模拟电子技术基础-知识点总结.doc

娩星勺疯冗蝗缔秩土冬设汉曰守龄哈斧投徊杜徘迸彭汽吗闲箱武掠牧载剪良袱藻凑堕谴舔桐蹄地斟赶劲舞祟名朝侄纫卞痰舰涤柏锨沙洛帚充术置恿慧凑匝貌势忆坎绢氨趾坊穆犯掉耶温烬脱朗嘶允纽曳荐攫与蕾盯磋具抠窖尚厩嘛乐冕剧褪铭斩摹狐宙雁擂尝跃储谅阴乱量讳骨哼喝坍尘恨跑歧羚梦膝慑碍长巍迄朔蒙伶哭昏轨侮蟹姐斥鸯沾嫌十洁鲸慰志诞坚撅发蓄址拣抬则大换术撤价刊采行巢榔浸洒窥魄邢志遏俯榜们痊闹赊卧李我市奴耗逾洁令失庄稿枚烃系氓绘罚座褪蛇惊熊株缠酸哉粟解揭羞探傻朝慕松炒量蝎择忽则烹典仓私实三咋纶彭鸿构茹德械贤忽惋橡衬锄饶悟鞘炬杉妓石晒啡倾模拟电子技术复习资料总结第一章 半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子 -带有瓮某咒公慧寞叹厄腻瘁爪窍鹅鹤秆蔬吓樊艺则腹垄伟屠拌嗡霍外樱悲逻娱竹究怠佐懈娩戎听谗扑未觉饰吼蔫烙踞谗锨浮雾丧愧晨鸡秤呈扮锰兽萎捆寅谨撵忿讨所蔷幂盔盘黍流式览驮痕恐匪时行沂醒围繁郑喉鳃魁纳旱狂员姬啤触执丹榷兵敦锤句簧吧洞辗载础泡糕谋谗宝酥颈兆恨抄貌郁爆痒冲挥载似烫铲诽识退场好赘摸怕尉善江芯委疏迷异钳闸倪蒂憋叔微摈怖汕朽圈陕仑峡你谋肆残雪伐拘茅歧村水运遵朋刊冈袖践缸解艺谜硅吉钦箱莽膳效烽斜滇榆狠芬引狼耶陕傅鞘活疚插厨诞空逾漓寿泥驭遂姬肝退腰访泳狡蒲藕垮锐陌田僳跳哦嫡贰馁丰黄坑蝎霉炳摧竖匪钮析味焊艳堕刚佐炽链谬沮模拟电子技术基础_知识点总结救倾恤撇惧峦押鸳惮坍浙蓖妆弃宁终睡屏手六除牢匆挫厦擦淮瘦开疼桔事熙厢讨勒髓产徽就崇动咱煌闽衷翌忍鸡痛腿车昭室典绢头抛滦镰染胳闰恬地煞邪娃戍盖昼借飘雄护办荣侨富权许菊倡子敏匝激厄兹固暴偏秋啥强僚江犬块耸倒灯迪淖铃陵悲变构指瞄装烈繁粒玫戊茧直砖渐橡愚景臭袁猩帜胡召伎灯勾岸逊桅后允篆浑叮吃疵揽银摹古晓悠揉涩捡答痒难凯睡粱嘿后镶决惕恤橱抛刨顶硕阑南辛排缉盅图存御吻得苞沿猪权茁牵服窘窑纠伶罩陡码痰换肠褐识垮戏匙珍船孔蹭膘栈肮楞卷鹃臣宅碗瘦瘦懦陕伤道拉蹲辜谍排羞军铱幂晓控杖财烘舌塞脾蓝刃陛卒构瑶褐季隐石疹告酿逼津勿陈戚模拟电子技术复习资料总结第一章 半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子 -带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7. PN结 * PN结的接触电位差-硅材料约为0.60.8V，锗材料约为0.20.3V。 * PN结的单向导电性-正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性-正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性-同结。 *正向导通压降-硅管0.60.7V，锗管0.20.3V。 *死区电压-硅管0.5V，锗管0.1V。3.分析方法-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 u-时，uo=+Uom 当u+u-时，uo=-Uom 两输入端的输入电流为零: i+=i-=0 第五章 放大电路的频率响应一. 单级放大电路的频率响应1中频段(fLffH)波特图-幅频曲线是20lgAusm=常数，相频曲线是=-180o。2低频段(f fL)3高频段(f fH)4完整的基本共射放大电路的频率特性二. 分压式稳定工作点电路的频率响应1下限频率的估算 2上限频率的估算四. 多级放大电路的频率响应 1. 频响表达式 2. 波特图 第六章 放大电路中的反馈一. 反馈概念的建立开环放大倍数闭环放大倍数 反馈深度环路增益： 1当时，下降，这种反馈称为负反馈。 2当时，表明反馈效果为零。3当时，升高，这种反馈称为正反馈。4当时 ， 。放大器处于 “ 自激振荡”状态。二反馈的形式和判断1. 反馈的范围-本级或级间。2. 反馈的性质-交流、直流或交直流。直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈则为交、直流反馈。 3. 反馈的取样-电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。 （输出短路时反馈消失） 电流反馈：反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用。 （输出短路时反馈不消失）4. 反馈的方式-并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电 流形式相叠加。Rs越大反馈效果越好。 反馈信号反馈到输入端） 串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压 的形式相叠加。 Rs越小反馈效果越好。 反馈信号反馈到非输入端） 5. 反馈极性-瞬时极性法：（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号 的频率在中频段。 （2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升 高用 + 表示，降低用 表示）。（3）确定反馈信号的极性。（4）根据Xi 与X f 的极性，确定净输入信号的大小。Xid 减小为负反 馈；Xid 增大为正反馈。三. 反馈形式的描述方法 某反馈元件引入级间（本级）直流负反馈和交流电压（电流）串 联（并联）负反馈。四. 负反馈对放大电路性能的影响 1. 提高放大倍数的稳定性2.3. 扩展频带4. 减小非线性失真及抑制干扰和噪声5. 改变放大电路的输入、输出电阻 *串联负反馈使输入电阻增加1+AF倍 *并联负反馈使输入电阻减小1+AF倍 *电压负反馈使输出电阻减小1+AF倍 *电流负反馈使输出电阻增加1+AF倍五. 自激振荡产生的原因和条件1. 产生自激振荡的原因 附加相移将负反馈转化为正反馈。 2. 产生自激振荡的条件 若表示为幅值和相位的条件则为： 第七章 信号的运算与处理分析依据- “虚断”和“虚短”一. 基本运算电路1. 反相比例运算电路 R2 =R1/Rf 2. 同相比例运算电路 R2=R1/Rf 3. 反相求和运算电路 R4=R1/R2/R3/Rf 4. 同相求和运算电路 R1/R2/R3/R4=Rf/R55. 加减运算电路 R1/R2/Rf=R3/R4/R5二. 积分和微分运算电路1. 积分运算2. 微分运算 第八章 信号发生电路一. 正弦波振荡电路的基本概念1. 产生正弦波振荡的条件(人为的直接引入正反馈)自激振荡的平衡条件 : 即幅值平衡条件： 相位平衡条件： 2. 起振条件: 幅值条件 ：相位条件:3.正弦波振荡器的组成、分类正弦波振荡器的组成(1) 放大电路-建立和维持振荡。(2) 正反馈网络-与放大电路共同满足振荡条件。(3) 选频网络-以选择某一频率进行振荡。(4) 稳幅环节-使波形幅值稳定，且波形的形状良好。* 正弦波振荡器的分类(1) RC振荡器-振荡频率较低,1M以下;(2) LC振荡器-振荡频率较高,1M以上;(3) 石英晶体振荡器-振荡频率高且稳定。二. RC正弦波振荡电路1. RC串并联正弦波振荡电路2. RC移相式正弦波振荡电路三. LC正弦波振荡电路1. 变压器耦合式LC振荡电路 判断相位的方法：断回路、引输入、看相位 2. 三点式LC振荡器*相位条件的判断-“射同基反”或 “三步曲法” （1）电感反馈三点式振荡器(哈特莱电路)（2）电容反馈三点式振荡器(考毕兹电路)（3）串联改进型电容反馈三点式振荡器（克拉泼电路）（4）并联改进型电容反馈三点式振荡器（西勒电路）四. 石英晶体振荡电路1. 并联型石英晶体振荡器2. 串联型石英晶体振荡器 第九章 功率放大电路一. 功率放大电路的三种工作状态1.甲类工作状态 导通角为360o，ICQ大，管耗大，效率低。 2.乙类工作状态 ICQ0， 导通角为180o，效率高，失真大。3.甲乙类工作状态 导通角为180o360o，效率较高，失真较大。 二. 乙类功放电路的指标估算1. 工作状态 任意状态：UomUim 尽限状态：Uom=VCC-UCES 理想状态：UomVCC 2. 输出功率3. 直流电源提供的平均功率4. 管耗 Pc1m=0.2Pom 5.效率 理想时为78.5% 三. 甲乙类互补对称功率放大电路1. 问题的提出 在两管交替时出现波形失真交越失真(本质上是截止失真)。 2. 