STGW30M65DF2代料SGT30T60SDM1P7新能源电机igbt管600V、30A参数_骊微电子.pdf

士兰微电子 SGT30T60SDM1P7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.5 http:/ 共 8 页 第 1 页 30A、600V绝缘栅双极型晶体管 描述 SGT30T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field Stop III）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于 UPS，SMPS 以及 PFC 等领域。特点 30A，600V，VCE（sat）（典型值）=1.65VIC=30A 低导通损耗 快开关速度 高输入阻抗 CGE123TO-247-3L 命名规则 SGT 30 T 60 S D M 1 P7士兰IGBT系列电流规格,如:70表示70A等N:N沟平面栅NE:N沟平面栅带ESDT:Field Stop 3和4U:Field Stop 4+V:Field Stop 5W:Field Stop 6X:Field Stop 7电压规格，如:65表示650V120表示1200V等D:合封二极管R:集成二极管（RC IGBT）封装形式,如P7:TO-247-3LF:TO-220F-3L等1,2,3:版本号空:标准二极管（Standard）M:标准二极管、全电流规格（Standard Full）R:快速二极管（Rapid）B:快速二极管、全电流规格（Rapid Full）S:超软二极管、全电流规格（Soft Full）L :超低速，推荐频率2KHzQ:低速，推荐频率220KHzS :标准，推荐频率540KHzF :高速，推荐频率1060KHzUF:超高速，推荐频率40KHz 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SGT30T60SDM1P7 TO-247-3L 30T60SDM1 无铅 料管 士兰微电子 SGT30T60SDM1P7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.5 http:/ 共 8 页 第 2 页 极限参数（除非特殊说明，TC=25C）参数 符号 参数范围 单位 集电极-射极电压 VCE 600 V 栅极-射极电压 VGE 20 V 集电极电流 TC=25C IC 60 A TC=100C 30 集电极脉冲电流 ICM 90 A 二极管电流 TC=25C IF 60 A TC=100C 30 短路维持时间（VGE=15V，VCC=300V）Tsc 10 s 耗散功率（TC=25C）PD 230 W 工作结温范围 TJ-55+150 C 贮存温度范围 Tstg-55+150 C 热阻特性 参数 符号 参数范围 单位 芯片对管壳热阻（IGBT）RJC 0.54 C/W 芯片对管壳热阻（FRD）RJC 1.2 C/W 士兰微电子 SGT30T60SDM1P7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.5 http:/ 共 8 页 第 3 页 IGBT 电性参数（除非特殊说明，TC=25C）参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 集射击穿电压 BVCE VGE=0V，IC=250A 600-V 集射漏电流 ICES VCE=600V，VGE=0V-200 A 栅射漏电流 IGES VGE=20V，VCE=0V-400 nA 栅极开启电压 VGE（th）IC=250A，VCE=VGE 4.0 5.0 6.5 V 饱和压降 VCE（sat）IC=30A，VGE=15V，TC=25C-1.65-V IC=30A，VGE=15V，TC=125C-1.9-V 输入电容 Cies VCE=30V VGE=0V f=1MHz-1650-pF 输出电容 Coes-130-反向传输电容 Cres-35-开启延迟时间 Td（on）VCE=400V IC=30A Rg=10 VGE=15V 感性负载-30-ns 开启上升时间 Tr-105-关断延迟时间 Td（off）-67-关断下降时间 Tf-100-导通损耗 Eon-1.85-mJ 关断损耗 Eoff-0.45-开关损耗 Est-2.3-栅电荷 Qg VCE=400V，IC=30A，VGE=15V-76-nC 发射极栅电荷 Qge-20-集电极栅电荷 Qgc-38-FRD 电性参数（除非特殊说明，TC=25C）参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 二极管正向压降 VFM IF=30A，TC=25C-1.8-V IF=30A，TC=125C-1.5-二极管反向恢复时间 Trr IEC=30A，dIEC/dt=200A/s-40-ns 二极管反向恢复电荷 Qrr IEC=30A，dIEC/dt=200A/s-90-nC 士兰微电子 SGT30T60SDM1P7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.5 http:/ 共 8 页 第 4 页 典型特性曲线 图1.典型输出特性图3.典型饱和压降特性集电极电流 IC(A)集电极-发射极电压 VCE(V)集电极电流 IC(A)集电极-发射极电压 VCE(V)集电极电流 IC(A)栅极-发射极电压 VGE(V)图4.传输特性图2.典型输出特性集电极电流 IC(A)集电极-发射极电压 VCE(V)集电极-发射极电压 VCE(V)栅极-发射极电压 VGE(V)图5.饱和电压 vs.VGE集电极-发射极电压 VCE(V)栅极-发射极电压 VGE(V)图6.