1500v n mos管SVF4N150P7参数-4n150数据手册_骊微电子.pdf

士兰微电子 SVF4N150PF(P7)(F)(S)说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.5 http:/ 共 9 页 第 1 页 4A、1500V N沟道增强型场效应管 描述 SVF4N150PF(P7)(F)(S)N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于开关电源。特点 4A，1500V，RDS(on)（典型值）=5.0VGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力 1.栅极 2.漏极 3.源极123123231TO-3PFTO-220F-3L312TO-247-3LTO-263-2L13 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SVF4N150PF TO-3PF 4N150 无铅 料管 SVF4N150P7 TO-247-3L 4N150P7 无铅 料管 SVF4N150F TO-220F-3L SVF4N150F 无铅 料管 SVF4N150S TO-263-2L SVF4N150S 无卤 料管 SVF4N150STR TO-263-2L SVF4N150S 无卤 编带 极限参数(除非特殊说明，TA=25C)参数 符号 参数值 单位 SVF4N150PF SVF4N150P7 SVF4N150F SVF4N150S 漏源电压 VDS 1500 V 栅源电压 VGS 30 V 漏极电流 TC=25C ID 4.0 A TC=100C 2.5 漏极脉冲电流 IDM 16 A 耗散功率（TC=25C）-大于 25C 每摄氏度减少 PD 73 160 39 160 W 0.49 1.28 0.3 1.28 W/C 单脉冲雪崩能量（注 1）EAS 485 mJ 工作结温范围 TJ-55+150 C 贮存温度范围 Tstg-55+150 C 士兰微电子 SVF4N150PF(P7)(F)(S)说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.5 http:/ 共 9 页 第 2 页 热阻特性 参数 符号 参数值 单位 SVF4N150PF SVF4N150P7 SVF4N150F SVF4N150S 芯片对管壳热阻 RJC 1.7 0.78 3.17 0.78 C/W 芯片对环境的热阻 RJA 50 50 62.5 62.5 C/W 关键特性参数(除非特殊说明，TJ=25C)参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V，ID=250A 1500-V 漏源漏电流 IDSS VDS=1500V，VGS=0V-10.0 A 栅源漏电流 IGSS VGS=30V，VDS=0V-500 nA 栅极开启电压 VGS(th)VGS=VDS，ID=250A 3.0-5.0 V 导通电阻 RDS(on)VGS=10V，ID=1.3A-5.0 6.5 输入电容 Ciss VDS=25V，VGS=0V，f=1.0MHz-1034-pF 输出电容 Coss-91-反向传输电容 Crss-12-开启延迟时间 td(on)VDD=750V，ID=4A，RG=25 (注 2，3)-25-ns 开启上升时间 tr-51-关断延迟时间 td(off)-86-关断下降时间 tf-46-栅极电荷量 Qg VDS=1200V，ID=4A，VGS=10V (注 2，3)-40-nC 栅极-源极电荷量 Qgs-8.7-栅极-漏极电荷量 Qgd-23-源-漏二极管特性参数 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏P-N 结-4.0 A 源极脉冲电流 ISM-16 源-漏二极管压降 VSD IS=4A，VGS=0V-1.6 V 反向恢复时间 Trr IS=4A，VGS=0V，dIF/dt=100A/s(注 2)-373-ns 反向恢复电荷 Qrr-2.4-C 注注：1.L=79mH，IAS=3.4A，VDD=100V，RG=25，开始温度 TJ=25C；2.脉冲测试：脉冲宽度300s，占空比2%；3.基本上不受工作温度的影响。士兰微电子 SVF4N150PF(P7)(F)(S)说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.5 http:/ 共 9 页 第 3 页 典型特性曲线 图 1.输出特性图3.导通电阻vs.漏电流漏极电流 ID(A)漏源电压 VDS(V)漏源导通电阻 RDS(ON)()漏极电流 ID(A)反向漏电流 IDR(A)源漏电压 VSD(V)图4.体二极管正向压降vs.源极电流、温度图2.传输特性漏极电流 ID(A)栅源电压 VGS(V)电容(pF)漏源电压 VDS(V)图5.电容特性栅源电压 VGS(V)总栅极电荷 Qg(nC)图6.电荷量特性0.111000.1110100246810123579114.05.05.56.01450136.52VGS=5VVGS=5.5VVGS=6VVGS=10V变量注：1.250S 脉冲测试2.TC=25 CVGS=15V注：1.250S脉冲测试2.VDS=50V-55 C25 C150 C100.111001030.110024.5-55 C25 C150 C110注：1.250S脉冲测试2.VGS=0V注：TJ=25 CVGS=10VVGS=20V0.1110100001020VDS=1200VVDS=750VVDS=300V050010002500CissCossCrss注：1.VGS=0V2.f=1MHz246810125015002000Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)Coss=Cds+CgdCrss=Cgd3040注：ID=4A 士兰微电子 SVF4N150PF(P7)(F)(S)说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.5 http:/ 共 9 页 第 4 页 典型特性曲线(续)图7.击穿电压vs.温度特性图9-1.最大安全工作区域(SVF4N150PF)漏源击穿电压（标准化）BVDSS结温 TJ(C)漏极电流-ID(A)漏源电压-VDS(V)漏极电流-ID(A)漏源电压-VDS(V)图9-2.最大安全工作区域(SVF4N150P7/S)图8.导通电阻vs.温度特性漏源导通电阻（标准化）RDS(ON)结温 TJ(C)漏极电流-ID(A)漏源电压-VDS(V)图9-3.最大安全工作区域(SVF4N150F)热阻抗（标准化）C/W脉冲宽度（Sec）图 10-1.瞬态热阻曲线(SVF4N150PF)0.60.81.21.0-100-500501002001.4150注：1.VGS=0V2.ID=250A0.61.0-100-500501002001.41500.81.2注：1.VGS=10V2.ID=1.3ADC10ms1ms100s10-210-1100101100101102104102此区域工作受限于RDS(ON)注：1.TC=25 C2.Tj=150 C3.