复配表面活性剂对氧化锌单晶衬底后清洗效果的影响_鲍冬赟.pdf

第4 1卷 第3期V o l.4 1 N o.3材 料 科 学 与 工 程 学 报J o u r n a l o fM a t e r i a l sS c i e n c e&E n g i n e e r i n g总第2 0 3期J u n.2 0 2 3文章编号:1 6 7 3-2 8 1 2(2 0 2 3)0 3-0 3 4 7-0 7复配表面活性剂对氧化锌单晶衬底后清洗效果的影响鲍冬赟,潘新花,王 宁,黄靖云,叶志镇(浙江大学 材料科学与工程学院,浙江 杭州3 1 0 0 2 7)【摘 要】在Z n O单晶衬底的制造加工过程中,不可避免会引入二氧化硅磨料粒子、有机物等污染物,这会严重影响衬底上所生长薄膜的质量,从而影响半导体器件的性能和可靠性,因此后清洗工艺对外延薄膜的质量至关重要。本研究采用控制变量法研究了复配表面活性剂O-2 0和J F C的质量比及总质量对超声法后清洗效果的影响。研究发现,复配表面活性剂较单一表面活性剂对衬底表面污染的去除效果更好;不同质量比的复配表面活性剂的清洗效果不同,当O-2 0和J F C的质量比为2 1时,对衬底表面污染的去除效果最好;当O-2 0和J F C的质量比固定为2 1,增加复配表面活性剂的总质量,对衬底表面污染的去除效果更好;但当总质量增加到一定程度后,清洗效果不再提升,反而会增加表面活性剂的清除难度。【关键词】复配表面活性剂;Z n O单晶衬底;后清洗;S i O2颗粒中图分类号:T B 4 3 文献标志码:AD O I:1 0.1 4 1 3 6/j.c n k i.i s s n 1 6 7 3-2 8 1 2.2 0 2 3.0 3.0 0 1E f f e c t o fM i x e dS u r f a c t a n t so nP o s tC l e a n i n gZ n OS i n g l eC r y s t a l S u b s t r a t e sB A OD o n g y u n,P A NX i n h u a,WA N GN i n g,H U A N GJ i n g y u n,Y EZ h i z h e n(S c h o o l o fM a t e r i a l sS c i e n c ea n dE n g i n e e r i n g,Z h e j i a n gU n i v e r s i t y,H a n g z h o u3 1 0 0 2 7,C h i n a)【A b s t r a c t】I nt h e m a n u f a c t u r i n gp r o c e s so fZ n O s i n g l ec r y s t a ls u b s t r a t e s,t h ec o n t a m i n a t i o no nt h es u b s t r a t e i s i n e v i t a b l e,i n c l u d i n gs i l i c aa b r a s i v ep a r t i c l e s,o r g a n i cm a t t e r a n do t h e rp o l l u t a n t s,w h i c hw i l l s e r i o u s l ya f f e c tt h eq u a l i t y o ft h ef i l m g r o w t h o nt h es u b s t r a t e,t h u sa f f e c t i n gt h e p e r f o r m a n c ea n dr e l i a b i l i t y o fs e m i c o n d u c t o rd e v i c e s.T h e r e f o r e,t h ep o s t-c l e a n i n gp r o c e s s i s c r u c i a l t o t h e q u a l i t yo f e p i t a x i a l f i l m s.I n t h i sw o r k,w es t u d i e dt h e i n f l u e n c eo f t h em a s s r