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SF 工艺说明产品名称单晶硅电池片编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称扩散工位编号 KS 需要人数第1张共7张流向 ZBKS 1. 目确保单晶硅磷扩散工艺处于稳定受控状态 2. 适用范围适适用于单晶硅磷扩散工序 3. 责任本工艺说明由技术部负责 4. 内容 4.1 工艺步骤 4.1 根据设备点检表点检设备是否完好，符合运行条件。 4.2 升温 4.2.1 根据《扩散设备操作规程》进行升温。对于不常见炉管，需优异行一次饱和。 4.3 装片、检验（见附页一） 4.3.1 打开传输窗，将片盒从传输窗拿出放到净化工作台里； 4.3.2 用舟叉将空石英舟端至净化工作台； 4.3.3 用石英真空吸笔将片盒内硅片移至石英舟槽内，每槽2片； 4.3.4 在装片过程中，需检验硅片表面是否洁净。若硅片两面全部不洁净，做返工片处理；若一面洁净，一面不洁净，则将洁净面作为扩散面； 4.3.5 检验硅片是否有裂纹，若有裂纹作碎片处理。 4.4 上桨（见附页二） 4.4.1 用舟叉将石英舟平稳端出净化台，石英舟微微向上倾斜，约15°，端至碳化硅桨上，一边靠近匀流板约13cm。 4.5 扩散 4.5.1 根据《扩散设备操作规程》，开启设备，含有生产条件； 4.5.2 点击触摸屏上“工艺运行”按钮，输入正确工艺号,参考《扩散工序工艺参数表》，检验各工艺参数是否符合要求，点击“确定”按钮，运行扩散工艺。更改标识数量更改单号签名日期签名日期第1页拟制审核共7页标准化批准旧底图总号底图总号日期签名 SF 工艺说明产品名称单晶硅电池片编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称扩散工位编号 KS 需要人数第2张共7张流向 ZBKS 4.6 方块电阻测量（见附页三） 4.6.1 扩散工艺运行完成后，用舟叉将石英舟端至卸片台，根据从炉口到炉尾方向依次均匀取五片，放入片盒中，注意区分扩散面和非扩散面，扩散面一定要朝片盒大面放置。 4.6.2 根据《四探针测试仪操作规程》测量方块电阻，测量硅片中心点和四个角方块电阻值，测量四角方块电阻时注意探针距硅片边缘距离要大于1cm，测完后关闭四探针主机电源，而且正确填写《方块电阻统计表》。 4.6.3 方块电阻值要求在40±5Ω范围内，不均匀度不超出10％，如超出该范围，应立即通知工艺人员。不均匀度定义为：计算五片硅片方块电阻平均值，在这五个数值中取最大值和最小值，（R最大-R最小）/（R最大+R最小）×100%即为不均匀度。 4.7 卸片、检验（见附页四） 4.7.1 若方块电阻无异常，则将石英舟上扩散后硅片装至黑色承载盒中，确保全部硅片扩散面向上。 4.7.2 经过传输窗流入下道工序。 4.8 工艺参数 4.8.1 扩散工艺参数在各炉管中，均定义为01号工艺。时间（分钟）温度（℃）大N2（L/min）小N2（L/min） O2（L/min）源温（℃）进炉 6 840~890 25~30 20 稳定 9 840~890 25~30 20 通源 20~30 840~890 25~30 1.6~2.0 1.8~2.2 20 吹氮 10 840~890 25~30 20 出炉 10 840~890 25~30 20 注：因各炉管之间差异，所以各工艺参数之间也存在差异，上表给出是正常工艺参数范围。更改标识数量更改单号签名日期签名日期第2页拟制审核共7页标准化批准旧底图总号底图总号日期签名 SF 工艺说明产品名称单晶硅电池片编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称扩散工位编号 KS 需要人数第3张共7张流向 ZBKS 4.8.2 TCA清洗工艺在各炉管中，均定义为02号工艺。时间（分钟）温度（℃）大N2（L/min）小N2（L/min） O2（L/min）源温（℃）通氧 5 1050 25 10.0 20 通源 480 1050 25 1.0 10.0 20 吹氧 10 1050 25 10.0 20 4.9 注意事项 4.9.1 各个炉管工艺参数操作者不得随意改动。 4.9.2本工序必需穿戴连体洁净工作服、洁净工作鞋、洁净工作帽、乳胶手套及口罩。 4.9.3 必需正确填写《电池线生产日报&交接表》。 5.引用文件扩散设备操作规程：SF／QD-设备-02 炉管清洗工艺操作规程：SF／QD-工艺-03 扩散检验工艺规程：SF／QD-工艺-13 四探针测试仪操作规程：SF／QD-设备-12 更改标识数量更改单号签名日期签名日期第3页拟制审核共7页标准化批准旧底图总号底图总号日期签名 SF 工艺说明产品名称单晶硅电池片编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称扩散工位编号 KS 需要人数第4张共7张流向 ZBKS 附页一：装片、检验更改标识数量更改单号签名日期签名日期第4页拟制审核共7页标准化批准插片插片时必需穿好洁净工作服。净化工作台严禁裸手操作，一定要戴好乳胶手套，且不得用手直接接触硅片和石英舟。石英吸笔，从片盒中吸收硅片插到石英舟内。片盒石英舟，每个槽插两片硅片旧底图总号底图总号日期签名 SF 工艺说明产品名称单晶硅电池片编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称扩散工位编号 KS 需要人数第5张共7张流向 ZBKS 附页二：上桨更改标识数量更改单号签名日期签名日期第5页拟制审核共7页标准化批准上桨移动、放置石英舟时，一定要小心轻放！触摸屏碳化硅桨，易碎安装、拆卸时切勿碰撞！距离13cm 匀流板旧底图总号底图总号日期签名 SF 工艺说明产品名称单晶硅电池片编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称扩散工位编号 KS 需要人数第6张共7张流向 ZBKS 附页三：方块电阻测量更改标识数量更改单号签名日期签名日期第6页拟制审核共7页标准化批准四探针测试台测量四探针主机扩散面朝上如实填写《方块电阻统计表》，如有异常情况，立即通知工艺人员。旧底图总号底图总号日期签名 SF 工艺说明产品名称单晶硅电池片编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称扩散工位编号 KS 需要人数第7张共7张流向 ZBKS 附页四：卸片、检验 5．引用文件扩散设备操作规程：SF/QD-设备-02 炉管清洗工艺操作规程：SF/QD-工艺-03 扩散检验工艺规程：SF/QD-工艺-13 更改标识数量更改单号签名日期签名日期第7页拟制审核共7页标准化批准卸片卸片台，不得放置异物，以免污染硅片！扩散面一律朝上！承载盒旧底图总号底图总号日期签名

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