带隙基准电路.ppt

基于0.35微米CMOS工艺的带隙基准源设计Based on 0.35um BCD Process BandGap reference design.第一章 概述1.BCD工艺简介BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）功率集成电路器件，通过MOS管的最高电压可达40V，最低为5V。2.带隙基准源简介及其应用模拟集成电路广泛地包含带隙基准电压源，由于带隙基准电压源的输出电压与电源电压、工艺参数和温度的关系很小，所以带隙基准电压源一直是集成电路中的一个重要的基本模块，例如可应用于LDO或者电荷泵等。图1.2 基本的带隙基准源.第二章 BandGap电路设计1.核心电路（含启动电路）图2.1 核心电路（含启动电路）123启动电路.2.运放电路图2.2 运放电路三级运放通过运放，使整个核心电路的偏置电压独立于电源电压，从而提高电源抑制比。.3.启动电路图2.3 启动电路保证运放正常工作，并提供偏置.图2.4 整体电路核心电路核心电路启动电路启动电路三级运放三级运放此电路共计此电路共计49个个MOS管，管，5个三极管，个三极管，8个电阻和个电阻和1个电容个电容.第三章 仿真结果1.输出电压SSTTFF输出电压1.25V1.23V1.22V图3.1 输出电压仿真图.SSTTFFPSRR73dB72dB93dB2.电源抑制比（PSRR）图3.2 电源抑制比仿真图.3.温度系数（TC）SSTTFF温度系数5.79ppm/1.13ppm/0.74ppm/图3.3 温度系数仿真图.4.功耗SSTTFF功耗0.99mW1.35mW2.05mW图3.4 功耗仿真图.5.蒙特卡罗分析温度系数输出电压电源抑制比功耗.S ST TF F输出电压（V）1.356-1.0411.342-1.0231.332-1.013电源抑制比（dB）98.54-51.226106.58-51.5595.71-48.64温度系数（ppm/）105.78-1.33789.205-0.56678.72-2.183功耗（uA）218-182321-274441-383蒙特卡罗分析结果.参考文献：1.高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源_吴志明2.模拟CMOS集成电路设计_毕查德拉扎维.