a t i oa n d t o t a lm a s so fm i x e ds u r f a c t a n t sO-2 0a n dJ F Co n t h eu l t r a s o n i cp o s tc l e a n i n gp r o c e s sb yt h ec o n t r o l v a r i a b l em e t h o d.I t i s f o u n dt h a t t h em i x e ds u r f a c t a n t ss h o wb e t t e rp e r f o r m a n c e i nr e m o v i n gs u r f a c ec o n t a m i n a t i o nt h a nt h es i n g l es u r f a c t a n t.T h ec l e a n i n ge f f e c to fm i x e ds u r f a c t a n t sv a r i e sw i t hd i f f e r e n tm a s s r a t i o s.Wh e nt h em a s s r a t i oo fO-2 0t oJ F Ci s2 1,t h er e m o v a l e f f e c to fs u r f a c ep o l l u t i o n s i st h eb e s t.Wh e nt h em a s sr a t i oo fO-2 0t oJ F Ci sf i x e da t2 1,i n c r e a s i n gt h et o t a lm a s so fm i x e ds u r f a c t a n t sw i l lb e n e f i t t h e r e m o v a l e f f e c t.H o w e v e r,w h e n t h e t o t a lm a s s i n c r e a s e s t o a c e r t a i ne x t e n t,f u r t h e r i n c r e a s i n g i tw i l l n o to p t i m i z e t h ec l e a n i n ge f f e c t a n y m o r e,b u tw i l lm a k e i th a r dt or e m o v es u r f a c t a n t s.【K e yw o r d s】M i x e ds u r f a c t a n t s;Z n Os i n g l ec r y s t a l s u b s t r a t e s;P o s t c l e a n i n g;S i l i c aa b r a s i v ep a r t i c l e s收稿日期:2 0 2 1-0 4-1 0;修订日期:2 0 2 1-0 9-1 3基金项目:浙江省重点研发计划资助项目(2 0 2 1 C 0 1 0 3 0)作者简介:鲍冬赟(1 9 9 6),女,硕士研究生,研究方向:半导体表面处理工艺。E-m a i l:b d y 1 9 9 61 6 3.c o m。通信作者:叶志镇(1 9 5 5),男,教授,研究方向:半导体材料。E-m a i l:y e z z z j u.e d u.c n。1 前 言 氧化锌(Z n O)是一种具有纤锌矿结构的直接带隙的 宽 带 隙 半 导 体 材 料,在 室 温 下 禁 带 宽 度 约 为3.3 7e V,激子束缚能为6 0 m e V1-2。由于其激子束缚能高、直接带隙宽等优良性质,在光电领域3-4、光催化5-6等领域具有广阔的应用前景。Z n O薄膜是Z n O研究和应用中的主要形态结构之一,被广泛应用于L E D行业。制备性能良好的Z n O薄膜是研制Z n O基光电器件的基础,而不同的衬底会直接影响Z n O外延薄膜的质量。理论上,在氧化锌单晶衬底上同质外延生长Z n O薄膜可以解决由于衬底与薄膜的差异导致的晶格失配、热应力、缺陷密度高等问题,从而制备出高质量的Z n O薄膜。尽管氧化锌薄膜同质外延的研究还不多,但是已有文献证明,在质量较好的Z n O单晶衬底上同质外延生长Z n O薄膜可以得到比异质外延质量更好的Z n O薄膜7-8。