1、PCB化学镀铜工艺步骤解读(一)化学镀铜(Eletcroless Plating Copper)通常也叫沉铜或孔化(PTH)是一个本身催化性氧化还原反应。首先用活化剂处理,使绝缘基材表面吸附上一层活性粒子通常见是金属钯粒子(钯是一个十分昂贵金属,价格高且一直在上升,为降低成本现在国外有实用胶体铜工艺在运行),铜离子首先在这些活性金属钯粒子上被还原,而这些被还原金属铜晶核本身又成为铜离子催化层,使铜还原反应继续在这些新铜晶核表面上进行。化学镀铜在我们PCB制造业中得到了广泛应用,现在最多是用化学镀铜进行PCB孔金属化。PCB孔金属化工艺步骤以下: 钻孔磨板去毛刺上板整孔清洁处理双水洗微蚀化学粗化
2、双水洗预浸处理胶体钯活化处理双水洗解胶处理(加速)双水洗沉铜双水洗下板上板浸酸一次铜水洗下板烘干一、镀前处理1 去毛刺 钻孔后覆铜泊板, 其孔口部位不可避免产生部分小毛刺,这些毛刺如不去除将会影响金属化孔质量。最简单去毛刺方法是用200400号水砂纸将钻孔后铜箔表面磨光。机械化去毛刺方法是采取去毛刺机。去毛刺机磨辊是采取含有碳化硅磨料尼龙刷或毡。通常去毛刺机在去除毛刺时,在顺着板面移动方向有部分毛刺倒向孔口内壁,改善型磨板机,含有双向转动带摆动尼龙刷辊,消除了除了这种弊病。2 整孔清洁处理 对多层PCB有整孔要求,目标是除去钻污及孔微蚀处理。以前多用浓硫酸除钻污,而现在多用碱性高锰酸钾处理法,
3、随即清洁调整处理。孔金属化时,化学镀铜反应是在孔壁和整个铜箔表面上同时发生。假如一些部位不清洁,就会影响化学镀铜层和印制导线铜箔间结合强度,所以在化学镀铜前必需进行基体清洁处理。最常见清洗液及操作条件列于表以下:清洗液及操作条件 配方组分123碳酸钠(g/l)4060磷酸三钠(g/l)4060OP乳化剂(g/l)23氢氧化钠(g/l)1015金属洗净剂(g/l)1015温 度()505040处理时间(min)333搅拌方法空气搅拌机械移动空气搅拌机械移动空气搅拌 机械移动3 覆铜箔粗化处理 利用化学微蚀刻法对铜表面进行浸蚀处理(蚀刻深度为2-3微米),使铜表面产生凹凸不平微观粗糙带活性表面,从
4、而确保化学镀铜层和铜箔基体之间有牢靠结合强度。以往粗化处理关键采取过硫酸盐或酸性氯化铜水溶液进行微蚀粗化处理。现在大多采取硫酸/双氧水(H2SO4/H202 )其蚀刻速度比较恒定,粗化效果均匀一致。因为双氧水易分解,所以在该溶液中应加入适宜稳定剂,这么可控制双氧水快速分解,提升蚀刻溶液稳定性使成本深入降低。常见微蚀液配方以下:硫酸H2SO4150200克/升双氧水H202 4080毫升/升 常见稳定剂以下:稳定剂化合物添加量蚀刻铜速率双氧水H202分解率C2H5NH 2 10g/l28% 1.4mg/l.minn-C4H9NH2 10ml/l232%2.7 mg/l.minn-C8H17NH2
5、 1 ml/l 314% 1.4mg/l.minH2NCH2NH2 10g/l 2.4 mg/l.minC2H5CONH2 0.5 g/l98% /C2H5CONH21 g/l 53% /不加稳定剂 0100%快速分解我们以不加稳定剂蚀刻速率 为100%,那么蚀刻速率大于100%为正性加速稳定剂,小于100%为负性减速稳定剂。对于正性加速稳定剂不用加热,在室温(25度C)条件下就含有较高蚀刻速度。而负性减速稳定剂,必需加热使用才能产生微蚀刻铜效果。应注意新开缸微蚀刻液,开始蚀刻时速率较慢,可加入4g/l硫酸铜或保留25%旧溶液。二、活化活化目标是为了在基材表面上吸附一层催化性金属粒子,从而使整
6、个基材表面顺利地进行化学镀铜反应。常见活化处理方法有敏化活化法(分步活化法)和胶体溶液活化法(一步活化法)。1敏化活化法(分步活化法)(1)敏化处理 常见敏化液是氯化亚锡水溶液。其经典配方以下:氯化亚锡(Sncl2.2H2O)3050g/L盐酸50100ml/L锡粒35g/l配制时先将水和盐酸混合,然后加入氯化亚锡边搅拌使其溶解。锡粒可预防Sn2+氧化。敏化处理在室温下进行,处理时间为35min,水洗后进行活化处理。(2)活化处理常见离子型活化液是氯化钯溶液,其经典配方以下:氯化钯pdCl20.51g/L盐酸 510ml/L处理条件室温,处理12min敏化活化法溶液配制和操作工艺简单,在早期印
