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我国太阳能电池产业研究报告

第一章 薄膜太阳能电池概述
1.1 定义
什么是薄膜太阳能电池？
根据名字意思，薄膜太阳能电池就是厚度非常薄的电池，大部分情况下起到光电转换作用的
薄膜都小于1 微米（也就是500 纳米左右）比较目前晶硅太阳能电池主流的180 微米或者
200 微米的电池片厚度而言，薄膜电池是一种非常薄的电池，根据发展历史及产品性能指标
的区别，薄膜电池也被定义为第二代太阳能电池，而第一代就是晶硅电池。
目前全球范围内就发展到第二代的薄膜电池，尽管也有一些学术机构定义了第三代太阳能电
池，但毕竟还处于理论研究或者实验室阶段的电池。

表 第一代 第二代 第三代太阳能电池定义一览

序号
名称
主要电池品种
转换率
备注
1
第一代
太阳能
电池

单晶硅电池 多晶硅电池
15%-20%
截至2008 年2 月全球超过90%
的太阳能电池都是第一代晶硅
电池
2
第二代
太阳能
电池

薄膜电池（主要有三种CdTe
CIS/CIGS 硅基薄膜）
5%-12%
截至2008 年2 月，全球不超过
10%的太阳能电池为薄膜电池
3
第三代
太阳能
电池
染料感光太阳电池dye-sensitized solar cell
(DSC)
四层或者四层以上的叠层电
池
30% 或者
以上
理论研究阶段，部分产品有实验
室产出，但转换率或者性能指标
依然非常低

来源：恒州博智太阳能研究中心，2008.2
薄膜太阳能电池，顾名思义，乃是在塑胶、玻璃或是金属基板上形成可产生光电效应的薄膜，
厚度仅需数μm，因此在同一受光面积之下可较硅晶圆太阳能电池大幅减少原料的用量。薄
膜太阳能电池并非是新概念的产品，实际上人造卫星就早已经普遍采用砷化镓(GaAs)所制造
的高转换效率薄膜太阳能电池板(以单晶硅作为基板，转换效能在30%以上)。
不过，一方面因为制造成本相当高昂，另一方面除了太空等特殊领域之外，应用市场并不多，
因此直到近几年因为太阳能发电市场快速兴起后，发现硅晶圆太阳电池在材料成本上的局限
性，才再度成为产业研发中的显学。目标则是发展出材料成本低廉，又有利于大量生产的薄
膜型太阳能电池。目前已经开发出多种薄膜太阳能电池技术，具体见后文的介绍。
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1.2 分类和用途
图 薄膜电池分类（8 种）及主要应用领域

序号 名称 说明及应用领域
1 CdTe 薄膜 薄膜层为CdTe/CdS（碲化镉）材料的太阳能电池，主要用
于光伏发电。
2 CIS 铜铟硒 CIGS
铜铟硒镓 薄膜
CIS(Copper Indium Diselenide) 或是CIGS(Copper Indium
Gallium Diselenide) 主要用于光伏发电。
3 硅基薄膜 硅基薄膜主要是指薄膜层带A-Si 的薄膜电池，根据设备的
生产工艺可以分为下面的几种：单结A-Si a-si/a-si 双结
a-si/uc-si 非晶/微晶 三结非晶硅等。主要用于光伏发电。
4 GaAs薄膜 GaAs Multijuction(多接面砷化镓)
在单晶矽基板上以化学气相沉积法成长GaAs 薄膜所制成的
薄膜太阳能电池，因为具有30%以上的高转换效率，很早就
被应用於人造卫星的太阳能电池板。新一代的GaAs 多接面
(将多层不同材料叠层)太阳能电池，如GaAs、Ge 和GaInP2
三接面电池，可吸收光谱范围极广，转换效率目前已可高达
39%，是转换效率最高的太阳能电池种类，而且性质稳定，
寿命也相当长。不过此种太阳能电池的价格也极为昂贵，平
均每瓦价格可高出多晶矽太阳能电池百倍以上，因此除了太
空等特殊用途之外，预期并不会成为商业生产的主流。
5 色素敏化染料
(Dye-Sensitized Solar
Cell)
色素敏化感染料电池是太阳能电池中相当新颖的技术，产品
是由透明导电基板、二氧化钛(TiO2)纳米微粒薄膜、染料(光
敏化剂)、电解质和ITO 电极所组成。此种太阳能电池的优
