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6N137中文资料.doc

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______________________________________________________________________________________________________________ 6n137 中文资料 应用电路 pdf 6n137 封装图 6n137 管脚说明 <P6n137中文资料 应用电路 pdf 6n137 封装图 6n137 管脚说明 用:6N137/HCPL2601,HCPL2611,HCPL2630,HCPL2631是高速光电耦合器 6n137的内部结构原理如下图所示,信号从脚2和脚3输入,发光二极管发光,经片内光通道传到光敏二极管,反向偏置的光敏管光照后 导通,经电流-电压转换后送到与门的一个输入端,与门的另一个输入为使能端,当使能端为高时与门输出高电平,经输出三极管反向后光电隔离器输出低电平。当 输入信号电流小于触发阈值或使能端为低时,输出高电平,但这个逻辑高是集电极开路的,可针对接收电路加上拉电阻或电压调整电路。 型号: 单通道: 6N137 , HCPL2601 , HCPL2611 双通道: HCPL2630 , HCPL2631 高速10MBit / s的逻辑门光电 引脚图 原理如上图所示,若以脚2为输入,脚3接地,则真值表如附表所列,这相当于非门的传输,若希望在传输过程中不改变逻辑状态,则从脚3 输入,脚2接高电平。 真值表 功能(正逻辑) Input 输入 Enable 使能 Output 输出 H H L L H H H L H L L H H NC L L NC H 绝对最大额定值(Ta= 25 ℃除非另有说明): Symbol 符号 Parameter 参数 Value 数值 Units 单位 TSTG Storage Temperature 贮藏温度 -55 to +125 ℃ TOPR Operating Temperature 操作温度 -40 to +85 ℃ TSOL Lead Solder Temperature 焊料温度 260 for 10 sec ℃ EMITTER 发送端 IF DC/Average Forward 直流/平均正向 单通道 50 mA Input Current 输入电流 双通道(每通道) 30 VE Enable Input Voltage Not to Exceed VCC by more than 500mV 单通道 5.5 V VR Reverse Input Voltage 反向输入电压 每个通道 5.0 V PI Power Dissipation 功耗 单通道 100 mW 双通道(每通道) 45 DETECTOR 接收端 VCC (1 minute max) Supply Voltage 电源电压   7.0 V IO Output Current 输出电流 单通道 50 mA 双通道(每通道) 50 VO Output Voltage 输出电压 每个通道 7.0 V PO Collector Output 集电极输出 单通道 85 mW Power Dissipation 功耗 双通道(每通道) 60 建议操作条件: Symbol 符号 Parameter 参数 最 小 最大 Units单位 IFL Input Current Low Level 输入电流,低电平 0 250 μA IFH Input Current High Level 输入电流,高电平 *6.3 15 mA VCC Supply Voltage Output 供电电压,输出 4.5 5.5 V VEL Enable Voltage Low Level 使能电压,低电平 0 0.8 V VEH Enable Voltage High Level 使能电压,高电平 2.0 VCC V TA 工作温度范围 -40 +85 ℃ N Fan Out (TTL load)扇出期( TTL负载)   8   电学特性(Ta=0至70 ,除非另有规定) 单独的组件特征: Symbol 符号 Parameter 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 VF Input Forward Voltage输入正向电压 IF = 10mA       1.8 V TA=25℃   1.4 1.75 BVR Input Reverse Breakdown Voltage 输入反向击穿电压 IR = 10μA 5.0     V CIN Input Capacitance 输入电容 VF = 0 f = 1MHz   60   pF ΔVF / ΔTA Input Diode Temperature Coefficient 输入二极管温度系数 IF = 10mA   -1.4   mV/℃ DETECTOR 接收端 ICCH High Level Supply Current高电源电流 VCC = 5.5V IF = 0mA VE = 0.5V 单通道   7 10 mA 双通道   10 15 ICCL Low Level Supply Current 低电平电源电流 单通道 VCC=5.5V IF = 10mA   9 13 mA 双通道 VE = 0.5V   14 21 IEL Low Level Enable Current 低电平使能电流 VCC = 5.5V VE = 0.5V   -0.8 -1.6 mA IEH High Level Enable Current 高电平使能电流 VCC = 5.5V VE = 2.0V   -0.6 -1.6 mA VEH High Level Enable Voltage 高电平使能电压 VCC = 5.5V IF = 10mA 2.0     V VEL Low Level Enable Voltage 低电平使能电压 VCC = 5.5V IF = 10mA(3)     0.8 V 开关特性 (TA= -40℃ to +85℃ VCC= 5V IF= 7.5mA 除非另有说明): Symbol 符号 AC Characteristics交流特性 测试条件 最小 典型 最大 单位 TPHH Propagation Delay Time to Output HIGH Level传递延迟时间到高电平输出 RL=350ΩCL=15pF(4)(Fig.12) TA=25℃ 20 45 75 ns       100 TPHL