就Z n O薄膜的同质外延来说,成功的关键取决于Z n O单晶衬底的质量,比如衬底表面粗糙度9、表面损伤、杂质及颗粒残留1 0等。在衬底的制造加工过程中,许多污染物会残留在衬底表面,比如清洗液的残留物、抛光液中的磨料粒子及其他杂质等,导致5 0%以上的晶圆由于表面杂质及颗粒的污染被损失1 1。众所周知,化学机械平坦化(C M P)工艺是目前亚微米器件必须且唯一的在局部和全局范围内实现有效平整的方法1 2-1 3。在C M P过程中,在机械作用和化学作用的共同作用下,Z n O单晶衬底表面由于化学键发生断裂导致表面活性和能量急剧增加,从而通过吸附抛光液中的磨料粒子以达到平衡,这会极大地影响同质外延生长Z n O薄膜的质量。因此,尽可能去除衬底表面的残留物,避免后清洗时腐蚀衬底表面,制订一种合适的后清洗工艺至关重要1 4-1 5。在后清洗工艺中,清洗方法和清洗剂共同决定了清洗效果。其中,清洗剂中常常加入各种表面活性剂、螯合剂和p H调节剂等以提高清洗能力。表面活性剂一端是亲水基团,一端是疏水基团,能在溶液的表面定向排列,它可以显著降低清洗液的表面张力1 6,增强清洗液的润湿性能和渗透效果,使其能更好地吸附在衬底表面,从而使得对S i O2磨料粒子有很好的去除效果。尽管衬底的后清洗工艺对于外延薄膜质量和后续的器件制备至关重要,但就Z n O单晶衬底而言,目前对其后清洗工艺的研究相对较少,这也极大地阻碍了Z n O同质外延薄膜的研发进展。因此,从清洗剂的角度出发,采用超声法研究复配表面活性剂J F C和O-2 0对氧化锌单晶衬底表面杂质的去除效果,并得出优化的后清洗工艺,为Z n O薄膜的同质外延生长提供技术支撑。2 实验材料与方法2.1 实验材料与试剂 实验所用Z n O单晶衬底为水热法制备的1c m1c m0.5mm的Z n面单抛衬底,均购于中山大学黄丰老师 课 题 组,具 有 较 高 的 结 晶 度 和 较 低 的 缺 陷密度。使用如下两种表面活性剂:(1)平平加O-2 0:分子式为C18H3 7O(CH2CH2O)2 0H1 7,由江苏海安石油化工厂提供,常温下呈固态,易溶于水和乙醇,其水溶液在高浓度下呈凝胶状态,对环境无严重危害。(2)J F C:分子式为R O(CH2CH2O)6.5H,由江苏海安石油化工厂提供,R是C 1 2和C 1 4的羟基的混合,混合比为7 3,常温下呈固态,对环境无严重危害。2.2 表征手段 采 用H i t a c h iS-4 8 0 0型 发 射 扫 描 电 子 显 微 镜(S EM)及 其 附 带 的H o r i b aX射 线 能 量 色 散 谱 仪(E D S)来分析Z n O单晶衬底清洗前的表面污染情况,从而有针对性地制定实验方案;使用n a n o I R 2-f s多功能纳米红外光谱仪中的原子力显微镜扫描探针显微镜(A FM)和O C A2 0视频光学接触角测量仪来比较Z n O单晶衬底清洗前后表面污染情况的变化,由此探究合适的后清洗工艺。2.3 实验方法 在使用复配表面活性剂清洗之前,首先将Z n O衬底依次在二甲苯、乙醇和去离子水中超声1h。结果显示该操作对有机残留物的去除效果较好,但是对二氧化硅粒子的去除基本没有作用。然后将衬底分别在质量分数为8%的单一表面活性剂J F C和O-2 0中超声1 0m i n,超声温度分别为3 0、4 0、5 0和6 0。结果显示,单一表面活性剂对二氧化硅颗粒的去除效果比较差,在温度为5 0时去除效果相对其他温度有所提高。曲里京等1 8比较了在清洗剂中加入单一表面活性剂及多种不同的表面活性剂后对铜表面二氧化硅颗粒的去除效果,得出多种不同的表面活性剂可产生协同作用,去除效果更好。因此,将进一步研究复配表面活性剂对氧化锌单晶衬底表面二氧化硅颗粒去除效果的影响。为保证 清 洗 前 的 颗 粒 分 布 状 况 基 本 一 致,对1c m1c m0.5mm尺寸的Z n面单抛氧化锌单晶衬底进行表征,选取表面颗粒及其他杂质残留分布均匀的衬底,将其裁剪成四块尺寸相同的样品进行实验。首先,将样品置于聚四氟乙烯清洗架上,分别在二甲苯、乙醇和去离子水中超声清洗1h,然后在复配表面活性剂中超声清洗,详细实验参数见后。最后,用去离子水进行多次超声清洗,去除表面活性剂。将清洗前后的接触角、A FM表征结果进行对比,从而得到清洗效果最好的后清洗工艺。