一次清洗工艺说明模板.doc

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SF 工艺说明产品名称单晶硅电池片编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称一次清洗工位编号 YCQX 需要人数第1张共8 张流向 KS 1.目标确保单晶硅片扩散前清洗腐蚀工艺处于稳定受控状态 2.使用范围适适用于单晶硅片扩散前清洗腐蚀工序 3.责任本工艺说明由技术部负责 4.硅片检验 4.1 将包装箱打开，查看规格、电阻率、厚度、单多晶、厂家、编号是否符合要求； 4.2 检验硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺角、油污、划痕、凹痕；(见附图一、二) 4.3 将不合格品放置要求碎片盒子内，作统一处理。 5.装片（见附图三） 5.1 片盒保持洁净，片盒底部衬以海绵，将硅片插入片盒中，每盒最多插25片硅片。 5.2 严禁手和片盒、硅片直接接触，必需戴塑料洁净手套或乳胶手套操作。每插100张硅片，需更换手套。 5.3 操作中严禁工作服和硅片和片盒接触。 6.上料（见附图四） 6.1 硅片插完后，取出片盒底部海绵，扣好压条。 6.2 将已插好硅片片盒整齐、有序装入包塑不锈钢花篮中，每篮12个片盒，片盒之间有合适间隔。 7化学腐蚀液配制 7.1 准备：将各槽中破损硅片等杂质清除，用去离子水将各槽壁冲洗洁净。 7.2 配制：向5、6、8、10#槽中注满去离子水，1-4、7、9#槽中注入约二分之一深度去离子水，根据“7.3” 百分比分别向各槽加入指定量化学药品，再注去离子水达成指定高度。更改标识数量更改单号签名日期签名日期第1 页拟制审核共 8页标准化批准旧底图总号底图总号日期签名 SF 工艺说明产品名称单晶硅电池片编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称一次清洗工位编号 YCQX 需要人数第2张共8张流向 KS 7.3 化学腐蚀液配制百分比　槽号 1#槽 2-4#槽 7# 9#槽功效去损伤层制绒去Na2SiO3 去金属离子清洗液组成氢氧化钠氢氧化钠异丙醇硅酸钠氢氟酸盐酸 NaOH NaOH IPA Na2SiO3·9 H2O HF HCl 标准浓度（克/升） 40±5 18±5 5±2 3±1 53±5 84±5 加入试剂 9千克 2千克 12升 6千克 16升 32升加入试剂（瓶) 18 4 3 12 4 8 液面高度（厘米） 42 32 32 32 30 30 7.4 配制溶液要求： 7.4.1 配料次序：1#槽按水、氢氧化钠次序；2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠、异丙醇次序。 7#槽按水、氢氟酸、水次序；9#槽按水、盐酸、水次序。 7.4.2 时间要求：2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠配制完成后，需等候10分钟以后硅酸钠、氢氧化钠完全溶解后，才能加异丙醇。1#槽配制完成后,温度达成工艺要求以后，同时2-4#槽其中一槽加硅酸钠、氢氧化钠10分钟后，才可进硅片。 7.4.3 异丙醇加液要求：需用塑料管或漏斗将异丙醇加到制绒槽底部，在硅片进入1#槽以后才能加异丙醇，降低异丙醇挥发。 8.各化学药品规格及要求 8.1 氢氧化钠：电子纯，容量500克/瓶，浓度 ≥98%。 8.2 异丙醇：电子纯，容量4升/瓶，浓度≥99.9%，密度0.78克/毫升。 8.3 硅酸钠：电子纯，容量500克/瓶。 8.4 盐酸：MOS级，容量4升/瓶，浓度36%～38%，密度1.18克/毫升。 8.5 氢氟酸：MOS级，容量4升/瓶，浓度≥49%，密度1.13克/毫升。 9.工艺过程化学药品补加（同附表二） 9.1 工艺过程7、9#槽不需补加化学药品，1-4#槽每清洗一篮硅片按以下要求补加：槽号 1#槽 2～4#槽每清洗一篮硅片排液(cm) 补加NaOH 补加NaOH 补加IPA 1.5±0.5 25±10g 25±10g 4升（一瓶）备注清洗停止1小时以上，每停1小时，需补加2升IPA，最多补加6升（1.5瓶）。更改标识数量更改单号签名日期签名日期第 2页拟制审核共 8页标准化批准旧底图总号底图总号日期签名 SF 工艺说明产品名称单晶硅电池片编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称一次清洗工位编号 YCQX 需要人数第3张共8张流向 KS 10.