强，搜集基区自集电结电场随之增强，搜集基区自由电子能力也逐步增大，所以由电子能力也逐步增大，所以I IC C也也就逐步增大。就逐步增大。当当U UCECE增大到一定数值时，集电结电场足以将基区绝大部分自增大到一定数值时，集电结电场足以将基区绝大部分自由电子都搜集到集电极，由电子都搜集到集电极，U UCECE再增大，搜集能力也不能显著提再增大，搜集能力也不能显著提升为表现为曲线几乎平行与横轴。升为表现为曲线几乎平行与横轴。第40页输出特征曲线输出特征曲线输出特征曲线三个区域输出特征曲线三个区域:1、截止区：截止区：IC靠近零区域，靠近零区域，相当相当IB=0曲线下方。其特曲线下方。其特征是发射极电压小于死区征是发射极电压小于死区电压，集电结反向偏置。电压，集电结反向偏置。此时此时IB=0，ICICEO。其中。其中ICEO称为穿透电流，即基称为穿透电流，即基极开路（极开路（IB=0）时，在集）时，在集电极电源作用下集电极和电极电源作用下集电极和发射极之间形成电流，发射极之间形成电流，ICEO值很小，通常忽略不计。值很小，通常忽略不计。第41页输出特征曲线输出特征曲线输出特征曲线三个区域输出特征曲线三个区域:2、放大区（线性区）：放大区（线性区）：IC平行平行于于UCE轴区域，曲线基本平轴区域，曲线基本平行等距。其特征是发射结正行等距。其特征是发射结正向偏置，集电结反向偏置。向偏置，集电结反向偏置。此时此时IC几乎仅仅决定于几乎仅仅决定于IB，而与而与UCE无关，集电极电流无关，集电极电流IC与基极电流与基极电流IB成百分比：成百分比：第42页输出特征曲线输出特征曲线输出特征曲线三个区域输出特征曲线三个区域:3、饱和区：饱和区：曲线上升和弯曲部曲线上升和弯曲部分区域。其特征是发射结与分区域。其特征是发射结与集电结均处于正向偏置。集电结均处于正向偏置。临界饱和：临界饱和：UCE=UBE，即，即UCB=0，集电区搜集扩散到基，集电区搜集扩散到基区自由电子能力大大减弱，区自由电子能力大大减弱，IB对对IC控制作用不复存在，三控制作用不复存在，三极管放大作用消失；极管放大作用消失；过饱和状态：过饱和状态：UCEUBE，IC不但与不但与IB相关，而且显著随相关，而且显著随UCE增大而增大，三极管放大增大而增大，三极管放大作用消失。作用消失。第43页6-1基本共射放大电路基本共射放大电路1、静态分析，包含估算法和图解法、静态分析，包含估算法和图解法2、动态分析，包含图解法和微变等效电路法、动态分析，包含图解法和微变等效电路法3、失真种类、原因、改进、失真种类、原因、改进4、分压偏置放大电路静态分析、分压偏置放大电路静态分析6-2其它放大电路其它放大电路1、射极输出器静态分析和动态分析、特点、射极输出器静态分析和动态分析、特点6-4多级放大电路与频率特征多级放大电路与频率特征1、多级放大电路组成、多级放大电路组成2、频率特征，尤其是高频区和低频区特征和原因、频率特征，尤其是高频区和低频区特征和原因6-5差分放大电路差分放大电路1、静态分析、特点、静态分析、特点X第六章第六章基本共射放大电路基本共射放大电路第44页6-1基本共射放大电路基本共射放大电路1、组成和各元件作用、组成和各元件作用2、静静态态分分析析，包包含含估估算算法法和和图图解解法法；动动态态分分析析，包包含含图图解解法法和和微变等效电路法微变等效电路法3、失真种类、原因、改进、失真种类、原因、改进4、分压偏置放大电路静态分析、分压偏置放大电路静态分析6-2其它放大电路其它放大电路1、射极输出器静态分析和动态分析、特点、射极输出器静态分析和动态分析、特点6-4多级放大电路与频率特征多级放大电路与频率特征1、多级放大电路组成、多级放大电路组成2、频率特征，尤其是高频区和低频区特征和原因、频率特征，尤其是高频区和低频区特征和原因6-5差分放大电路差分放大电路1、静态分析、特点、静态分析、特点X第六章第六章基本共射放大电路基本共射放大电路第45页7-1集成运算放大电路概述集成运算放大电路概述 1 1、组成、特点及传输特征；、组成、特点及传输特征；7-2集成运放性能指标及低频等效电路集成运放性能指标及低频等效电路 1 1、低频等效电路，虚短路、虚断路；、低频等效电路，虚短路、虚断路；7-3集成运放基本运算电路集成运放基本运算电路 1 1、基本运算电路；、基本运算电路；2 2、多级运算电路、多级运算电路X第七章第七章集成运算放大电路集成运算放大电路第46页X8-1反馈基本概念及正负反馈判断方法反馈基本概念及正负反馈判断方法1、正、正/负反馈，直流负反馈，直流/交流反馈交流反馈2、判断正负反馈：瞬时极性法、判断正负反馈：瞬时极性法8-2负反馈放大电路表示方法负反馈放大电路表示方法1、负反馈表示式，深度负反馈、自激振荡、负反馈表示式，深度负反馈、自激振荡8-3交流负反馈放大电路四种基本组态交流负反馈放大电路四种基本组态 1 1、电压、电压/电流负反馈和判断方法电流负反馈和判断方法 2 2、串联、串联/并联负反馈判断方法并联负反馈判断方法8-4负反馈对放大电路性能影响负反馈对放大电路性能影响 1 1、负反馈对放大电路性能影响、负反馈对放大电路性能影响 2 2、依据要求引入何种组态反馈、依据要求引入何种组态反馈第八章第八章 负反馈放大电路负反馈放大电路第47页X9-1概概述述1、从交流电压源到直流电压源原理、从交流电压源到直流电压源原理9-2单相桥式整流电路单相桥式整流电路1、基本原理、基本原理2、二极管参数确实定、二极管参数确实定9-3滤波电路滤波电路1、基本原理、基本原理2、元件参数确定、元件参数确定9-4稳压管稳压电路稳压管稳压电路第九章第九章 直流稳压电源直流稳压电源第48页X10-1反馈放大电路自激振荡反馈放大电路自激振荡1、平衡条件，包含幅度和相位条件、平衡条件，包含幅度和相位条件2、起振条件、起振条件10-2正弦波振荡电路正弦波振荡电路1、基本原理、基本原理10-3电压比较器电压比较器1、简单电压比较器、简单电压比较器2、滞回比较器、滞回比较器第十章第十章 波形产生与整形电路波形产生与整形电路第49页