843材料科学与工程学报2 0 2 3年6月3 结果与讨论3.1 氧化锌单晶衬底表面的污染状况 对清洗前的氧化锌单晶衬底进行A FM表征,结果如图1(a)所示,可以看出,衬底表面有大量颗粒和有机物残留。对衬底表面沉积大量颗粒的位点进行S EM和E D S表征,结果如图1(b)所示,显示表面含有大量的S i和O元素,与CMP工艺中的S i O2磨料粒子元素组成一致,从而可以认证CMP后氧化锌单晶衬底表面残留的杂质颗粒为S i O2磨料粒子。因此,明确后清洗工艺的目的是在不损害氧化锌单晶衬底的前提下去除表面残留的S i O2颗粒和残存有机物。图1 清洗前的氧化锌单晶衬底表面表征:(a)A FM形貌;(b)左侧:Z n、S i和O的E D S元素分布图;右侧:氧化锌单晶衬底的S EM形貌F i g.1 C h a r a c t e r i z a t i o no f z i n co x i d es i n g l ec r y s t a l s u b s t r a t eb e f o r ec l e a n i n g:(a)A FM m o r p h o l o g y;(b)o nt h e l e f t:E D Se l e m e n t a lm a p p i n go fO,S i a n dZ n;o nt h er i g h t:S EM m o r p h o l o g yo f z i n co x i d es i n g l ec r y s t a l s u b s t r a t e3.2 复配表面活性剂组成的质量配比对清洗效果的影响 首先研究了复配表面活性剂的构成物配比对清洗效果的影响,相关的实验参数为:去离子水的质量为5 0g,O-2 0的质量为4g,O-2 0和J F C的质量比分别为1 0,2 1,1 1,1 2,p H值为7。表面接触角可以用来反映衬底表面的洁净度。接触角越小,表明衬底表面的亲水性越强,也就是衬底表面越洁净1 9-2 0。Z n O单晶衬底在不同质量比的复配表面活性剂中清洗前后的接触角如图2所示。从图中可以看出,清洗前,衬底的接触角为8 3.2 5,表面玷污严重;清洗后,不同质量比的复配表面活性剂均使衬底的表面接触角降低,证明表面洁净程度提高,且不同质量比的清洗剂对接触角的改变程度不同:当O-2 0和J F C的质量比为2 1时,接触角最小,为6 2,衬底表面最洁净。为了进一步确认Z n O单晶衬底的清洗效果,对清洗前后的氧化锌单晶衬底进行了A FM表征。从图3可以看出,在清洗前,衬底表面有大量S i O2颗粒和有机物残留,清洗后残留物均有所减少,不同质量比的清洗剂的清洗效果不同。当清洁剂中仅有O-2 0时,衬底表面仍残留一些大颗粒;当使用O-2 0和J F C复配剂时,表面大颗粒基本被去除,但仍存有一些小颗粒;当O-2 0和J F C的质量比为2 1时,表面杂质残留量最图2 复配表面活性剂质量比对氧化锌单晶衬底的接触角的影响F i g.2 E f f e c to fm a s s r a t i oo fm i x e ds u r f a c t a n t so nt h ec o n t a c ta n g l eo fZ n Os i n g l ec r y s t a l s u b s t r a t e s少,与接触角检测结论一致。表面污染物残留越少,表面粗糙度(RM S)就越小。从图3(f)可以看出,当O-2 0和J F C的质量比为2 1时,RM S最小,从清洗前的2 7.2n m降至清洗后的0.9 6n m。用样品清洗前后表面污染百分率(c o n t a m i n a t i o np e r c e n t a g e,简称C P%)来表示样品污染区域面积占总表面积的百分比,计算方法如式(1)所示。将清洗前后表面污染百分率之差与清洗前表面污染百分率之比定义为污染去除率,如式(2)所示。用i m a g ep r op l u s软件2 1分别对清洗前后的A FM图进行分析,计算C P%和污染去除率,如图4所示。从图中可以看出,在清洗前,氧化锌单晶衬底表面污染严重,C P%为943第4 1卷第3期鲍冬赟,等.