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点在於二氧化钛和染料的材料成本都相对便宜，又可以利用
印刷的方法大量制造，基板材料也可更多元化。
不过目前主要缺点一是在於转换效率仍然相当低(平均约在
7~8%，实验室产品可达10%)，且在UV 照射和高热下会出
现严重的光劣化现象，二是在於封装过程较为困难(主要是
因为其中的电解质的影响)，因此目前仍然是以实验室产品
为主。然而，基於其低廉成本以及广泛应用层面的吸引力，
多家实验机构仍然在积极进行技术的突破。
6 有机导电高分子
(Organic/polymer
solar cells)
有机导电高分子太阳能电池是直接利用有机高分子半导体
薄膜(通常厚度约为100nm)作为感光和发电材料。此种技术
共有两大优点，一在於薄膜制程容易(可用喷墨、浸泡涂布
等方式)，而且可利用化学合成技术改变分子结构，以提升
效率，另一优点是采用软性塑胶作为基板材料，因此质轻，
且具有高度的可挠性。
目前市面上已经有多家公司推出产品，应用在可携式电子产
品如NB、PDA 的户外充电上面，市场领导者则是美国
Konarka 公司。不过，由於转换效率过低(约4~5%)的最大缺
点，因此此种太阳能电池的未来发展市场应该是结合电子产
品的整合性应用，而非大规模的太阳能发电。
7 InP(磷化铟)电池 薄膜层为InP(磷化铟)材料的太阳能电池，类似于GaAs电池，
高转换率，高价格，预计很难在发电市场获得应用，主要是
太空应用。
8 Poly-Si （ Crystalline
Silicon on Glass）薄
膜薄膜
德国Q-CELL 旗下的一个CSG 公司专注的一种电池，原理
就是Crystalline Silicon on Glass 玻璃衬底上直接镀 多晶硅
薄膜。暂时没有投产，主要是光伏发电用。
来源：各个公司，恒州博智整理，2008.2
薄膜电池的一些背景信息：
非晶硅薄膜太阳能电池的研究工作开始于1975 年。非晶硅(a-Si)属于直接转换型半导体,光的
吸收率较大,较容易制造厚度小于0.5 微米、面积大于1 平方米的薄膜,并且易于与其他原子
结合制造对近红外光高吸收的非晶硅锗(a-SiGe)集层光电池 ,是目前太阳能电池开发的热点
之一,目前已经开发出集层结成型、连续分离成型以及激光布线成型等多种新技术,其中,10cm
×10cm产品的初期转换率达12.0%,1 cm2a-Si/a-SiGe 集层太阳能电池的稳定后效率达10.6%,
达到了目前世界最先进的水平。日本三洋电机公司开发的大面积a-Si/a-SiGe 集层太阳能电
池(30cm×40cm),其稳定后效率达9.5%。非晶硅薄膜太阳能电池组件的制造采用薄膜工艺,
具有较多的优点,例如:沉积温度低、衬底材料价格较低廉,能够实现大面积沉积。 非晶硅的
可见光吸收系数比单晶硅大,是单晶硅的40 倍,1 微米厚的非晶硅薄膜,可以吸引大约90%有
用的太阳光能。不过,非晶硅太阳能电池的稳定性较差, 从而影响了它的迅速发展。美国科学
家对非晶硅太阳能电池进行了深入的研究, 发现非晶硅薄膜材料受到长时间的光照之后,光
电导和暗电导的性能均有所降低,进行160 ℃以上的高温退火之后,可以恢复到光照之前的
值,这就是所谓SW 效应。科学家们已经掌握了降低这种光诱导效应的太阳能电池的结构及
其制造方法。
非晶硅和多晶硅混合薄膜太阳能电池也是一种极有发展前景的新产品。由于非晶
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硅和多晶硅对太阳光谱的敏感区域不同, 将这两种不同的材料用在同一块基板上,能够很好
地取长补短,获得与结晶相近的转换率。由于这种产品属于硅薄膜材料,能够节省资源,对环境
保护有利。日本钟渊化学公司目前已经开发出大小为91.0cm×45.5cm,转换效率为10.6%、
下层膜厚度为几微米的超薄型薄膜太阳能电池。
化合物太阳能电池包括三五族化合物电池和二六族化合物电池。三五族化合物电池主要
