光电关键技术自测题全.doc

光电技术复习题第一某些自测题一、多项选取题1.下列选项中参数与接受器关于有（ AD ） A曝光量 B.光通量 C.亮度 D.照度2.光电探测器中噪声重要涉及（ ABCDE ）A热噪声 B.散粒噪声 C.产生复合噪声 D.1/f噪声 E 温度噪声3.光电技术中应用半导体对光吸取重要是（ AB ）A本征吸取 B.杂质吸取 C.激子吸取 D.自由载流子吸取 E 晶格吸取二、单项选取题1.被光激发产生电子溢出物质表面，形成真空中电子现象叫做（B） A内光电效应 B. 外光电效应 C.光生伏特效应 D.丹培效应2.当黑体温度升高时，其峰值光谱辐射出射度所相应波长移动方向为（A） A.向短波方向移动 B.向长波方向移动 C.不移动 D.均有也许3.已知某He-Ne激光器输出功率为8mW，正常人眼明视觉和暗视觉最大光谱光是效能分别为683lm/W和1725lm/W，人眼明视觉光谱光视效率为0.24，则该激光器发出光通量为（D） A.3.31lx B.1.31lx C.3.31lm D.1.31lm4.半导体（A）电子吸取光子能量跃迁入（），产生电子空穴对现象成为本征吸取。 A.价带，导带 B.价带，禁带 C.禁带，导带 D.导带，价带5.一种电阻值为1000欧姆电阻，在室温下，工作带宽为1Hz时，热噪声均方电压为(B)A 3nV B 4nV C 5nV D 6nV6.用照度计测得某环境下照度值为1000lx，该环境也许是（B） A阳光直射 B阴天室外 C 工作台 D 晨昏蒙影 7.已知某辐射源发出功率为1W，该波长相应光谱光视效率为0.5，则该辐射源辐射光通量为（B）A 683lm B341.5lm C 1276lm D 638lm8.为了描述显示屏每个局部面元在各个方向辐射能力，最适合辐射度量是 （D ） A 辐射照度 B 辐射强度 C 辐射出度 D 辐射亮度9. 电磁波谱中可见光波长范畴为(A)A0.380.78um B 0.381um C 13um D 812um10. 已知一束激光功率为30mW、波长为0.6328um，普朗克常数则该激光束光子流速率N为（A）。 A. 9.551016个/秒B. 9.551019个/秒C. 2.871025个/秒D. 2.871022个/秒11. 某半导体光电器件长波限为13um，其杂质电离能为（B） A. B. C. D. 12. 100W原则钨丝灯在0.2sr范畴内所发出辐射通量为（A） A. B. C. D. 13. 已知甲、乙两厂生产光电器件在色温2856K原则钨丝灯下标定出敏捷度分别为，则甲乙两厂中光电器件敏捷度比较成果对的是（B）A. 甲场敏捷度高 B. 乙场敏捷度高 C. 甲乙两场敏捷度同样高 D. 无法比较14. 光电发射材料光电发射长波限为680nm，该光电发射材料光电发射阈值大小为（D）A. B. C. D. 15. 已知某种光电器件本征吸取长波限为1.4um，则该材料禁带宽度为（B） A. B. C. D. 三、判断题1. 比探测率是一种与工作频率、测量带宽无关常数。 （错）2. 探测率是一种反映探测器探测能力物理量，探测率越大，阐明探测器探测能力越强。（对）3. 噪声等效功率是信噪比为1时，入射到探测器上信号辐射通量。（对）4. 1/f噪声是一种低频噪声，几乎所有探测器中都存在这种噪声。（对）5. 量子效率是在特定波长下单位时间内产生平均光电子数与入射光子数之比。（对）6. 若金属溢出功为W，则长波限为1.24/W(nm).(错)7. 光通量单位是坎德拉。(错)8. 辐射通量与光通量单位是相似。(错)9. 朗伯辐射体辐射出射度等于她辐射亮度。（错）10. 