1、2013年4月考试数字电子技术第二次作业一、填空题(本大题共10分,共 5 小题,每小题 2 分)1. E2PROM利用 _ 擦出和写入数据。2. 闪存的数据改写遵循 _ 、 _ 的原则。通常先 _ 擦除欲改写的众多存储单元,然后以 _ 为单位写入数据。3. 在或非门基本RS触发器中,输入信号R、S的每一次变化称为一次 _ 。在触发时刻(tn)前瞬,触发器所处的稳定状态称为 _ ;在触发时刻(tn)后,触发器到达新的稳定状态称为 _ 。4. 具有相同 _ 的存储单元组成一个字,字的每个存储单元存储 _ 位;存储器容量等于 _ 之积。5. 按工作原理,量化和编码电路分为 _ 和 _ 。直接型AD
2、C将模拟信号(通常是电压)直接转换为数字信号,模数转换速度 _ 。二、判断改错题(本大题共10分,共 2 小题,每小题 5 分)1. 指出下列各种类型的触发器中哪些能组成移位寄存器,哪些不能组成移位寄存器。(1)基本RS触发器;(2)同步RS触发器;(3)维持阻塞D触发器;(4)利用传输延迟时间的边沿触发器。2. 工作时,随机访问存储器(RAM)能从任何一个随机地址读出和写入数据。三、绘图题(本大题共10分,共 1 小题,每小题 10 分)在图所示TTL门电路中,已知门电路输出的高电平UOH=3V,输出的低电平UOL=0.3V,输入A、B、C的波形如图(b)所示,试画出Y的波形图。四、计算题(
3、本大题共20分,共 2 小题,每小题 10 分)1. 分析图电路的逻辑功能,写出Y1、Y2的逻辑表达式,列出真值表,指出电路完成什么逻辑功能。2. 在下图中,当输入电压VI分别为0.3V时,求输入电流。五、问答题(本大题共10分,共 2 小题,每小题 5 分)1. 什么是异步输入信号?2. CMOS电路与TTL电路相比其优点有哪些? 六、分析题(本大题共20分,共 2 小题,每小题 10 分)1. 分析图所示CMOS电路的输出状态。2. 用图所示的CMOS电路连接成:(1)3个反相器;(2)3输入端或非门;(3)3输入端与非门;(4)或与非门七、设计题(本大题共10分,共 1 小题,每小题 1
4、0 分)用8路数据选择器实现函数八、证明题(本大题共10分,共 1 小题,每小题 10 分)求函数的对偶式。答案:一、填空题(10分,共 5 题,每小题 2 分)1. 参考答案:电子的隧道效应解题方案:评分标准:2. 参考答案:先擦除;后写入;批量地;字解题方案:评分标准:3. 参考答案:触发;现态(或原状态);次态(或新状态)解题方案:评分标准:4. 参考答案:地址码;一个二进制;字数和每字位数解题方案:评分标准:5. 参考答案:直接型;间接型;较快解题方案:评分标准:二、判断改错题(10分,共 2 题,每小题 5 分)1. 参考答案:(1)不能;(2)不能;(3)不能;(4)能解题方案:评
5、分标准:2. 参考答案:对。解题方案:评分标准:三、绘图题(10分,共 1 题,每小题 10 分)0. 参考答案:根据图写出输出逻辑表达式:解题方案:评分标准:四、计算题(20分,共 2 题,每小题 10 分)1. 参考答案:解题方案:评分标准:2. 参考答案:解题方案:评分标准:五、问答题(10分,共 2 题,每小题 5 分)1. 参考答案:不受时钟控制的复位和置位信号发挥重要作用,它们分别称为异步复位和异步置位信号。解题方案:评分标准:2. 参考答案:与TTL门电路比较CMOS电路的优点主要有:(1)CMOS由场效应管构成,电压控制器件,功耗很小,TTL功耗较大。(2)COMS的逻辑电平范
6、围比较大(515V),TTL只能在5V下工作。 (3)CMOS的负载噪声容限大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差 。(4)在带同类门负载的情况下CMOS门电路扇出系数较大。解题方案:评分标准:六、分析题(20分,共 2 题,每小题 10 分)1. 参考答案:(a)Y1=1;(b)Y2=1;(c)Y3=1;(d)Y4=1;(e)Y5=1解题方案:评分标准:2. 参考答案:(1)三个反相器:电路如图所示,其中以3、6、10为反相器输入端,13、1、12为输出端。 (2)三输入端或非门:电路如图所示,其中3,6,10为或非门输入端,12为输出端。 (3)三输入端与非门:电路如图所示,其中3,6,10为与非门输入端,12为输出端。 解题方案:评分标准:七、设计题(10分,共 1 题,每小题 10 分)0. 参考答案:选择A、B、C变量作为数据选择器的地址变量,令A=A2、B=A1、C=A0。将函数进行形式变换 解题方案:评分标准:八、证明题(10分,共 1 题,每小题 10 分)0. 参考答案:解题方案:评分标准:10 / 10