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传苹果iPhone7将采用全新NAND闪存
虽然苹果iPhone 6S和6S Plus尚未发布，但不少人已经将目光放在了明年的iPhone 7上。之前曾有消息称iPhone 7将会采用全屏幕设计，传统的Home键将会被取消.而如今,外国媒体phonearena又为我们带来了这款手机的最新消息,消息显示苹果iPhone 7将会采用SanDisk和东芝最新的NAND闪存.

前不久,SanDisk和东芝推出了世界首款256Gbit X3 48层3D NAND闪存，该闪存模块无论是在速度还是效率上都要超过任何现有的产品。而根据phonearena带来的最新消息显示，这款闪存模块将会被应用在苹果新款iPhone身上，这款新iPhone将会在2016年推出。按照这样的时间安排来看,这款新iPhone应该就是iPhone 7，届时该机将拥有更快、更大的存储速度和空间。

据悉,这款256Gbit X3 48层3D NAND闪存采用了3bit/cell多值化技术,容量为32GB。目前,这种256Gbit X3芯片采用了15nm的工艺，比市面上最优秀的商用闪存芯片电路密度提高了2倍、存储速度提高4-5倍，而能耗将进一步降低。并且,因为采用了3D堆栈技术，新芯片的面积将缩小,非常适合智能手机、平板电脑之类的设备。由于SanDisk和东芝与苹果合作密切，所以未来iPhone采用该内存也是情理之中的事情.

此外，苹果目前还正在积极打造3D的软硬件生态系统。由于iPhone 6所采用的内嵌触控技术如果直接采用3D薄膜屏幕，那么会产生严重的干扰问题，而且良率也会太低.所以在iPhone 7上苹果很有可能将改用薄膜触控技术，再贴合3D屏幕，那么可以简化对面板的驱动,不易受到串音干扰和比较省电，而且也会提升良率。
iPhone 7还将提升摄像头功能，目前关于iPhone 7摄像头的参数有两种说法，其中一种说法称iPhone 7的摄像头将会升级至1400万像素,从而将会带来更出众的画面质量。另一种说法则表示苹果会在下一代iPhone上配备双镜头，但最终的目的并非实现 3D效果，而提供媲美单反相机的出色画质。不过苹果最后会选择哪一种技术，也许要等到明年秋天iPhone 7正式发布的时候才会知晓了。