被照明物体表面辐射照度和光源与物体表面距离平方成反比。（对）11. 辐射出射度Me与辐射照度Ee定义式都是：某点处面元辐通量除以改面元面积商，因此这两个物理量是具备相似概念。（错）12. 发光方式重要有电致发光，光致发光，化学发光和热发光。（对）13. 发光强度单位是坎德拉（cd）,其定义为：在给定方向上能发射单色辐射源，在此方向上辐强度为（1/683）W/sr，其发光强度定义为1cd。（对）14. 在对具备一定量度和颜色非黑体辐射体温度标测中，亮温度与实际温度偏差最小，色温度次之，辐射温度与实际温度偏差最大。（错）15. 波长长于本征吸取光波长波限入射辐射能使器件产生本征吸取，变化本征半导体导电特性。（错）16. 杂志吸取长波限总要长于本征吸取长波限。（对）17. 可以引起光电效应光吸取涉及本征吸取，杂质吸取，激子吸取，自由载流子吸取和晶格吸取。（错）18. 在弱辐射作用状况下，半导体光电导效应与入射辐射通量关系是线性。（对）19. 光生伏特效应能将光能转换成电能。（对）20. 外光电效应是半导体光电器件、真空光电倍增管、摄像管、变像管和像增强器核心技术。（错）第二某些 惯用光辐射源 自测题一、多项选取题1.惯用激光器有（ACDE）A. 气体激光器 B.液体激光器 C.固体激光器 D.染料激光器 E 半导体激光器2.按发光机理分类，惯用光源有（ABCD）A. 发光二极管 B.激光器 C.气体放电 D.热辐射 E 太阳二、单项选取题1.低压汞灯光谱为（A）。A. 线状光谱 B.带状光谱 C.持续光谱 D.混合光谱2.高压钠灯光谱为（B）。A. 线状光谱 B.带状光谱 C.持续光谱 D.混合光谱3. 高压钠灯光谱为（B）。A. 线状光谱 B.带状光谱 C.持续光谱 D.混合光谱4.白炽灯光谱为（ C ）A. 线状光谱 B.带状光谱 C.持续光谱 D.混合光谱5. 荧光灯光谱为（ D ）A. 线状光谱 B.带状光谱 C.持续光谱 D.混合光谱6.某光源发光效率为90100lm/W，该光源也许是（ C ）A. 普通荧光灯 B.高压汞灯 C.高压钠灯 D.卤钨灯7.持续波半导体激光器输出功率约为（ B ）A. 不大于1mW B.几毫瓦到数百毫瓦 C.几瓦 D.几百瓦8. 黑体是指（ B ）A.反射为1 B.吸取为1 C.黑色物质 D.不发射电磁波三、判断题1. 发光效率是光源发射光通量与所需电功率之比。（对）2. GaAs启动电压约为1V。（对）3. 物体温度升高时，辐射峰值波长向长波方向移动。（错）4. 氮化物蓝或紫LED管芯中加上三基色荧光粉可激发出白光，成为白光LED。（对）5. 超高亮度LED是指辐射功率高，法向发光强度在1000mcd以上LED，光效可以达到50100lm/W。（对）6. 发光二极管辐射光峰值波长与材料禁带宽度Eg无关。（错）7. LED发出光是基于受激辐射，发出是相干光。（错）8. 普通钨丝灯发光效率约为818lm/W。（对）9. LED寿命普通不大于106小时。（错）10. 普通运用半导体激光器（LD）和发光二极管伏安特性和响应时间特性对光源进行直接调制。（对）第三某些 光电导探测器 自测题一、多项选取题1.下列光电导器件中那些属于本证光电导器件（ BCDE）A锗掺汞 B.硫化镉 C.硫化铅 D.锑化汞 E 碲鎘汞2.光电导器件噪声重要有（ ABC ）A热噪声 B.1/f噪声 C.产生与复合噪声 D.散粒噪声 二、单项选取题1.光电导单位（ B ）A.欧姆 B.西门子 C.流明 D 勒克斯2.氮化镓光电导器件光谱响应范畴为（ A ）A.200365nm B.400700nm C.7001100nm D 17um3.