有GaAs 电池、InP 电池、GaSb 电池等;二六族化合物电池主要有CaS/CuInSe 电池、CaS/CdTe
电池等。在三五族化合物太阳能电池中,GaAs 电池的转换效率最高,可达28%;GaAs 是二元化
合物,Ga 是其它产品的副产品,非常稀少珍贵;As 不是稀有元素,有毒。GaAs 化合物材料尤其
适用于制造高效电池和多结电池,这是由于GaAs 具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收
效率,抗辐照能力强,对热不敏感。 由于具有这些特点,所以GaAs 化合物材料也适合于制造高
效单结电池。GaAs 化合物太阳能电池虽然具有诸多优点,但是GaAs 材料的价格不菲,因而
在很大程度上限制了用GaAs 电池的普及。为了解决这个问题,采用了聚光系统,该系统由于
采用价格较低的塑料透镜和金属外壳,并且改进了电池性能,因而深受广大用户青睐。
叠层太阳能电池由两种或两种以上不同带隙的电池有机地叠加组合而成。一般而言,顶
部电池的材料具有较宽的带隙,适于吸收能量较大的太阳光能; 而底部电池的材料带隙较窄,
适于吸收能量较小的太阳光能,因此,在单结的基础上,叠层太阳能电池的转换效率较高,例如
GaAs 叠层太阳能电池的转换效率可以达到35%。
1.3 产业链结构
图 薄膜太阳能电池产业链结构图
来源：恒州博智太阳能研究中心，2008.2
其他应用（太阳
能手表电池等）
薄膜电池光伏
系统
电池组件
太阳能薄膜电
池
其他辅料（铝 银 及
其他一些化学原料）
Cd Te C I G S SiH4 硅烷气体
PECVD 设备核心原料
及其他设备
衬底
玻璃 不锈钢 塑料
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1.4 薄膜和晶硅电池区别
表 薄膜电池和晶硅电池转换率 成本 产量 优劣势等对比分析
序
号
项目 晶硅 薄膜
1 分类 单晶硅 多晶硅 CdTe CIS CIGS 硅基薄膜
2 全球太阳
能电池比
重
2007 年全球产量约
3.1GW 比重89%
2007 年产量0.4GW 比重：11%
3 电池转换
率
15%-20% 5%-10%
4 电池成本 3.1 美元/瓦左右 1.45 美元/瓦左右
5 组件售价
（出厂价）
3.8 美元/瓦左右 2.2 美元/瓦左右
6 投入的企
业数量
全球超过2000 个 全球约100 个
7 产量产值
递增速度
32%左右 65%左右
8 优势 技术成熟 转换率高 发电量多 成本低
9 劣势 成本高 原料紧缺 转换率低 大规模生产技术不是很成熟 SWE 效
应
10 备注 晶硅在未来10 年内预
计霸主定位不会变动
非晶硅2007 年成为元年，未来发展速度，长远
来看，代替晶硅电池并促使光伏发电成本接近传
统能源存在希望。
来源：恒州博智，2008.2
晶硅电池和薄膜电池还有很多区别的地方，比如使用的生产线及组件最大输出功率，面积等，
上表的对比只是其中比较关键的一些信息对比，详细的对比信息，读者可以自行查阅一些网
络的参考资料。
第二章 薄膜电池生产技术和工艺分析
2.1 工艺概述
薄膜电池的生产工艺相对于晶硅电池来得复杂，而且大部分企业使用标准设备+自己开发设
备结合运作的方式生产，毕竟完全依赖标准设备，很多时候无法实现期望的转换率及性能指
标。下面的小节将会具体介绍各种薄膜的工艺情况。
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2.2 CdTe 生产工艺
【镉碲薄膜太阳能电池】Cadmium Telluride Thin Film Photovoltaics，CdTe
此类型薄膜光电池在薄膜式光电池中历史最久，也是被密集探讨的一种之一。再1982 年时
Kodak 首先做出光电效率超过10﹪的此类型光电池，目前实验室达成最高的光电效率是16.5
﹪，由美国NREL 实验室完成，其作法是将已建立多年的电池构造，在进一步增量修改，
并改变部分材质。
典型的CdTe 光电池结构的主体是由约2μm层的P-type CdTe 层与后仅0.1μm的n-type CdS
