BST频率可调滤波器专题.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,铁电及介电薄膜材料,在电 调谐微波器件上的应用,余汉祥,微波可调 谐 器 件,工作频率或带宽阻抗等参数可受外界因素,（,比如机械力场,、,电场磁场等,）,调控的微波器件,，,包括可变电容谐振器滤波器,、,移相器,、,延迟线,、,压控振荡器,、,阻抗匹配网络等,。,铁电薄膜材料（BST）的优点,1.高介电常数（,10,2,10,3,）,2.小型化的器件,3.高可调谐率（可达90%以上）,4.调谐速度快（纳秒级）,5.铁电居里温度可调节,6.消耗功率低,7.工艺与半导体工艺兼容,位移型铁电体,BST,属于位移型铁电体,对应的是位移型相变,即由于原子的非谐振动,其平,衡位置相对于顺电相可以 发生偏移,从而导致自发极化,。BST是典型的钙钛矿结构。,钙钛矿结构,BST薄膜制备,CPL技术：采用高功率的准分子激光,器或,CO,2,激光器产生脉冲 激光束照射靶材烧蚀剥离出分子或分子团并沉积在加热的衬底基片上形成薄膜,。,BST,薄膜性能的优化,FOM为品质因子，衡量材料的综合,介电性能,该式表明可调微波器件用的铁电材料在介电性能方面必须同时具有尽可能大的介电调谐率以及尽可能小的介电损耗,。,掺杂,对,BST,薄膜的掺杂研究通常是为了获得更低的介电损耗和漏电流,。,掺杂离子占据B位，成为受主掺杂。可以中和氧空位的施主行为，减小BST薄膜中的电子浓 度，增 大 BST薄膜/电极界面的肖特基势垒高度或者 增大耗尽层宽度促使肖特基电子发射电流或者隧穿电 流减小。,组分梯度变化多层膜,构造组分梯度变化的,BST,多层薄膜可以获得比组分均 匀的,BST,单层薄膜大近,3,倍的介电调谐率,。,具有组分梯度变化的,BST,多层薄膜的介电性能具有更佳的温度稳定性,，,可在更宽的温度范围内同时具有高的调谐率 和低的介电损耗,。,纳米铁电多层薄膜,利用合适的衬底控制薄膜的厚度改变薄膜的应变 可,提高,外延薄膜的铁电居里温度,和极化强度。铁电超晶格或纳米铁电多层薄膜存,在薄膜,/,衬底,、,薄膜,/,薄膜 等界面介电铁电增强效应十分明显,。纳米铁电多层薄膜可采用几,十纳米的层厚,，,因而制备纳米铁电多层薄膜不需要复杂的设备,，,工艺简单,，,可适用于规模化生产,。,新型介电薄膜材料,Bi,2,O,3,-ZnO-Nb,2,O,5,（BZN）,薄膜也具有介电常数随电场非线性变化的特性,。其具有典型的绿石型相结构。,新型介电薄膜材料,BZN的,突出优点是即使在微波波段损耗依然很低,。BNZ,薄膜的温度系数也较低,而且不同组分的,BNZ,薄膜分别具有正的,、,负的温度系数,通过构造多组分多层膜有可能得到温度系数接近零的介电薄膜,在微波领域有很好的潜在应用前景,。,展望,利用纳米铁电多层薄膜的调控技术,，,结合掺杂改性效 应,，,对具有组分梯度变化的纳米铁电多层薄膜的制备工艺进行科学设计,，,掌握纳米铁电,BST,多层薄膜的微结构及界面特性与其介电调谐性能之间的关联规律,，,从而获得介电性能优良的,、,可供高性能铁,/,电介电薄膜微波调谐器件制作的纳米铁电,BST,多层薄膜,。,