各槽化学液更换频率（同附表三）工艺正常操作时（不许可全部排液、重新配液）槽号 1#槽 2～4#槽 7#槽 9#槽更换周期二十四小时二十四小时 12小时 12小时更换时间早班交接班早班交接班交接班交接班工艺不正常时（1～4号槽）更换条件工艺不正常状态1 连续停机8小时以上，要求全部换液重配工艺不正常状态2 2～4#槽，其中一槽连续3篮硅片出现白斑，能够对该槽单独重新配液。工艺不正常状态3 2～4#槽，其中一槽硅片出现白斑超出50%，能够对该槽单独重新配液。工艺不正常状态4 2～4#槽，连续全部出现白斑，能够对1#槽单独重新配液。 11.清洗腐蚀工艺参数设置（同附表四） 11.1 小片盒放置硅片 11.1.1 使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数设置（同附表四）槽位 1#槽 2-4#槽 5#槽 6#槽 7#槽功效去损伤制绒漂洗喷淋去Na2SiO3 时间 270±30um 240±30um 230±30um 30 min 5 min 5 min 1 min 4min 2min 1min 温度℃ 65±2 83±2 常温常温常温槽位 8#槽 9#槽 10#槽 11#槽 12#槽 13、14#槽功效漂洗去金属离子漂洗喷淋慢拉烘干时间 5 min 5 min 5 min 5 min 不使用不使用温度℃ 常温常温常温常温不使用不使用注意：使用小片盒硅片12、13、14#槽不使用。干燥工艺采取11.1.2离心甩干工艺。 11.1.2 离心甩干工艺（同附表五）项目主轴低速主轴高速喷水时间吹气时间开门时间蜂鸣器延时参数 205rpm 430rpm 30秒 180秒 10秒 10秒更改标识数量更改单号签名日期签名日期第 3页拟制审核共8 页标准化批准旧底图总号底图总号日期签名 SF 工艺说明产品名称单晶硅电池片编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称一次清洗工位编号 YCQX 需要人数第4张共8张流向 KS 11.2 大片盒放置硅片（同附表六） 11.2.1 使用大片盒清洗硅片腐蚀工艺参数设置 1～11#槽工艺和使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数相同 11.2.2 12～14#槽工艺参数设置：槽位 12#槽 13、14#槽功效慢拉烘干时间 2 min 17 min 温度℃ 常温 170±2℃ 11.3返工硅片腐蚀工艺参数设置（同附表七） 11.3.1依据“一次清洗检验工艺规程”，对清洗后硅片进行表面检验，重量、厚度检验和绒面质量分类。检验不合格硅片，依据其厚度，按“11.1.1”选择对应清洗腐蚀工艺。 11.3.2 不合格硅片，厚度≤200µm直接转至扩散工序；200µm＜厚度≤230µm，按以下工艺返工：槽位 1#槽 2-4#槽功效去损伤层制绒时间 0 min 20 min 温度℃ 65±2 83±2 12.运行 12.1 依据《一次清洗工艺操作规程》，在手动工作状态下，根据“11 清洗腐蚀工艺参数设置”，设定各槽时间，及相关温度； 12.2 依据《一次清洗工艺操作规程》，打到自动工作状态，运行清洗设备，对硅片进行清洗腐蚀。 13 工艺安全及注意事项 13.1 工艺安全：盐酸、氢氟酸和氢氧化钠全部含有强腐蚀性，在配液过程中，操作人员接触化学药品时应根据要求穿戴好防护服、防护面具、防护眼镜及长袖耐酸碱胶皮手套。 13.2 硅片在检测过程中，操作人员不能用手直接接触硅片和片盒，必需正确穿戴口罩、一次性手套、洁净工作服、工作帽、乳胶手套，预防钠离子、油类沾污硅片。 13.3 硅片易碎，在操作过程中，操作人员要轻拿轻放，以降低碎片。 14 引用文件 SF／QD-工艺-01一次清洗工艺操作规程 SF／QD –工艺-12一次清洗检验工艺规程更改标识数量更改单号签名日期签名日期第4 页拟制审核共 8页标准化批准旧底图总号底图总号日期签名 SF 工艺说明产品名称单晶硅电池片编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称一次清洗工位编号 YCQX 需要人数第5张共8张流向 KS 附图一更改标识数量更改单号签名日期签名日期第5页拟制审核共8页标准化批准硅片检验 1 将包装箱打开，查看规格、电阻率、厚度、单多晶、厂家、编号是否符合要求； 2 检验硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺角、油污、划痕、凹痕； 3 将不合格品放置要求碎片盒子内，作统一处理。