Propagation Delay Time to Output LOW Level传递延迟时间到低电平输出 TA = 25℃(5) 25 45 75 ns   RL = 350Ω CL = 15pF (Fig. 12)     100 |TPHL TPLH| Pulse Width Distortion 脉宽失真 (RL = 350Ω CL = 15pF (Fig. 12)   3 35 ns tr Output Rise Time (10–90%)输出上升时间( 10-90 % ) RL = 350Ω CL = 15pF(6)(Fig. 12)   50   ns tf Output Rise Time (90–10%)输出上升时间( 90-10 % ) RL = 350Ω CL = 15pF(7)(Fig. 12)   12   ns tELH Enable Propagation Delay Time to Output HIGH Level允许传播延迟时间到高电平输出 IF = 7.5mA VEH = 3.5V RL = 350Ω CL = 15pF(8)(Fig. 13)   20   ns tEHL Enable Propagation Delay Time to Output LOW Level 允许传播延迟时间到低电平输出 IF = 7.5mA VEH = 3.5V RL = 350Ω CL = 15pF(9)(Fig. 13)   20   ns |CMH| Common Mode Transient Immunity (at Output HIGH Level) 共模瞬态抑制比(输出高电平) TA=25℃|VCM| =50V (Peak) IF=0mA VOH (Min.)= 2.0V RL = 350Ω(10)(Fig. 14) 6n137HCPL2630   10000   V/μs HCPL2601 HCPL2631 5000 10000   |VCM| = 400V HCPL2611 10000 15000   V/μs |CML| Common Mode Transient Immunity (at Output LOW Level) 共模瞬态抑制比(输出低电平) RL = 350Ω IF = 7.5mA VOL (Max.)= 0.8V TA = 25℃(11) (Fig. 14) 6n137HCPL2630   10000   HCPL2601 HCPL2631 5000 10000   |VCM| = 400V HCPL2611 10000 15000   电气特性(续) 转移特性(TA = -40 to +85℃ 除非另有说明) Symbol 符号 DC Characteristics 直流特性 测试条件 最小 典型 最大 Unit 单位 IOH HIGH Level Output Current 高输出电流 VCC = 5.5V VO = 5.5V IF = 250μA VE = 2.0V(2)     100 μA VOL LOW Level Output Current 低电平输出电流 VCC = 5.5V IF = 5mA VE = 2.0V ICL = 13mA(2)   .35 0.6 V IFT Input Threshold Current 输入阈值电流 VCC = 5.5V VO = 0.6V VE = 2.0V IOL = 13mA   3 5 mA 隔离特性 (Ta= -40 ℃至+85 ℃ ,除非另有说明. ): Symbol 符号 Characteristics 特性 测试条件 最小 典型 最大 Unit 单位 II-O Input-Output Insulation Leakage Current 输入输出绝缘泄漏电流 相对湿度 = 45% TA = 25℃ t = 5s VI-O = 3000 VDC(12)     1.0* μA VISO Withstand Insulation Test Voltage 经受绝缘测试电压) RH < 50% TA = 25℃ II-O ≤ 2μA t = 1 min.(12) 2500     VRMS RI-O Resistance (Input to Output)电阻(输入输出 VI-O = 500V(12)   1012   Ω CI-O Capacitance (Input to Output)电容(输入输出) f = 1MHz(12)   0.6   pF 测试电路和波形 tPLH tPHL tr and tf 测试电路tEHL和tELH 测试电路的共模瞬态抗扰度 光藕隔离器6N137典型应用如图1所示,假设输入端属于模块I,输出端属于模块II。输入端有A、B两种接法,分别 得到反相或同相逻辑传输,其中RF为限流电阻。发光二极管正向电流0-250μA,光敏管不导通;发光二极管正向压降1.2-1.7V(典型1.4V), 正向电流6.3-15mA,光敏管导通。若以B方法连接,TTL电平输入,Vcc为5V时,RF可选500Ω左右。如果不加限流电阻或阻值很 小,6N137仍能工作,但发光二极管导通电流很大对Vcc1有较大冲击,尤其是数字波形较陡时,上升、下降沿的频谱很宽,会造成相当大的尖峰脉冲噪声, 而通常印刷电路板的分布电感会使地线吸收不了这种噪声,其峰-峰值可达100mV以上,足以使模拟电路产生自激。所以在可能的情况下,RF应尽量取大。 输 出端由模块II供电,Vcc2=4.5~5.5V。在Vcc2(脚8)和地(脚5)之间必须接一个0.1μF高频特性良好的电容,如瓷介质或钽电容,而且 应尽量放在脚5和脚8附近(不要超过1cm)。这个电容可以吸收电源线上的纹波,又可以减小光电隔离器接受端开关工作时对电源的冲击。脚7是使能端,当它 在0-0.8V时强制输出为高(开路);当它在2.0V-Vcc2时允许接收端工作。 脚6是集电极开路输出端,通常加上拉电阻RL。 虽然输出低电平时可吸收电路达13mA,但仍应当根据后级输入电路的需要选择阻值。因为电阻太小会使6N137耗电增大,加大对电源的冲击,使旁路电容无 法吸收,而干扰整个模块的电源,甚至把尖峰噪声带到地线上。一般可选4.7kΩ,若后级是TTL输入电路,且只有1到2个负载,则用47kΩ或15kΩ也 行。CL是输出负载的等效电容,它和RL影响器件的响应时间,当RL=350Ω,CL=15pF时,响应延迟为25-75ns。 图1 6N137典型应用电路 图2 隔离介面硬体及的USB转串口转接器介面线路图 Welcome To Download !!! 欢迎您的下载,资料仅供参考! 精品资料
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