形成，光子吸收层主要发生于CdTe 层，西光效率细数大于105 ㎝-1，因此仅数微米厚及可
吸收大于90﹪的光子。CdS 层的上沿先接合TCO，再连接基材，CdTe 上沿则接合背板，以
形成一个光电池架构。目前已知为制备高光电效率CdTe 光电池，不论电池结构如何，均需
要使用氯化镉活化半导体层，方法上可采湿式或干式蒸气法。干式法较为工业界所采用。
关于CdTe 光电池的薄膜，目前已有多种可行的工艺可采用，其中不乏具量产可行性的方法。
已知的方法有溅镀法（sputtering）、化学蒸镀（CVD）、ALE（atomic layer epitaxy）、网印
（screen-printing）、电流沉积法（galvanic deposition）、化学喷射法（chemical spraying）、密
集堆积升华法（ close-packed sublimation ）、modified close-packed sublimation 、
sublimation-condensation。各方法均有其利弊，其中电流沉积法是最便宜的方法之一，同时
也是目前工业界采用的主要方法。沉积操作时温度较低，所耗用碲元素也最少。
CdTe 太阳能电池在具备上述许多有利于竞争的因素下，在2007 年其全球出货量约180MW
（仅次于硅基薄膜，在薄膜领域排名第二），目前CdTe 电池商业化产品效率已超过12﹪，
究其无法耀升为市场主流的原因，大至有下列几点：ㄧ、模块与基材材料成本太高，整体
CdTe 太阳能电池材料占总成本的53﹪，其中半导体材料只占约5.5﹪。二、碲天然运藏量
有限，其总量势必无法应付大量而全盘的倚赖此种光电池发电之需。三、镉的毒性，使人们
无法放心的接受此种光电池（不过截至2008 年2 月份，欧美大部分机构认为排放的毒性几
乎没有晶硅电池厉害，因此欢迎这种电池的应用）。
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图 CdTe 薄膜生产工艺流程图

来源：德国（Antec Solar），恒州博智整理，2008.2
CdTe 设备基本上都是电池组件公司购买一些外部的标准设备，同时自己开发一定的专门设
备组合生产，暂时没有全自动化的全套解决方案。
比如美国的First Solar 就是因为自己具有良好的再开发能力促使他们的转换率是所有CdTe
组件公司中转换率最高，而成本几乎最低的。
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2.3 CIS/CIGS 生产工艺
【铜铟镓二硒太阳能电池】Copper Indium Gallium Diselenide Solar Cells
此类型光电池计有两种：一种含铜铟硒三元素（简称CIS），一种含铜铟镓硒四元素（简称
CIGS）。由于其高光电效率及低材料成本，被许多人看好。在实验室完成的CIGS 光电池，
光电效率最高可达约19﹪，就模块而言，最高亦可达约13﹪。CIGS 随着铟镓含量的不同，
其光吸收范围可从1.02ev 至1.68ev，此项特征可加以利用于多层堆栈模块，已近一步提升
电池组织效能。此外由于高吸光效率（α>105 ㎝-1），所需光电材料厚度不需超过1μm，
99﹪以上的光子均可被吸收，因此一般粗估量产制造时，所需半导体原物料可能仅只
US$0.03/W。
CIGS 光电池其结构有别于非晶型硅光电池，主要再于光电层与导电玻璃间有一缓冲层
（buffer layer），该层材质通常为硫化铬（CdS）。其载体亦可使用具可挠性材质，因此制程
可以roll-to-roll 方式进行。目前商业化制程是由shell solar 所开发出来，制程中包含一系列
真空程序，造成硬件投资与制造成本均相当高昂，粗估制程投资一平方米约需US$33。实验
室常用的同步挥发式制程，放大不易，可能不具商业化可行性。另一家公司，ISET，已积
极投入开发非真空技术，尝试利用纳米技术，以类似油墨制程（ink process）制备层状结果，