复配表面活性剂对氧化锌单晶衬底后清洗效果的影响 图3 氧化锌单晶衬底在不同质量比的复配表面活性剂中清洗前后的A FM形貌:(a)清洗前;O-2 0和J F C的质量比分别为:(b)1 0,(c)2 1,(d)1 1,(e)1 2;(f)RM SF i g.3 A FM m o r p h o l o g yo fZ n Os i n g l ec r y s t a l s u b s t r a t e sb e f o r ea n da f t e rc l e a n i n g i nm i x e ds u r f a c t a n t sw i t hd i f f e r e n tm a s s r a t i o s:(a)b e f o r ec l e a n i n g;t h em a s s r a t i oo fO-2 0t oJ F Ci s:(b)1 0;(c)2 1;(d)1 1;(e)1 2;(f)RM S图4 不同质量比复配的表面活性剂对清洗效果的影响:(a)表面污染百分率的变化;(b)污染去除率的变化F i g.4 E f f e c to fm i x e ds u r f a c t a n t sw i t hd i f f e r e n tm a s sr a t i o so nc l e a n i n ge f f e c t:(a)v a r i a t i o no f s u r f a c ec o n t a m i n a t i o np e r c e n t a g e;(b)v a r i a t i o no f c o n t a m i n a t i o nr e m o v a l r a t e2 8.0 4%,清洗后C P%减小,当O-2 0和J F C的质量比为2 1时,C P%最小值为5.4%,此时污染去除率达到8 0.7 4%。C P%=样品表面污染覆盖的面积样品表面总面积1 0 0%(1)污染去除率=(清洗前样品表面污染覆盖的面积-清洗后样品表面污染覆盖的面积)/清洗前样 品表面污染覆盖的面积1 0 0%(2)综上所述,复配表面活性剂对表面污染的去除效果要优于单一表面活性剂,且不同质量配比的复配表面活性剂对表面污染的去除效果不同。复配表面活性剂对衬底表面污染物的去除机理如图5所示。O-2 0和J F C均含有亲水基团氧乙烯基,可以与S i O2颗粒表面的羟基形成氢键,与Z n O单晶衬底表面断裂的键形成Z nO型的键合。在超声波的作用下,表面活性剂的亲水基团吸附在Z n O表面,在表面形成保护膜,阻碍颗粒的进一步吸附,并顺势托起S i O2颗粒。当表面活性剂的浓度达到一定程度时,形成胶束并将颗粒包裹,此时再用去离子水超声,可达到去除颗粒的目的1 8,2 2。复配表面活性剂的去除效果优于单一表面活性剂的机理主要有以下两个,第一,复配表面活性剂的表面张力小于单一表面活性剂,使清洗剂有更强的渗透和润湿能力2 3;第二,当O-2 0和J F C的质量比不同时,复配表面活性剂的临界胶束浓度也不同;临界胶束浓度越小,表面活性越大,对S i O2颗粒去除效果越好2 4。因此,适当比例的O-2 0和J F C配合会产生协同作用,使S i O2颗粒更好地被混合胶束包裹,Z n O 053材料科学与工程学报2 0 2 3年6月图5 复配表面活性剂去除二氧化硅机理图F i g.5 S c h e m a t i co f s i l i c ar e m o v a l b ym i x e ds u r f a c t a n t s单晶衬底表面能更好地吸附O-2 0和J F C的混合单分子层,从而提高对表面S i O2颗粒的去除效果。3.3 复配表面活性剂的总质量对清洗效果的影响 进一步研究了每清洗一件Z n O单晶衬底所使用的复配表面活性剂的总质量对清洗效果的影响,相关的实验参数为:清洗 剂中去离子 水的质量 为5 0g,O-2 0和J F C的质量比为2 1,总质量分别为3g,6g,9g,1 2g,p H值为7。使用不同总质量的复配表面活性剂清洗Z n O单晶衬底,前后测得的表面接触角如图6所示。从图中可以看出,清洗前,衬底的接触角为8 4.0 5,表面玷污严重;清洗后,其他条件不变时,随着复配表面活性剂的总质量增大,对表面污染物的去除效果也越好,当总质量为9g时,测得接触角最小为5 8.7 0,表明此时表面最为洁净;但总质量继续增加反而会导致接触角回升。