7、制板孔金属化工艺中曾得到广泛应用。这种方法有二个关键缺点:一是孔金属化合格率低,在化学镀铜后总会发觉有部分孔沉不上铜,其关键有二个方面原因,其一是Sn+2离子对环氧玻璃基体表面湿润性不是很强,其二是Sn+2很易氧化尤其是敏化后水洗时间稍长,Sn+2被氧化为Sn+4,造成失去敏化效果,使孔金属化后部分孔沉不上铜。二是化学镀铜层和铜箔结协力差,其原因是在活化过程中,活化液中贵金属离子和铜箔间发生置换反应,在铜表面上形成一层松散金属钯。假如不去除会影响沉铜层和铜箔间结合强度。在多层连接和图形电镀法工艺中,这种缺点已经成为影响印制板质量关键矛盾,现在是用螯合离子钯分步活化法来处理这些问题,现在用得也比
8、较少。2胶体钯活化法(一步活化法)(1)配方常见胶体钯活化液配方列于表胶体钯活化液配方及操作条件配方组份12氯化钯 (ml/L)10.25盐 酸 (37%)(g/L)30010氯化亚锡 (g/L)703.2锡酸钠 (g/L)70.5氯化钠 (g/L)250尿 素 (g/L)50温 度室温室温时 间 (min)2323pH0.10.70.8采取胶体钯活化液能消除铜箔上形成松散催化层,而且胶体钯活化液含有很好活性,显著地提升了化学镀铜层质量,所以,在PCB孔金属化工艺中,得到了普遍应用。表中配方1是酸基胶体钯,因为其盐酸含量高,使用时酸雾大且酸性太强对黑氧化处理多层内层连接盘有浸蚀现象,在焊盘处易
9、产生内层粉红圈。活化液中钯含量较高,溶液费用大,所以已极少采取。配方2是盐基胶体钯。在盐基胶体钯活化液中加入尿素,能够和Sn2+O形成稳定络合物H2NCNH3SC13,预防了活化剂产生沉淀,显著地降低了盐酸挥发和Sn2+离子氧化,从而提升了胶体钯活化液稳定性。(2)胶体钯活化液配制方法a 酸基胶体钯活化液称取1g氯化钯溶解于100ml盐酸和200ml纯水混合液中,并在恒温水浴中保持30,边搅拌边加入氯化亚锡(SnCl22H2O)2.54g搅拌12min,然后再和事先配制好氯化亚锡60g、盐酸200ml和锡酸钠7g混合液溶解在一起,再在45恒温水浴条件下保温3h,最终用水稀释至1L即可使用。b
10、盐基胶体钯活化液称取氯化钯0.25g,加入去离子水200ml,盐酸10ml,在30条件下搅拌,使氯化钯溶解。然后加入3.2g氯化亚锡并合适搅拌,快速倒入事先配制好含有尿素50g、氯化钠250g、锡酸钠0.5g和水800mL混合溶液中,搅拌使之全部溶解,在45条件下保温3h,冷至室温,用水稀释至1L。(3)胶体钯处理工艺采取胶体钯活化液按下述程序进行:预浸处理胶体钯活化处理水洗解胶处理水洗化学镀铜a 预浸处理经过粗化处理覆铜箔板,假如经水洗后直接浸入胶体钯活化液中进行活化处理,将会使活化液中含水量不停增加,造成胶体钯活化液过早聚沉。所以,在活化处理前要先在含有Sn2+酸性溶液中进行预浸处理12m
11、in,取出后直接浸入胶体钯活化液中进行活化处理。配制时应首先将盐酸和水相混合,然后再加入SnCl22H2O ,搅拌溶解,这么可预防SnCl2水解。 酸基胶体钯预浸液配方:氯化亚锡(SnCl2.2H2O) 70100g/L盐酸37%(体积) 200-300ml/L盐基胶体钯预浸液配方:SnCl2.2H2O30g/LHCl30ml/lNaCl200g/lOH2N-C-NH250g/lb 活化处理在室温条件下处理35min,在处理过程中应不停移动覆铜箔板,使活化液在孔内流动,方便在孔壁上形成均匀催化层。c 解胶处理活化处理后,在基材表面吸附着以钯粒子为关键,在钯核周围,含有碱式锡酸盐胶体化合物。在化
12、学镀铜前,应将碱式锡酸盐去除,使活性钯晶核充足暴露出来,从而使钯晶核含有很强而均匀活性。经过解胶处理再进行化学镀铜,不仅提升了胶体钯活性,而且也显著提升化学镀铜层和基材间结合强度。常见解胶处理液是5%氢氧化钠水溶液或1%氟硼酸水溶液。解胶处理在室温条件下处理12min,水洗后进行化学镀铜。d 胶体铜活化液介绍:明胶2g/lCuSO4.5H2O 20g/lDMAB(二甲胺基硼烷)5g/l水合肼10 g/l钯20ppmPH7.0配制过程: 首先分别将明胶和硫酸铜用温水(40度C)溶解后将明胶加入至硫酸铜溶液中,用25%H2SO4将PH值调至2.5当温度为45度C时,将溶解后DMAB在搅拌条件下缓慢加入上述混合溶液中,并加入去离子稀释至1升,保温4045度C,并搅拌至反应开始(约510分钟)溶液颜色由蓝再变成绿色。放置二十四小时颜色变成红黑色后加入水合肼,再反应有二十四小时后胶体溶液PH值为7,就可投入使用。为了提升胶体铜活性,通常再加入少许钯。