据该公司报导，已获初步成功，是否能发展成商业化制程，大家正拭目以待。另外，美国
NREL 亦成功开发一种三步骤制程（3-stage process），在实验室非常成功，获得19.2﹪光电
效率的太阳能电池。不过由于该制程相当复杂，花费亦大，咸认放大不易。
综合而言，CIGS 在高光电效率低材料成本的好处下，面临三个主要困难要克服：（1）制程
复杂，投资成本高；（2）关键原料的供应；（3）缓冲层CdS 潜在毒害。制程改善，如前述
有许多单位投入，但类似半导体制程的需求，要改良以降低成本，困难度颇高。纳米技术应
用，引进了不同思维，可能有机会，但应用至大面积制造，其良率多少？可能是一项挑战。
其次原材料使用到铟元素也是一项潜在隐忧，铟的天然蕴藏量相当有限，国外曾计算，如以
效率10﹪的电池计算，人类如全面使用CIGS 光电池发电供应能源，可能只有数年光景可用。
镉（Cd）的毒性一直是人们所关注，硫化镉（CdS）在电池中会不会不当外露，危害人们，
并不能让所有人放心，因此在欧洲部份国家，舍弃投入此型光电池研究。
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图 CIGS 组件生产工艺流程图

来源：Miasolé，恒州博智整理，2008.2
CIS/CIGS 设备基本上都是电池组件公司购买一些外部的标准设备，同时自己开发一定的专
门设备组合生产，暂时没有全自动化的全套解决方案。
2.4 硅基薄膜生产工艺
【硅薄膜太阳能电池】Thin Film Silicon Solar Cells
最早开发此型光电池是在1970’s，至1980’s 方有大的突破。其硅结晶层的厚度仅5~50
毫米，可以次级硅材料、玻璃、陶瓷或石墨为基材。除了硅材料使用量可大幅降低外，此类
型光电池由于电子与电洞传导距离短，因此硅材料的纯度要求，不若硅晶圆型太阳能电池高，
材料成本可进一步降低。由于硅材料不若其它发展中光电池半导体材料，具有高的吸光效率，
且此型光电池硅层膜，不若硅晶圆型太阳能电池硅层厚度约达300 微米，为提高光吸收率，
设计上需导入光线流滞的概念，此点是与其它薄膜型光电池不同之处。
此类型光电池之制备方法有：液相磊晶（liquid phase epitaxy，LPE）、许多型式的化学蒸镀
（CVD），包括低压与常压化学蒸镀（LP-CVD、AP-CVD）、电浆强化化学蒸镀（PE-CVD）、
离子辅助化学蒸镀（IA-CVD），以及热线化学蒸镀（HW-CVD），遗憾的是上述方法无一引
用至工业界，虽然如此，一般咸信常压化学蒸镀，应具备发展为量产制程的可能性。上述蒸
镀法，操作温度区间在300~1200℃，主要依据基材材料而定。
此型光电池光电效率实验室最高已达21﹪，市场上只有Astropower 一家产品，当基材使用
石墨时，效率可达13.4﹪，由于石墨材料价格昂贵，目前研究工作大底有三个方向：一、使
用玻璃基材；二、使用耐高温基材；三、将单晶硅层半成品转植至玻璃基材。日本的三菱公
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司已成功运用此方法，成功制备100 ㎝ 2，光电效率达16﹪的组件。整体而言，此类型光电
池系统的发展仍处于观念可行性验证时期，实验室制备技术是否能发展成具经济效应的量产
程序，是人们关注的另一重点。
【非晶系硅太阳能电池】Amorphous silicon solar cell
此类型光电池是发展最完整的薄膜式太阳能电池。其结构通常为p-i-n（或n-i-p）偶及型式，
p 层跟n 层主要座为建立内部电场，I 层则由非晶系硅构成。由于非晶系硅具有高的光吸收
能力，因此I 层厚度通常只有0.2 ~ 0.5μm。其吸光频率范围约1.1 ~ 1.7eV，不同于晶圆硅
的1.1eV，非晶性物质不同于结晶性物质，结构均一度低，因此电子与电洞在材料内部传导，
如距离过长，两者重合机率极高，为必免此现象发生，I 层不宜过厚，但如太薄，又易造成
吸光不足。为克服此困境，此类型光电池长采多层结构堆栈方式设计，以兼顾吸光与光电效
率。