崩边油污油污崩边、缺角附图一针孔附图二旧底图总号底图总号日期签名 SF 工艺说明产品名称单晶硅电池片编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称一次清洗工位编号 YCQX 需要人数第6张共8张流向 KS 更改标识数量更改单号签名日期签名日期第6页拟制审核共8页标准化批准片盒保持洁净，每盒插25片硅片。严禁手和片盒、硅片直接接触，须戴塑料洁净手套或乳胶手套操作，每插100片硅片，需更换手套。工作服不能和硅片和片盒接触片盒底部需垫海绵插片附图三将已插好硅片片盒整齐、有序装入包塑不锈钢花篮中，每篮12个片盒，片盒之间有对应间隔硅片插完后，取掉片盒底部海绵，扣好压条。上料附图四旧底图总号底图总号日期签名 SF 工艺说明产品名称单晶硅电池片编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称一次清洗工位编号 YCQX 需要人数第7张共8张流向 KS 附表一：化学腐蚀液配制百分比表　槽号 1#槽 2-4#槽 7#槽 9#槽功效去损伤层制绒去Na2SiO3 去金属离子清洗液组成氢氧化钠氢氧化钠异丙醇硅酸钠氢氟酸盐酸 NaOH NaOH IPA Na2SiO3·9 H2O HF HCl 标准浓度（克/升） 40±5 18±5 5±2 3±1 53±5 84±5 加入试剂 9千克 2千克 12升 6千克 16升 32升加入试剂（瓶) 18 4 3 12 4 8 液面高度（厘米） 42 32 32 32 30 30 附表二：工艺过程化学药品补加槽号 1#槽 2～4#槽每清洗一篮硅片排液(cm) 补加NaOH 补加NaOH 补加IPA 1.5±0.5 25±10g 25±10g 4升（一瓶）备注清洗停止1小时以上，每停1小时，需补加2升IPA，最多补加6升（1.5瓶）。附表三：各槽化学液更换频率工艺正常操作时（不许可全部排液、重新配液）槽号 1#槽 2～4#槽 7#槽 9#槽更换周期二十四小时二十四小时 12小时 12小时更换时间早班交接班早班交接班交接班交接班工艺不正常时（1～4#槽）更换条件工艺不正常状态1 连续停机8小时以上，要求全部换液重配工艺不正常状态2 2～4#槽，其中一槽连续3篮硅片出现白斑，能够对该槽单独重新配液。工艺不正常状态3 2～4#槽，其中一槽硅片出现白斑超出50%，能够对该槽单独重新配液。工艺不正常状态4 2～4#槽，连续全部出现白斑，能够对1#槽单独重新配液。更改标识数量更改单号签名日期签名日期第7页拟制审核共8页标准化批准旧底图总号底图总号日期签名 SF 工艺说明产品名称单晶硅电池片编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称一次清洗工位编号 YCQX 需要人数第8张共8张流向 KS 附表四：使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数设置槽位 1#槽 2-4#槽 5#槽 6#槽 7#槽功效去损伤制绒漂洗喷淋去Na2SiO3 时间 270±30µm 240±30µm 230±30µm 30 min 5 min 5 min 1 min 4min 2min 1min 温度℃ 65±2 83±2 常温常温常温槽位 8#槽 9#槽 10#槽 11#槽 12#槽 13、14#槽功效漂洗去金属离子漂洗喷淋慢拉烘干时间 5 min 5 min 5 min 5 min 不使用不使用温度℃ 常温常温常温常温不使用不使用附表五：使用小片盒离心甩干工艺项目主轴低速主轴高速喷水时间吹气时间开门时间蜂鸣器延时参数 205rpm 430rpm 30秒 180秒 10秒 10秒附表六：使用大片盒承载硅片使用大片盒清洗硅片工艺参数，1～11#槽工艺和使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数设置相同。12～14#槽工艺参数设置为槽位 12#槽 13、14#槽时间 2 min 17 min 温度℃ 常温 170±2℃ 附表七：返工硅片腐蚀工艺参数设置 1. 依据“一次清洗检验工艺规程”，对清洗后硅片进行表面检验，重量、厚度检验和绒面质量分类。检验不合格硅片，依据其厚度，按“附表四”选择对应清洗腐蚀工艺。 2. 不合格硅片，200µm≤厚度直接下转至扩散工序；200µm＜厚度≤230µm，按以下工艺返工槽位 1#槽 2～4#槽时间 0 min 15 min 温度℃ 65±2 83±2 更改标识数量更改单号签名日期签名日期第8页拟制审核共8页标准化批准旧底图总号底图总号日期签名

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