图6 清洗一件氧化锌单晶衬底所使用的复配表面活性剂的总质量对衬底表面接触角的影响F i g.6 E f f e c to f t o t a lm a s so fm i x e ds u r f a c t a n t so nt h ec o n t a c ta n g l eo fZ n Os i n g l ec r y s t a l s u b s t r a t e s 为了进一步确认清洗效果,对清洗前后的氧化锌单晶衬底进行A FM表征,结果如图7所示。从图中可以看到,清洗前,衬底表面有大量颗粒和有机物残留,经清洗后残留物均有所减少,不同总质量的复配表面活性剂对清洗效果的影响不同。当总质量为3g和6g时,衬底表面仍残留一些大颗粒;当总质量增大到9g时,表面大颗粒基本被去除,此时表面最为洁净;当总质量继续增大到1 2g时,清洗效果没有得到进一步提升,反而会产生新的污染,导致接触角的增大。从图7(f)可以看出,总质量为9g时,此时衬底表面的RM S最小,从清洗前的1 8.9 3n m降至清洗后的0.7 1n m。从图8可以看出,氧化锌单晶衬底在清洗前表面污染较严重,表面污染百分率为1 3.5 5%,当用总质量为9g的O-2 0和J F C复配清洗剂清洗后表面污染百分 率 最 小,为3.8 7%,污 染 去 除 率 最 大,达 到7 1.4 3%。综上所述,其他条 件 不 变 时,清 洗 每 件 衬 底 所用复配表面活性剂的总质量越大,对表面污染的去除效果越好,但总质量超过一定 量后,反而会 带来表面活性剂在衬底表面成膜以致难以去除,引入新的污染。其机理如图9所示,当复配表面活性剂的质量较少时,二氧化硅颗粒不能 被全部包裹,随着清洗剂总质量的增加,包裹活性剂的二氧化硅颗粒数量也增加,从而提高去除效果。但当复配表面活性剂质量增加到一定值时,就能将二氧化硅颗粒全部包裹住,若继续增加表面活性 剂的量,多余 的表面活性剂 在 超 声 波 的 作 用 下,可 能 在 样 品 表 面 成膜,产生新的污染,即使在去离子 水中超声也 难以完全去除。153第4 1卷第3期鲍冬赟,等.复配表面活性剂对氧化锌单晶衬底后清洗效果的影响图7 氧化锌单晶衬底在不同总质量的复配表面活性剂中清洗前后的A FM形貌:(a)清洗前;清洗剂总质量/件单晶衬底为:(b)3g,(c)6g,(d)9g,(e)1 2g;(f)RM SF i g.7 A FM m o r p h o l o g yo fZ n Os i n g l ec r y s t a l s u b s t r a t e sb e f o r ea n da f t e r c l e a n i n g i nm i x e ds u r f a c t a n t sw i t hd i f f e r e n t t o t a lm a s s:(a)b e f o r ec l e a n i n g;t h e t o t a lm a s s i s:(b)3g,(c)6g,(d)9g,(e)1 2g,(f)RM S图8 清洗每件衬底所用复配表面活性剂总质量对清洗效果的影响:(a)表面污染百分率的变化;(b)污染去除率的变化F i g.8 E f f e c to f t h e t o t a lm a s so fm i x e ds u r f a c t a n t so nc l e a n i n ge f f e c t:(a)v a r i a t i o no f s u r f a c ec o n t a m i n a t i o np e r c e n t a g e;(b)v a r i a t i o no f c o n t a m i n a t i o nr e m o v a l r a t e图9 使用过量的复配表面活性剂对去除二氧化硅的不利影响示意图F i g.9 S c h e m a t i co f s i l i c ar e m o v a l b ym i x e ds u r f a c t a n t s4 结 论 通过采用复配表面活性剂J F C和O-2 0对氧化锌单晶衬底表面杂质去除效果的研究,得到以下结果:1.与单一表面活性剂相比,复配表面活性剂对二氧化硅的去除有更好的效果。2.当其他条件不变,复配活性剂中O-2 0与J F C的质量比为2 1时,复配剂组成物间的协同作用最强,去除效果最好。3.