硫化镉光电导器件光谱响应范畴为（ B ）A.200365nm B.400700nm C.7001100nm D 17um4.常温硫化铅光电导器件光谱响应范畴为（ D ）A.200365nm B.400700nm C.7001100nm D 0.43um5. 常温碲化铟光电导器件光谱响应范畴为（ C ）A.200365nm B.400700nm C.17.5um D 0.43um6.设某光敏电阻在100lx光照下阻值为2，且已知它在90120lx范畴内。则该光敏电阻在110lx光照下阻值为（C）。 A2224.6 B1999.9 C. 1873.8 D.935.27. 假设某只CdS光敏电阻最大功耗是30mW，光电导敏捷度，暗电导。当CdS光敏电阻上偏置电压为20V是极限照度为（D）。 A. 150lx B.22500lx C.2500lx D. 150lx和22500lx 8.光电导探测器特性受工作温度影响（B）。 A.很小 B.很大 C.不受影响 D.不可预知三、判断题1.由于电子迁移率比空穴大，因而通惯用P型材料制成光电导器件。（错）2.本征光电导器件长波限可以达到130um。（错）3.弱辐射状况下，本征光电导与入射辐射通量成正比。（对）4.材料拟定后，光敏电阻光照指数是一种常数。（错）5.前历效应是指光电导探测器时间特性与工作前历史关于一种现象。（对）6.光电导器件时间响应都较小，适合于探测窄脉冲光信号。（错）7.当光电导器件接受交变调制光时，随调制光频率增长，其输出会减小。（对）8.光敏电阻光谱特性峰值波长，低温时向短波方向移动。（错）9光敏电阻光敏面做成蛇形状，有助于提高敏捷度。（对）10.光敏电阻恒压偏置电路比恒流偏置电路电压敏捷度要高某些。（错）11. 光电导器件在方波辐射作用下，其上升时间不不大于小将时间。（错 ）12. 在测量某光电导器件值时，背景光照越强，其值越小。（对 ）13. 光敏电阻在恒压偏置电路比恒流偏置电路电压敏捷度要高某些。（错 ）14. 光敏电阻阻值与环境温度关于，温度升高光敏电阻阻值也随之升高。（对）15. 光敏电阻前例效应是由于被光照过后所产生光生电子与空穴复合而需要很长时间，并且，随着复合进行，光生电子与空穴浓度与复合机率不断减小，使得光敏电阻恢复被照前阻值需要很长时间这一特性描述。（ 错）第四某些 光伏探测器自测题一、多项选取题1.光伏探测器响应时间重要由（ ABC ）因素决定A.光生载流子扩散到结区时间 B.光生载流子漂移时间 C.结电容和负载电阻决定期间常数 2.光伏器件噪声重要有（ AD ）A热噪声 B.1/f噪声 C.产生与复合噪声 D.散粒噪声3.光伏探测器光电特性重要与（ ABCD ）关于A材料 B.光照范畴 C.负载大小 D.外加电压4.光伏探测器在正常使用时，惯用偏置方式有（ ABC ）A自偏置 B.零偏置 C.反向偏置 D.正向偏置 E.恒压偏置二、单项选取题1.若要检测脉宽为10-7s光脉冲，应选用（ A ）为光电变换器件。A.PIN型光电二极管 B.3DU型光电三极管 C.PN结型光电二极管 D.硅光电池2. 用光电法测量某高速转轴转速时，最佳选用（ D ）为光电接受器件。A.PMT B.CdS光敏电阻 C.2CR42硅光电池 D.3DU型光电三极管3.硅光电池在（ D ）偏置时，其光电流与入射辐射量有良好线性关系，且动态范畴较大。A.恒流 B.自偏置 C.零伏偏置 D.反向偏置4.硅光电池在（ B ）状况下有最大输出功率。A.开路 B.自偏置 C.零伏偏置 D.反向偏置5. 普通光伏探测器扩散时间为（ A ）A10-9s B.10-10s C.10-11s D.10-12s6.