饱和电压 vs.VGE0208002364010304共射极TC=25 C0206001244010303TC=25 CTC=125 C共射极VGE=15V020500154010105TC=125 CTC=25 C共发射极VCE=10V05154812201016共射极TC=25 C60A30AIC=15AVGE=9VVGE=11VVGE=13VVGE=15VVGE=17V05154812201016共射极TC=125 C60A30AIC=15A155060700208002364010304共射极TC=125 CVGE=9VVGE=11VVGE=13VVGE=15VVGE=17V155060703050 士兰微电子 SGT30T60SDM1P7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.5 http:/ 共 8 页 第 5 页 典型特性曲线（续）开关时间 ns栅极电阻-RG()图10.导通特性 vs.栅极电阻开关时间 ns图11.关断特性 vs.栅极电阻栅极电阻-RG()集电极-发射极电压-VCE(V)壳温 TC(C)图7.饱和压降 vs.温度图8.电容特性图9.栅极电荷特性电容(pF)集电极-发射极电压 VCE(V)栅极-发射极电压-VGE(V)栅极电荷量 QG(nC)开关损耗 mJ图12.开关损耗 vs.栅极电阻栅极电阻-RG()0100025001101001500500110000102050104030Cies共射极VGE=0Vf=1MHzTC=25 CCoesCres0615020809312共射极TC=25 C60101000020305040100100100000102050401.02.03.02550751252.51.5共射极VGE=15V100IC=60AIC=30AIC=15A2000trtd(on)103040VCC=100VVCC=200VVCC=300V共射极VCC=400V,VGE=15V,IC=30A，TC=25 C100共射极VCC=400V,VGE=15V,IC=30A，TC=25 Ctftd(off)1000共射极VCC=400V,VGE=15V IC=30A,TC=25 CEoffEon 士兰微电子 SGT30T60SDM1P7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.5 http:/ 共 8 页 第 6 页 典型特性曲线（续）正向电流-IFM(A)正向电压-VFM(V)图16.正向特性反向恢复时间-Trr(ns)图 17.反向恢复时间VS.正向电流正向电流-IF(A)开关时间 ns集电极电流-IC(A)图13.导通特性 vs.集电极电流图14.关断特性 vs.集电极电流图15.开关损耗 vs.集电极电流开关时间 ns集电极电流-IC(A)开关损耗 J集电极电流-IC(A)反向恢复电荷-Qrr(nC)图 18.反向恢复电荷VS.正向电流正向电流-IF(A)1010000010601000302011000020601004030110001.03.0102.0Eon101000010601004020tftr0.53035450204060di/dt=100A/usdi/dt=200A/us40204060901000204060di/dt=200A/usdi/dt=100A/us8050td(on)30共射极VCC=400V,VGE=15V,RG=10，TC=25 C40TC=125 CTC=25 C1010共射极VCC=400V,VGE=15V,RG=10，TC=25 C50td(off)共射极VCC=400V,VGE=15V,RG=10，TC=25 C10050Eoff2.51.5305070 士兰微电子 SGT30T60SDM1P7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.5 http:/ 共 8 页 第 7 页 典型特性曲线（续）图19.最大安全工作区域集电极电流-ID(A)集电极-发射极电压 VCE(V)DC10ms1ms100s10-2100100101102注：1.最大结温值：150 C2.参考温度最大值：25 C10210110310-110s 封装外形图 TO-247-3L 单位：毫米 AA2A1Cb2DEE2eLL1Qbb4P 15.5016.104.405.2020.8021.3019.7220.225.80AA1A2bb2cDEE2eLL1Q4.805.005.202.212.412.591.852.002.151.111.363.252.910.510.7521.0015.805.005.44 BSC19.924.305.606.001.912.25b4MAXSYMBOLMINNOMMILLIMETER_P3.403.80 士兰微电子 SGT30T60SDM1P7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.5 http:/ 共 8 页 第 8 页 重要注意事项重要注意事项：产品名称：SGT30T60SDM1P7 文档类型：说明书 版 权：杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页：http:/ 版 本：1.5 修改记录：1.添加高温 IF 电流 版 本：1.4 修改记录：1.添加短路保护时间 2.更新说明书模板 版 本：1.3 修改记录：1.图 4 传输特性中全部改成共射极 Vce=10V 版 本：1.2 修改记录：1.更新命名规则 版 本：1.1 修改记录：1.更新 SOA 图 2.更新封装外形图 版 本：1.0 修改记录：1.正式版本发布 1.士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。2.客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。产品应用前请仔细阅读说明书，包客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。产品应用前请仔细阅读说明书，包括其中的电路操作注意事项。括其中的电路操作注意事项。3.我司产品属于消费类电子产品或其他民用类电子产品。我司产品属于消费类电子产品或其他民用类电子产品。4.在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。5.购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。6.产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！7.我司网站我司网站 http:/