当其他条件不变,O-2 0与J F C的质 量比为2 1时,清洗每件衬底所用复配活性剂的总质量越大,对衬底表面二氧化硅颗粒的去除效果越好,但过量使用复配剂反而会增加表面活性剂的清除难度。253材料科学与工程学报2 0 2 3年6月4.通过以上实验研究,可以确定分别在二甲苯、乙醇、去离子水、复配表面活性剂(O-2 0与J F C的质量比为2 1,总质量为9g)、去离子水中超声清洗Z n O单晶衬底一定时间,可以去除衬底表面绝大多数的颗粒污染物,为Z n O薄膜的同质外延生长提供质量技术支撑。参考文献1 黄丰,郑伟,王梦晔,等.氧化锌单晶生长、载流子调控与应用研究进展J.人工晶体学报,2 0 2 1,5 0(2):2 0 9-2 4 3.2 薛红.掺铈宽禁带Z n O薄膜的光学特性研究J.渭南师范学院学报,2 0 2 0,3 5(1 1):8 2-8 6.3 杨翘楚,孙赫阳,张福隆,等.基于三明治结构的Z n O紫外光电探测器J.发光学报,2 0 2 0,4 1(9):1 1 5 3-1 1 5 7.4 Z HAN G K,Z HAN G T,WAN G F,e ta l.E x p l o r a t i o n o nc h e m i c a lm e c h a n i c a lp l a n a r i z a t i o no fZ n Of u n c t i o n a lt h i nf i l m sf o rn o v e ld e v i c e sJ.M i c r o e l e c t r o n i cE n g i n e e r i n g,2 0 1 3,1 0 1:3 7-4 1.5 C UN T,D ON G C,HUAN G Q.I o n o t h e r m a lp r e c i p i t a t i o no fh i g h l yd i s p e r s i v eZ n On a n o p a r t i c l e sw i t h i m p r o v e dp h o t o c a t a l y t i cp e r f o r m a n c eJ.A p p l i e dS u r f a c eS c i e n c e,2 0 1 6,3 8 4:7 3-8 2.6 GAN C HE VAM,MA R KOVA-V E L I C HKOVAM,AT ANA S OVAG,e ta l.D e s i g na n dp h o t o c a t a l y t i ca c t i v i t yo fn a n o s i z e dz i n co x i d e sJ.A p p l i e dS u r f a c eS c i e n c e,2 0 1 6,3 6 8(a p r.1 5):2 5 8-2 6 6.7 VON WE N C K S T E R N H,S C HM I D T H,HAN I S CH C,e ta l.H o m o e p i t a x yo fZ n O b yp u l s e d-l a s e rd e p o s i t i o nJ.p h y s i c as t a t u ss o l i d i(R R L)-R a p i d R e s e a r c h L e t t e r s,2 0 0 7,1(4):1 2 9-1 3 1.8 刘振华,樊龙,符亚军,等.同质外延生长Z n O单晶结构及光电性能的研究J.人工晶体学报,2 0 2 1,5 0(4):7 6 8-7 7 5.9 YO S H I NO Y,I NOU E K,T AK E U C H I M,e ta l.E f f e c to fs u b s t r a t es u r f a c e m o r p h o l o g ya n di n t e r f a c e m i c r o s t r u c t u r ei nZ n Ot h i n f i l m s f o r m e do nv a r i o u s s u b s t r a t e sJ.V a c u u m,2 0 0 0,5 9(2-3):4 0 3-4 1 0.1 0 KAN GJK,MU S G R AV E C B.T h em e c h a n i s m o fH F/H2Oc h e m i c a l e t c h i n go fS i O2J.T h eJ o u r n a lo fC h e m i c a lP h y s i c s,2 0 0 2,1 1 6(1):2 7 5-2 8 0.1 1 张士伟.