有限元方法在导电胶互连可靠性分析中的应用.ppt

1可编辑版目录目录1234聚合物导电颗粒模型金属导电颗粒模型ACF 的导电颗粒结构引言2可编辑版电子封装技术的发展使消费类电子产品越来越呈现高功能和微型化趋势。新一代玻璃覆晶(Chip-on-Glass，COG)等封装技术迅速发展。在 COG 封装过程中，常用的互连材料有各向异性导电胶(ACF)。在玻璃覆晶封装过程中，残余应力分布是重要的可靠性问题，当产品产生严重的残余应力时，容引起对位偏差、界面分层与产品寿命降低等问题。封装过程中环氧树脂发生固化反应，压力、体积、温度、固化度、固化时间等工艺参数对玻璃覆晶封装的残余应力分布有着重要影响。引言3可编辑版各向异性导电胶的结构示意图4可编辑版5可编辑版ACF 的导电颗粒结构金属导电颗粒的变形示意图6可编辑版聚合物导电颗粒变形示意图7可编辑版基于 ACF 的 COG 封装模型8可编辑版采用有限元分析方法分析 COG 封装的残余应力分布具有效率高，精度高的优点，通过有限元分析软件ANSYS 建立 ACF 型的 COG 封装模型，并分析压力、温度等多工艺参数对应力的影响。9可编辑版 COG 封装金属导电颗粒模型的建立10可编辑版11可编辑版12可编辑版导电颗粒的直径为 3um，施加的压力载荷为 7MPa，分析凸点宽度尺寸对金属导电颗粒残余应力的影响。13可编辑版14可编辑版宽度为 12um，压力 7MPa，导电颗粒直径 3um，分析凸点高度尺寸对金属导电颗粒残余应力的影响15可编辑版16可编辑版高度为 4um,宽度为 12um，导电颗粒直径 3um，分析键合压力对金属导电颗粒残余应力的影响17可编辑版18可编辑版COG 封装聚合物导电颗粒模型的建立19可编辑版20可编辑版21可编辑版22可编辑版设键合头和玻璃基板温度都是恒定不变的。选择键合压力分别为 3N，3.5N 和 4N，且键合头和玻璃基板温度分别为 180和 16023可编辑版键合头的温度设定为 180，200，220和 240，且玻璃基板温度和键合压力分别为 140，3.5N。24可编辑版键合头温度和键合压力都是固定的，而玻璃基板的温度设定在 100，120，140和 160。25可编辑版小结 通过建立了 COG 封装的两种导电颗粒模型，并采用有限元分析方法对两种模型的残余应力进行了分析，分析了凸点的宽度、高度和键合压力对金属导电颗粒模型残余应力的影响，并分析了 COG 封装过程中不同工艺参数下聚合物导电颗粒模型残余应力的影响，其中包括键合压力、键合温度、基板温度，为优化残余应力分布提供了定性的预测。26可编辑版Thank youThank you！27可编辑版