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GB∕T 20228-2021 砷化镓单晶.pdf

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1、ICS 29.045 CCS H 83 中华人民共和国国家标准2021-05-21发布呻化镣单E3 日日Gallium arsenide single crystal GB/T 20228-2021 代替G/T20228-2006 2021-12-01实施国家市场监督管理总局Lg.-/;-国家标准化管理委员会以叩G/T 20228-2021 目。吕本文件按照GB/T1. 1-2020标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则的规定起草。本文件代替GB/T20228-2006:l:O.5。 、OOO:l:O.50,如需特殊的晶向由供需双方协商确定并在订货单中注明。5.5 电学性能呻化嫁单

2、晶的电学性能(包括导电类型、载流子浓度、霍尔迁移率、电阻率、截面电阻率不均匀性)应符合表2的规定。表2电学性能导电类型掺杂剂载流子浓度霍尔迁移率电阻率截面电阻率不均匀性C口1-3cm2 /CV s) 。.cmn Si 、Te、S、Se、Sn4 X 1016 5 X 1018 15% Zn、Cd、Be、Mn、 15% p 4 X 1016 5 X 1019 Fe、Co、孔19非掺二月500 二三2X107 15% S1 C 二三4000 二三1X 108 15% a SI型呻化镣单晶的电学性能为退火后的指标值。5.6 位错密度呻化嫁单晶的位错密度等级及要求应符合表3的规定。如对位错密度有特殊要求

3、,由供需双方协2 G/T 20228-2021 商确定并在订货单中注明。表3位错密度位错密度等级及要求直径cm -2 口1日1I H 皿W 50.8 三三1X 102 王三3X102 三三5X 102 三二1X 103 76.2 三二1X 102 三三3X102 三三5X 102 三三3XlO:l 100.0 至二1X 102 三三3X102 三三5X 102 三三5X 103 150.0 3X 102 5X 102 三二5X 103 三二2X104 200.0 三三5X 102 王三3X103 三二1X 104 运5X 104 6 试验方法6.1 外形尺寸呻化嫁单晶的直径用分度值为0.02m

4、m的游标卡尺测量。6.2 表面质量呻化嫁单晶的表面质量目视检查。6.3 参考面或切口呻化嫁单晶的参考面、切口取向按GB/T13388规定的方法测试,参考面、切口尺寸用相应精度的量具测量。如有其他要求由供需双方协商确定。6.4 晶向及晶向偏离度呻化嫁单晶的晶向及晶向偏离度按GB/T1555规定的方法测试。6.5 电学性能6.5.1 n型、p型呻化嫁单晶的导电类型、载流子浓度、电阻率按GB/T4326的规定进行测定。6.5.2 SI型呻化嫁单晶的导电类型、霍尔迁移率、电阻率按SJ/T11488的规定进行测定。6.5.3 截面电阻率不均匀性根据电阻率测试结果按公式(1)、公式(2)进行计算,电阻率测

5、试点在呻化嫁单晶截面沿直径方向均匀取5点,即中心取1点,左右各取2点,如图1所示。呻化嫁单晶平均电阻率按公式(1)计算:H三同. ( 1 ) 式中:p一一平均电阻率,单位为欧姆厘米(0, cm); 冉一一第i个测量点电阻率,单位为欧姆厘米(0,.cm); i一一测试点数目,i=15。截面电阻率不均匀性按公式(2)计算:3 G/T 20228-2021 % AV AU -EA 一-= 一一一6 . ( 2 ) 式中:d一一截面电阻率不均匀性;iPm叽飞Om阳丁m卫川zm川山n测定电阻率最小值单位为欧姆厘米(0 cm); 一一平均电阻率,单位为欧姆厘米(仰o. cm)。图1电阻率测试点位置图6.6