半导体晶圆的污染杂质及清洗技术J.电子工业专用设备,2 0 1 4,4 3(7):1 8-2 1.1 2 AC W L,B B T D,A C F Y.P o s tc l e a n i n go fc h e m i c a lm e c h a n i c a l p o l i s h i n gp r o c e s sJ.A p p l i e dS u r f a c eS c i e n c e,1 9 9 6,9 2:1 7 6-1 7 9.1 3 张涛峰.Z n O光电功能薄膜材料的CMP研究D.天津:天津理工大学,2 0 1 2.1 4 MYON G K K,B YUN J,C HOO M-J,e ta l.D i r e c ta n dq u a n t i t a t i v es t u d yo fc e r i a-S i O2i n t e r a c t i o nd e p e n d i n go nC e3+c o n c e n t r a t i o nf o rc h e m i c a l m e c h a n i c a lp l a n a r i z a t i o n(CMP)c l e a n i n gJ.M a t e r i a l sS c i e n c ei n S e m i c o n d u c t o rP r o c e s s i n g,2 0 2 1,1 2 2:1 0 5 5 0 0.1 5 尤美琳,朱亦鸣.金属刻蚀后清洗导致A l S i C u互连线空洞问题的研 究 和 对 策 J.材 料 科 学 与 工 程 学 报,2 0 1 2,3 0(2):1 7 6-1 8 1.1 6 陈涛.复配表面活性剂体系的相平衡和相互作用D.上海:华东理工大学,2 0 1 2.1 7 姚永毅,朱谱新,胡杰,等.平平加O-2 0单分子膜的解吸扩散系数J.纺织学报,2 0 0 5(1):4-6.1 8 曲里京,高宝红,王玄石,等.铜CMP后清洗中表面活性剂去除颗粒的研究进展J.半导体技术,2 0 2 0,4 5(1 0):7 7 5-7 8 1,7 9 5.1 9 韦嘉辉,周海,高晗,等.表面活性剂复配对蓝宝石CMP后清洗效果的影响J.微纳电子技术,2 0 1 9,5 6(2):1 5 1-1 5 6.2 0 陈贵财.太阳能多晶硅片表面污染物去除技术的研究D.大连:大连理工大学,2 0 1 1.2 1 R ANAWE E R ACK,B A R A D ANAHA L L IN K,P O P UR IR,e ta l.Amm o n i u m p e r s u l f a t ea n dp o t a s s i u m o l e a t ec o n t a i n i n gs i l i c ad i s p e r s i o n sf o rc h e m i c a lm e c h a n i c a lp o l i s h i n gf o rc o b a l ti n t e r c o n n e c t a p p l i c a t i o n sJ.E C SJ o u r n a lo fS o l i dS t a t eS c i e n c e&T e c h n o l o g y,2 0 1 9,8(5):P 3 0 0 1-P 3 0 0 8.2 2 杨飞,檀柏梅,高宝红,等.多层铜布线表面CMP后颗粒去除研究J.微纳电子技术,2 0 1 2,4 9(1 2):8 2 9-8 3 2.2 3 王聪,刘玉岭,王辰伟,等.复合表面活性剂在铜CMP中减少缺陷的作用J.半导体技术,2 0 2 0,4 5(5):3 9 6-4 0 3.2 4 王锦,刘大中.复配非离子表面活性剂O P与平平加-2 5的协同效应研究J.山东轻工业学院学报(自然科学版),1 9 9 9(2):5-7.(校对:周邦昌)353第4 1卷第3期鲍冬赟,等.复配表面活性剂对氧化锌单晶衬底后清洗效果的影响