这类型光电池先天上最大的缺失在于光照使用后短时间内性能的大幅衰退，也就是所谓的
SWE 效应，其幅度约15 ~ 35﹪。发生原因是因为材料中部份未饱和硅原子，因光照射，发
生结构变化之故。前述多层堆栈方式，亦成为弥补SWE 效应的一个方式。
非晶型硅光电池的制造方式是以电浆强化化学蒸镀法（PECVD）制造硅薄膜。基材可以使
用大面积具弹性而便宜材质，比如不锈钢、塑料材料等。其制程采取roll-to-roll 的方式，但
因蒸镀速度缓慢，以及高质量导电玻璃层价格高，以至其总制造成本仅略低于晶型太阳能电
池。至于多层式堆栈型式，虽可提升电池效率，但同时也提高了电池成本。综合言之，在价
格上不太具竞争优势的前提下，此类型光电池年产量在过去三年仍呈现快速成长，2007 年
相较于2006 年成长超过70%，预期此趋势将持续下去。
为了降低制造成本，近年有人开发已VHF 电浆进行制膜，制程速度可提升5 倍，同时以ZnO
取代SnO2 作为导电玻璃材料，以降TCO 成本，预计未来制程顺利开发成功，将可使非晶
型硅光电池竞争力大幅提高。展望未来此型光电池最大的弱点在于其低光电转化效率。目前
此型光电池效率，实验室仅及约13.5﹪，商业模块亦仅4 ~ 8﹪，而且似乎为来改善的空间，
可能相当有限。
图 硅基薄膜电池生产工艺流程图

导电玻璃精细处理(Washing of Glass Substrate)→镭射切割(Laser Scribing)→超声波清洗
(Ultrasonic cleaning)→PECVD→镭射切割(Laser Scribing)→真空溅射(Vacuum Sputtering)→
镭射切割(Laser Scribing) → 超声波焊接(Connection) → 初检测(Pre-test) → 层压封装
(Encapsulation)→接线盒安装(Junction box Installation)→检测(Test)→后整理(Processing)→包
装入库(Packing/Storing)
来源：强生光电，恒州博智整理，2008.2
硅基薄膜设备提供商的一些基本信息：
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下面的信息来自光伏论坛的一位论坛朋友：
数据说明：
１．设备商排列顺序依接单数量多寡排列，相关数字仅可能以公司对外公布资料及新闻为主，
实际可能不同或有误，故仅供参考。
２．凡关于投资金额丶每瓦成本等数字，统一以美元计价，汇率换算比率如末所示，金额换
算后十位以下四拾五入，以便于一目了然。
３，凡设备仅供自家生产用，而无对外出售之硅基薄膜厂，不在资料收集范围之内。
４．各企业投资案中的「规划产能」，是以初始投产规模为主，至于各厂商预计总投资多少？
规划某某年达到总产能多少？之类的资料，不列入记录。因为未来市况如何，无人可以准确
预估，而各家所列计划能否实现，受到多种内丶在环境影响，致生变数的机会很高，故参考
价值有限。
５．投资金额中一般多包括建厂费用，由于无法得知各家企业实际建厂费用，故无法分别列
示，因此产线设备的投资金额，实际上应该会较低一些。
６．柔性硅基薄膜设备商不在资料收集之列。
USD：RMB=1：7.3815
：EUR=1：0.6948
：YEN=1：112.89
：NTD=1：32.53
大尺寸薄膜电池设备商
目前市场上大尺寸薄膜电池设备商，除AMAT 丶Oerlikon 丶ULVAC 是众人所知外，
另外尚有一家美国XsunX 公司，以及预期不久将会加入战局的韩国周星Jusung。而根据各
厂商及客户的资料，笔者简单摘录几项重点如下：
１．单线售价
`~
以投资/产能来看（设备商自产者不算），AMAT 丶Oerlikon 在柏仲之间，1MW 大概介
于115~150 万USD 之间；而ULVAC 的设备价格，经数据修正后已较合理，唯稍嫌偏高。
原则上，各设备厂的第一个客户，价格都相当优惠。例如，Oerlikon 的第一个客户Ersol，
投资一条20MW 产线，平均只花2300 万USD。反观中国的客户，购买价格明显贵的离谱，