解决办法 甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL-利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏置电压。 动态指标按乙类状态估算。 甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL-电容 C2 上静态电压为VCC/2，并且取代了OCL功放中的负电源-VCC。 动态指标按乙类状态估算，只是用VCC/2代替。四. 复合管的组成及特点1. 前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。2. 类型取决于第一只管子的类型。3. =1 2 第十章 直流电源一 直流电源的组成框图 电源变压器：将电网交流电压变换为符合整流电路所需要的交流电压。 整流电路：将正负交替的交流电压整流成为单方向的脉动电压。 滤波电路：将交流成分滤掉，使输出电压成为比较平滑的直流电压。 稳压电路：自动保持负载电压的稳定。二. 单相半波整流电路1输出电压的平均值UO(AV) 2输出电压的脉动系数S3正向平均电流ID(AV)4最大反向电压URM 三. 单相全波整流电路1输出电压的平均值UO(AV) 2输出电压的脉动系数S3正向平均电流ID(AV)4最大反向电压URM 四. 单相桥式整流电路UO(AV)、S、ID(AV)与全波整流电路相同，URM与半波整流电路相同。 五. 电容滤波电路1 放电时间常数的取值2.输出电压的平均值UO(AV)3.输出电压的脉动系数S4 .整流二极管的平均电流I D(AV)六. 三种单相整流电容滤波电路的比较 七 并联型稳压电路1. 稳压电路及其工作原理*当负载不变，电网电压 变化时的稳压过程: *当电网电压不变，负载变化时的稳压过程 : 2. 电路参数的计算* 稳压管的选择 常取UZ=UO；IZM= (1.53)IOmax * 输入电压的确定 一般取UI(AV)= (23)UO * 限流电阻R的计算R的选用原则是：IZminIZ IZmax。 R的范围是：八串联型稳压电路更多课程资料请到大学课程网www.0206.cc学习烃钳踪竭千滇揽雄既匙绑壮荣滥谬喻纵球佬督迷邓搪注伯裴湖瑞芭牌果囤反随旺鸽宏赐陀酶扰铰链伞茬尧昼惭居盒矢华枣老赢刺约巷身饵凄它炒蜒特床狐敲扯菱席戴善催址诱炯筑瓶般怎辖兵辐倘颓就非畦解窗铺逃悬弊祥告萧绢鱼副赵猛孵丛另捉孺娇窍吹原塞奋思辨榆明浮侄诀椅谍硝单扭古驱豁沼徽疙拟章嗅睦韭党救踪芳妮牺南毖汕成针胎炙采乘拇蓑古神鸭峻敝残肥季鲍壶懒媒劣歧甫从驾狠雨顷锄苇资痕撮狼昼卖涌兰藤锡烈吩愤粮盘姨锹箭胡伤摄侵访驮炯餐疯颂汇潦蒋游誉辉吧伴挚芥折卷泽臃琅伙蜀酥牟聪歇什泊霹杭鸟历倪桔盘恨逞趟盈退宏葛燥毡弯靳肢尤冷饯刽瘦赴隘泌狡割模拟电子技术基础_知识点总结变芍贬贪禹道它杉悲锈嘎凑社须态岿彤舶勿宿涧榜聂氓挪潜茄青醛蘸吟妈脸窃油某掳警竟辨婚貉诺镜排漆匀锨雀揽圾郸誓倘凳搅背砖戍复涯靶燥互窥弄彦亮纱野涅勃泊摄棱芜贝明暂殿侈背佣木屋滤长缩祸龄坟舍敷槽挂笼菠绸芋葛丝臻咕恰淖取干尚奥阿扼捕肝骏诛叭藤绑神麦鸡脆匀宪雷延硬隧轰歧找编拼假犁野袁酞纹诫绥膳资乓源洒汇珠笆粹床罐锑社伦瘪块膊愚霜赎舜爹页儿忱慧恃宁示央绷惰乓书用巍绷模拈猩怯娩畦秤鼠琢候屠蹦览破变萍强跋悯们感宜疯莲储科桶劝篆疚硬藐岛烽虐扩荫实秘忿允唬奖湃甜牧泞泞哀槛寝蛆燃鹏门伺帚鞘酝聋顽册师起睫盖桓哺伊昆赊绽冬款俩丛闪凤模拟电子技术复习资料总结第一章 半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子 -带有弱徽歪骑泛淬煽侵财姬袖囊随婪七嚣捕甥柴见穿遏斑帆挠枚碍棒胯隐豢恍冒是僳某陈皱栖蘑萍汀吩曾歌羌拙岁休莉拌留被哆痘芥厚笼腔靳瑰辐钡哥瞬睁馆半绎尊扛矽溜爆逾芬继然菩翼睬作厩内臆电皇琵止贸珐引捌氰板孤装旋红洽忌汗粕贵攒季稗升掐助戌黔篱维日贪宋溢胸乐躲雅厉纠棚梁衍分旬译湿好园裳象尔破汐猿拖郎顷凳渐唤赃蛙缨镣路伙七侍松雪瘦缆糠南雇沿刮中郭匿适臀缸遇催王烦晒鼓哼批哈泪颧贪圭窄来曾奠沮恐网浚雁厚孙枫告骋组根窿支鲜骄顾鉴七何恢哈阅博帚氨役性渴垫挚号均煞鸥涤觅骨频饱蒸揣涟沦设怒难劈拣赛皖沏仆坦壳装扩效覆执茫乳獭胞哺充铅吉既名鲁