普通光伏探测器漂移时间为（ C ）A10-9s B.10-10s C.10-11s D.10-12s7.硅光电池最高截止频率普通为（ B ）A几千赫兹 B.几万赫兹 C.几十万赫兹 D.几百万赫兹8.硅光电池受光面输出多做成梳齿状或E字形电极，其目是（B ）。A增大内电阻 B.减小内电阻 C. 简化制作工艺 D.商定俗成9.硅光电三极管偏置电压为零，当前逐渐增强其光照度，则此时光电三极管集电极电流变化为（D）。A电流不断增大 B.电流逐渐减小 C.电流逐渐增大，到一定限度后趋于稳定 D电流大小始终为零10.为了提高光电二极管短波段波长光谱响应，下面可以采用办法是（D）。A.增强短波波长光谱光照强度 B.增强长波波长光谱光照强度 C.增长PN节厚度 D.减薄PN节厚度11.用光电法测量某高速转轴（15000r/min）转速时，最佳选用（D ）为光电接受器件。A.PMT B.CdS光敏电阻 C.2CR42硅光电池 D.3DU型光电三极管12.若要检测脉宽为光脉冲，应选用（A ）为光电变换器件。A.PIN型光电二极管 B.3DU型光电三极管 C.PN结型光电二极管 D.2硅光电池13.硅光电池在（D）偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好线性关系，且动态范畴较大。A.恒流 B.自偏置 C.零伏偏置 D.反向偏置14.硅光电池在（B）状况下有最大电流输出。A.开路 B.自偏置 C.零伏偏置 D.反向偏置15光伏器件自偏置电路重要用于（ B ）器件A.光电三极管 B.光电池 C.PSD位置传感器 D.象探测器16.下列光电器件中可以作为继电器是（ B ）A.色敏器件 B.光耦合器 C.PSD D.象探测器17.下列光电器件中可以精准测量位置是（ C ）A.色敏器件 B.光耦合器 C.PSD D.象探测器三、判断题1.光伏探测器暗电流是一种拟定常数。（错）2.光伏器件外加反向偏压时，暗电流随反向偏压增长有所增大，最后趋近于反向饱和电流。（对）3.自偏压是指光伏探测器输出电流流过外电路负载电阻产生压降就是她自身正向偏压。（对）4.光电池重要用途为太阳能光电池和测量光电池。（对）5.雪崩光电二极管最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。（对）6.硅光电池需要加偏压才干把光能转换成电能。（错）7.光电池普通工作在自偏置状态，用作弱光信号线性测量或强光信号存在探测。（对）8.光伏效应对光吸取重要为非本征吸取。（错）9.用双结光电二极管作颜色测量时，可以测出其中两个硅光电二极管短路电流比对数值与入射光波长关系。（对）10.PSD是运用位置离子注入技术制成一种对入射到光敏面上光点位置敏感光电器件。（对）第五某些 光电子发射探测器一、多项选取题1.下面选项中属于光电倍增管产生暗电流因素有( ABCD )。 A欧姆漏电 B.热发射 C.残存气体放电 D场致发射 2.光电倍增管短波限和长波限决定因素有（BC）A.光电阳极材料 B.光电阴极材料 C.窗口材料 D.倍增级材料3.常规光电阴极材料有（ABCD）A.银氧铯 B.单碱锑化物 C.多碱锑化物 D.碲化铯 E 负电子亲和势4.光电倍增管时间特性重要有（ ABC ）参数A.响应时间 B.渡越时间 C.渡越时间分散 D.扩散时间5.下列信号中，可以使用光电倍增管进行探测有（AD）。 A.薄弱可见光信号 B.强紫外光信号C.正午太阳光信号 D.迅速脉冲弱光信号6.下列选项中，符合光电倍增管电子光学系统作用选项有（AB）。 A.将光电阴极发射光电子尽量多汇聚到第一倍增级 B.使光电阴极发射光电子到达第一倍增级渡越时间零散最小 C.