即便AMAT 卖给中国客户的价格，也多半最贵。合理猜想，可能是设备商为了不让各客户
间的生产成本差距太大，所采取不同的价格策略，以利设备销售。否则以中国低廉的土地丶
人力及管理成本，若再加上便宜的设备价格，恐怕在China Price 的威力之下，很可能会让
采用同款设备的欧洲客户成本无法竞争。
２．所需空间
Oerlikon 的1.43m2 尺寸20MW 生产线，约需6000sqm；ULVAC 的1.54m2 尺寸25MW
生产线者，需25,000；AMAT 的5.72m2 尺寸40MW 生产线，需20,000sqm 以上。
３．所需人力
依产能不同（指100MW 以下），介于100~200 人间。
４．光转效率
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以目前已有实际量产的Oerlikon 丶ULVAC 来看，公司方面量产品的实际稳定效率，都
比对外公布的资料来的低。一般说来，实验室效率＞中试线效率＞量产线效率＞组件实际光
照运作时效率，这本是正常的现象。但公司对外公布的资料，若与实际数据出入太大，难免
有误导丶夸大之嫌。只是商业竞争的现实，大概没有公司会刻意眨低自己，来成就敌人。所
以结论是，对于公司方面对外公布的效率数据，当做参考就好，等产品spec 出来，一切自
见分晓。
５．每瓦成本
AMAT，1.2 to 1.5 USD/W。
Oerlikon，2.1 to 2.45 EUR/W（约合3~3.53USD/W，成本高的有些离谱，值得商榷；另
一说为1.7 USD/W）；公司估计，若组件效率10%，产能超过100MW+，成本会低于0.7 EUR/W
（约合1 USD/W）。
ULVAC，无资料。
Jusung，＜1.5 USD/W。
XsunX，＜1.5 USD/W。
由于不知各设备商的测算基础为何，以上的成本只能仅供参考，尤其Oerlikon 与其它
设备商的价差颇大，故资料仅供参考。但有一点诸设备商的预估是相同的，若达到GW 级
产能，每瓦成本将会低于1 USD/W。
根据资料，笔者简单结论如下：
１．投资金额高：除XsunX 外，一条单结非晶硅生产线的投资案最少要5000 万USD，
而一条双结非晶硅/微晶硅生产线至少1 亿USD 起跳。
２．规划产能大：客户投资多半划分三期，并以2010 年为界，规划最终达到100MW
丶200MW 丶500MW 或1GMW 不等的产能目标。
３．单线产出高：单一生产线产能最小的是ULVAC，只有12.5MW；最大的是AMAT，
最多可以扩充到75MW。
４．生产自动化：因采用成熟的LCD 制程设备，故均能全自动化生产。
５．产品双线化：除XsunX 丶Jusung 外，AMAT 丶Oerlikon 丶ULVAC 均同时提供单
结非晶硅丶双结非晶硅/微晶硅生产线。
６．客源集中化：除XsunX 外，诸设备商锁定的客户，多半是在集中在能源丶半导体
丶LCD 等电子及太阳能电池产业中的业者。
小尺寸薄膜电池设备商
目前市场上小尺寸薄膜电池设备商，清一色都是基于EPV 路线发展丶衍生及改良者，
计有EPV 丶STF 丶EnergoSolar 丶NSTDA 丶NanoPV 丶华基光电（含Terrasolar）丶普乐
新能源丶思博露科技丶北仪创新共九家。而根据各厂商及客户的资料，笔者简单摘录几项重
点如下：
2008 年全球及中国薄膜太阳能电池产业深度研究报告
江苏尚泰太阳能有限公司 钱志军 13615298816 0511-85761395 13
１．单线售价
`~
以投资/产能来看（设备商自产者不算），排序如下：
2200 万USD 5MW EPV
1550 万USD 5MW 华基光电
1300 万USD 5MW 北仪创新
1250 万USD 5MW 普乐新能源
1200 万USD 5MW 思博露科技
1000 万USD 5MW STF
900 万USD 5MW EnergoSolar
500 万USD 5MW NanoPV（如果设备商为求抢占市场份额，以成本价卖出，不求
利润的话，理论上有可能达到）
由上述资料可知，扣除最贵与最便宜者，国内设备商之间的价差并不是非常大，反倒是