单个脉冲1031.10.90.70.3010-410010-510-210110310-310-110290%50%70%10%5%30%1041.00.80.60.50.40.20.12%DC10ms1ms100s10-210-1100101100101102104102此区域工作受限于RDS(ON)注：1.TC=25 C2.Tj=150 C3.单个脉冲103DC10ms1ms100s10-210-1100101100101102104102此区域工作受限于RDS(ON)注：1.TC=25 C2.Tj=150 C3.单个脉冲103 士兰微电子 SVF4N150PF(P7)(F)(S)说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.5 http:/ 共 9 页 第 5 页 典型特性曲线(续)热阻抗（标准化）C/W脉冲宽度（Sec）图 10-3.瞬态热阻曲线(SVF4N150F)图 10-2.瞬态热阻曲线(SVF4N150P7/S)热阻抗（标准化）C/W脉冲宽度（Sec）10010-410-510-610-310-410-250%70%10%5%30%10010-110-210-310-11%0.5%0.2%2%10110-310210-510-310-410-250%70%10%5%30%10510010-110-210-11%0.5%0.2%2%101100103104 士兰微电子 SVF4N150PF(P7)(F)(S)说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.5 http:/ 共 9 页 第 6 页 典型测试电路 与待测器件参数一致待测器件VGSIgVDSVGS10VChargeQgQgsQgd 栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图VDSVGSRGRLVDDVGSVDSVGS10%90%td(on)tontrtd(off)tofftfEAS测试电路及波形图VDSRGVDDVGSLtpIDBVDSSIASVDDtpTimeVDS(t)ID(t)EAS=12LIAS2BVDSSBVDSSVDD待测器件待测器件Vgs(th)Qg(th)士兰微电子 SVF4N150PF(P7)(F)(S)说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.5 http:/ 共 9 页 第 7 页 封装外形图 TO-3PF 单位：毫米 bA3E1b1HeQAA1cD1EDPA2L 19.7015.3015.705.155.750.650.951.802.204.304.7016.3017.701.702.305.205.802.803.203.003.800.701.103.403.8018.505.503.003.400.900.802.0015.505.452.003.804.004.203.604.50MAXNOMMINMILLIMETERSYMBOLbLA3E1b1eQAA1cD1A2EP26.1026.9026.50H14.3015.50D TO-247-3L 单位：毫米 AA2A1Cb2DEE2eLL1Qbb4P 15.5016.104.405.2020.8021.3019.7220.225.80AA1A2bb2cDEE2eLL1Q4.805.005.202.212.412.591.852.002.151.111.363.252.910.510.7521.0015.805.005.44 BSC19.924.305.606.001.912.25b4MAXSYMBOLMINNOMMILLIMETER_P3.403.80 士兰微电子 SVF4N150PF(P7)(F)(S)说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.5 http:/ 共 9 页 第 8 页 封装外形图 TO-220F-3L 单位：毫米 AA1bcDEL1LD1H1b2eA3QPD2 2.804.424.702.302.545.023.102.502.760.900.700.801.470.650.350.5016.2515.2515.8716.3015.3015.7510.309.309.8010.369.7310.162.54BSC7.006.406.6813.4812.4812.983.503.403.003.183.553.053.30MAXSYMBOLMINNOMMILLIMETERAA1bcDEL1LD1H1b2eA3QPD2 TO-263-2L 单位：毫米 A1c2HLAcEL1Db1bL2ee AA1bcDEL1LL24.304.574.720.710.810.910.300.608.509.359.8010.452.002.302.741.751.121.271.42H14.7015.75c21.171.271.37e2.54BSC00.100.25MAXSYMBOLMINNOMMILLIMETER_ 士兰微电子 SVF4N150PF(P7)(F)(S)说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.5 http:/ 共 9 页 第 9 页 重要注意事项重要注意事项：产品名称：SVF4N150PF(P7)(F)(S)文档类型：说明书 版 权：杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页：http:/ 版 本：1.5 修改记录：1.添加 TO-263-2L 封装 2.更新图 9-2-SOA 曲线 3.更新电气图和典型电路图 4.更新曲线模板和声明 版 本：1.4 修改记录：1.更新 TO-3PF 封装外形图 2.更新 TO-247-3L 外形尺寸图 版 本：1.3 修改记录：1.增加 TO-220F-3L 封装 版 本：1.2 修改记录：1.增加 TO-247-3L 封装 版 本：1.1 修改记录：1.图 8 标注 ID=6.5A 改为 2.0A 2.更新 TO-3PF 封装外形图 版 本：1.0 修改记录：1.正式版本发布 1.士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。2.客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。产品应用前请仔细阅读说明书，包客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。产品应用前请仔细阅读说明书，包括其中的电路操作注意事项。括其中的电路操作注意事项。3.我司产品属于消费类电子产品或其他民用类电子产品。我司产品属于消费类电子产品或其他民用类电子产品。4.在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。5.购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。6.产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！7.我司网站我司网站 http:/