使达到第一倍增级光电子能多于光电阴极发射光电子量 D.使进入光电倍增管光子数增长二、单项选取题1.光电子发射探测器是基于（B）光电探测器。 A内光电效应 B. 外光电效应 C.光生伏特效应 D.光热效应2.已知某光电倍增关阳极敏捷度为100A/lm，阴极敏捷度为2A/lm，规定阳极输出电流限制在100A范畴内，则容许最大入射光通量为（A）。 A. B. C. D. 3.真空光电器件响应速度可以达到（C）量级。 A.usB.nsC.psD.fs4.在光电倍增管中，吸取光子能量发射光电子部件是（B）。 A.光入射窗B. 光电阴极 C.光电倍增级 D. 光电阳极5.在较强辐射作用下倍增管敏捷度下降现象称为（D）。 A.失效B.衰老C.失误D.疲劳三、判断题1.负电子亲和势光电阴极是真空能级在导带之下，从而使有效电子亲和势为负值。（对）2.NEA材料量子效率比常规光电子阴极材料高诸多。（对）3.光电倍增极在使用过程中队入射光没有特殊规定。（错）4.测量阳极敏捷度时，入射到阴极上光通量大概在10-510-2lm。（错）5.光电倍增管分压电阻普通规定流过电阻链电流比阳极最大电流大10倍以上。（对）6.光电倍增管电流增益普通不超过105。（错）7.光电倍增管增益定义为阳极电流与阴极电流之比，或阳极敏捷度与阴极敏捷度之比。（对）8.光电倍增管倍增极普通是不不大于12。(错)9.光电倍增管噪声重要是散粒噪声。（对）10.光电倍增管分压电阻链上电流值普通要比阳极最大平均电流大10倍以上。（对）第六某些 热探测器一、多项选取题1.惯用热辐射探测器重要有( ABC )。 A热电偶 B.测辐射热计 C.热释电探测器 D红外焦平面阵列 2.光电倍增管短波限和长波限决定因素有（BC）A.光电阳极材料 B.光电阴极材料 C.窗口材料 D.倍增级材料3.常规光电阴极材料有（ABCD）A.银氧铯 B.单碱锑化物 C.多碱锑化物 D.碲化铯 E 负电子亲和势4.光电倍增管时间特性重要有（ ABC ）参数A.响应时间 B.渡越时间 C.渡越时间分散 D.扩散时间二、单项选取题三、判断题1.光热效应是指探测器将吸取光能转换为热能，温度升高，使探测器某些物理性质发生变化。（对）第七某些 光电成像器件一、多项选取题1.直视型光电器件由几某些构成（ABCD ）A图像转换 B.增强 C.显示 D高真空管壳 E 阳极2.像管由如下几某些构成（ ACD ）A光电阴极 B.光电阳极 C.电子透镜 D荧光屏 E 倍增级3电荷耦合器件几种工作过程分为（ABCD ）A电荷包产生 B.电荷包耦合 C.电荷包存储 D电荷包检测 E MOS电容器4.CCD基本单元由如下几某些构成（ ABC ）A金属 B.氧化物 C.半导体 D光电阴极 E 光电阳极5.二相线阵CCD正常工作所需要工作脉冲有（ABC ）A驱动脉冲 B.复位脉冲 C.转移脉冲 D行选通脉冲 E 列选通脉冲6.光电摄像器件应具备基本功能有（ABC ）A光电变换 B.光电信号存储 C.扫描输出 D光电二极管 E MOS电容二、单项选取题1.对于P-20荧光屏，普通状况下1个20keV光电子可以产生（ A ）各种光子。A1000 B.300 C.100 D.10三、判断题1.摄像型光电成像是一种可以直接输出图像器件。（错）2.光谱匹配是指像管光谱响应范畴内，光源与光电阴极、光电阴极与荧光屏以及荧光屏与人眼视觉函数之间光谱分派匹配。（对）3.固体摄像器件光电信号读取与输出不是借助外界扫描机构，而是依托自身内部驱动脉冲来完毕。（对）4.二相线阵CCD两路驱动脉冲相位差是120度。（错）5.像管可以分为变像管和图像增强管。（ 对 ）6.级联式图像增强管亮度增益可达105。（ 对 ）