两家匈牙利设备商，其价格都比国内来得便宜，值得国内的设备商重新思考定价策略。
２．所需空间
25000 sqm 5MW 普乐新能源（半自动）
24000 sqm 5MW 思博露科技（半自动）
22,000 sqm 5MW EPV（半自动）
4000 sqm 5MW 北仪创新（半自动，此是根据世华创新科技而算，若是采用思博
露设计，应该没有这么小）
3300 sqm 5MW 华基光电（全自动）
2500 sqm 5MW NanoPV（全自动）
由上述资料可知，自动化程度与厂房空间成高度正相关，同样的产能，半自动所需空间
相当大。设厂空间大，意味着较高的建厂成本，尤其是现在土地成本节节高涨丶大面积土地
取得不易之下，将更加不利。
３．所需人力
5MW 介于100~200 人之间。
４．光转效率
双结非晶硅/非晶硅，排序如下：
6% EnergoSolar
6% 华基光电
5.5% EPV
5.5% NanoPV
5% 普乐新能源
5% 思博露科技
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5% 北仪创新
５．每瓦成本
1.43 USD/W EnergoSolar
1.24 USD/W EPV
1.35 USD/W 思博露科技
1.35 USD/W 北仪创新
1 USD/W 华基光电
无资料 普乐新能源
无资料 NanoPV
基本上，各家的成本均能低于1.5 USD/W，虽然普乐丶NanoPV 无资料，但比较同业，
应该也是低于此水准。至于计算的基础是否包括折旧丶利息等费用，目前无法判别，只有向
设备商索要更详细的成本列表，方能得知。
结论
根据各个设备公司销售的定单情况，再回头来看待硅基薄膜电池产业的竞争，2010 年
将会是一个转捩点，保守乐观预估，国内设备商应尚有二年时间可以应变。不论未来各厂商
会如何竞争，最终取决还是在于每瓦成本上。大尺寸设备商固然优势甚多，然而小尺寸设备
商也非是絶对劣势，关于在于设备商如何扬长避短，发挥一己所长。
从投资人丶设备商的角度，提出个人的看法：
１．投资人
首先，硅基薄膜电池产业的商机已现，不论是上游的原料设备丶中间的组件生产，或者
下游的经销通路丶光伏系统安装等，在未来应该会吸引愈来愈多企业投入。但以现实状况来
看，上游的关键原料丶设备利润丰厚，但技术难度高，进入障碍大，目前为少数欧美日大厂
寡占，这样的情况，相信在短期之内不会有所改变。换句话说，若有国内厂商能够突破困局，
成本切入这些领域，除了将能获取庞大的商机外，也能进一步促使每瓦成本的降低。如，中
国科技投入SNO2 玻璃制造丶台湾的台塑集团跨入EVA 生产等。
其次是中间的组件制造，以现存加上即将量产的薄膜厂，在未来二年所开出的产能非常
惊人（粗估有２G 以上）。基本上，如果本身非电子或太阳能相关企业者，现时要想投入薄
膜电池产业，恐怕风险已经升高。即便一开始有足够的资金可以购买设备，但在后续的产能
扩充丶人才招募丶技术升级丶市场经营等方面，很可能会有后继无力的现象，在诸多条件都
不如人的情况之下，很可能会在中途惨遭淘汰，值得企业老板谨慎思考。
２．设备商
平心而论，各家的设备水平相差有限，产品效率也在伯仲之间，技术也是各有擅长，没
有人拥有所谓絶对的优势（有限是指同一档次间竞争者，大丶小尺寸设备商不应混为一谈）。
而市场的反应及需求，也比厂商预期来的好，故在未来一丶二年内，订单已不是问题。故竞
争的重点，在于降低设备成本丶产能的确保丶交期的缩短以及客户基础的扩大。
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台湾有成熟而完整的半导体丶LCD 产业供应链，以及为数众多的电子丶太阳能企业，
再加上台商擅长的制造丶管理及成本控制，所以AMAT 丶Oerlikon 在几个月前，都不约而
同的造访台湾，寻找代工厂以评估设立薄膜设备研发及制造中心的条件。以下，是各设备商
在台湾的布局概况：
（１）AMAT 丶EPV 丶NanoPV：与北儒精密均有设备加工合作
（２）华基光电：收购中华联合半导体，跨足设备制造。
（３）Oe