1、1.（1）(001)210（111）（1-10）（-132）111123（-3-22）236第1页(2)(-110)(3)第2页2.(263)m是指数中是指数中0个数，个数，n是相同指数是相同指数个数个数3.第3页4.第4页第5页6.第6页晶面及晶面及晶向晶向100110111100110 111bccfcc第7页密排面指数密排面指数密排面原子密度密排面原子密度密排方向指密排方向指数数密排方向原密排方向原子密度子密度bcc（110）111fcc（111）110hcp（0001）1/a第8页7.(1)(100)晶面间距为a=0.286nm(110)晶面间距(123)晶面间距自己计算第9页l8.(
2、1)不是l（2）不用看第10页l9.自己计算l10.不用看第11页第12页12.（1）0.097+0.181=0.278第13页14-17不用看18自己看第14页第四章第15页l3.自己看l4.不用看l5.（1）1点为正刃位错，2点为右螺位错，3点为负刃位错，4点为左螺位错。l（2）在晶体上下底面施加一对平行于b切应力，且下底面切应力与b同向平行。l（3）滑移面下部晶体相对于上部晶体产生与b相同滑移，并在晶体侧表面形成对应台阶。第16页l6.应在滑移面上、下两部分晶体施加一切应力，切应力方向应与de位错线平行。l（2）在上述切应力作用下，位错线de将向左（或向右）移动，即沿着与位错线de垂直方
3、向（且在滑移面上）移动。当位错线沿滑移面旋转360度后。在晶体表面沿柏氏矢量方向产生宽度为一个b台阶第17页l7.在两根位错线上12,34为刃位错，其余为螺位错。l（2）OS上各段位错都可在该滑移面内滑移，OS上12，34位错不能运动，其余各段都可在该滑移面内滑移。第18页l8.（1）AB和CD位错线形状都不变，但AB长度缩短b2，CD长度增加b1l（2）AB位错上形成右螺型扭折，EF上形成左螺型扭折。第19页l9.半径为r1位错环。10.自己看l11.（1）能，因为能量降低l（2）15.12.自己看13.不用看14自己看16-20不用看第20页第21页l6.第22页l10第23页第24页第25页第26页
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