6、 位错密度呻化嫁单晶的位错密度按GB/T8760规定的方法测试。7 检验规则7.1 检查和验收7.1.1 产品应由供方技术监督部门进行检验,保证产品质量符合本文件及订货单的规定。7.1.2 需方可对收到的产品按照本文件的规定进行检验。如检验结果与本文件或订货单的规定不符,应以书面形式向供方提出,由供需双方协商解决。属于外形尺寸或表面质量的异议,应在收到产品之日起1个月内提出,属于其他性能的异议,应在收到产品之日起3个月内提出。如需仲裁,仲裁取样应由供需双方共同进行。7.2 组批呻化嫁单晶应成批提交验收,每根呻化嫁单晶为一批。7.3 检验项目每批呻化嫁单晶应对外形尺寸、表面质量、参考面或切口、晶

7、向及晶向偏离度、电学性能、位错密度进行检验。7.4 取样呻化嫁单晶的取样应符合表4的规定。如需对其他晶面进行检验,可由供需双方协商确定并在订货单中注明。4 表4取样检验项目取样位置及数量技术要求的章条号外形尺寸5.1 表面质量5.2 参考面或切口5.3 晶向及晶向偏离度5.4 导电类型载流子浓度E申化嫁单晶头尾沿(00)或电学性能霍尔迁移率011 )品面各切1片5.5 电阻率截面电阻率不均匀性位错密度石申化嫁单品头尾沿(00)或5.6 (11)晶面各切l片7.5 检验结果的判定7.5.1 呻化嫁单晶的外形尺寸检验结果不合格时,判该根肺化嫁单晶不合格。7.5.2 呻化嫁单晶的表面质量检验结果不合

8、格时,判该根呻化嫁单晶不合格。7.5.3 呻化嫁单晶的参考面或切口检验结果不合格时,判该根呻化嫁单晶不合格。G/T 20228-2021 试验方法的章条号6.1 6.2 6.3 6.4 6.5 6.6 7.5.4 呻化嫁单晶的晶向及晶向偏离度、导电类型、载流子浓度、霍尔迁移率、电阻率、截面电阻率不均匀性、位错密度的任一项检验结果不合格时,则再次取样对该不合格项目进行重复试验。若重复试验结果仍不合格,允许再次取样检验。若连续三次检验结果均不合格,判该根呻化嫁单晶不合格。8 标志、包装、运输、贮存和随行文件8.1 标志8. 1. 1 每个呻化嫁单晶包装袋附上标签,注明呻化嫁单晶的牌号。8.1.2

9、呻化嫁单晶的外包装箱上应至少注明:a) 供方名称、地址、电话、传真;b) 产品名称和牌号;c) 产品数量;d) 小心轻放防潮等标志或字样。8.2 包装每根检验合格的呻化嫁单晶应清洗表面,干燥后逐根装入包装袋后,置于适当的包装盒内,四周用软性材料塞紧,以免损伤,再将包装盒装人包装箱内,附上随行文件。8.3 运输呻化嫁单晶在运输过程中应防止碰撞、受潮和化学腐蚀。5 G/T 20228-2021 8.4 贮存呻化嫁单晶应存放在干燥、无腐蚀性气氛的环境中。8.5 随行文件每批呻化嫁单晶应附有随行文件,其中除应包括供方信息、产品信息、本文件编号、出厂日期或包装日期外,还宜包括:a) 产品质量证明书,内容

10、如下: 产品的主要性能及技术参数; 产品特点; 对产品质量所负的责任; 产品获得的质量认证或带供方技术监督部门检印的各项分析检验结果。b) 产品质量控制过程中的检验报告及成品检验报告。c) 产品使用说明:正确搬运、使用、贮存方法等。d) 其他。9 订货单内容需方可根据自身的需要,在订购本文件所列产品的订货单内,列出以下内容:a) 产品名称;b) 产品牌号;c) 产品技术要求;d) 产品数量;e) 本文件编号;f) 本文件中要求在订货单中注明的内容;g) 其他。6 -NON-NNONH闰。国华人民共和国家标准呻化镣单晶中GB/ T 20228-2021 中国标准出版社出版发行北 京市朝阳区和平里西街甲2号(100029)北京市西城区三里河北街16号(100045)9号网址: 服务热线:400-168-00102021年5月第一 版侵权必究-)f 书号155066 1-67405 版权专有回亚9田幅画歪B茸唱国耐耳币1日2、r-.liii.l.-vJ:咀码上扫一扫正版服务到GB/T 20228-2021

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