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付胶磐 力格 蜡屈 祈笼,付胶磐 巩磊凯 蜡屈 祈笼,笛掳 荐霖,悸掳 荐霖,齿掳 荐霖,促几掳 荐霖,*,术语整理,1,1,VI,1.工程术语解释,V,IV,III,1.基本术语,I,II,术 语,解 释,Abort (,中止),Agent（,代理）,Air Shower（,气浴）,Accuracy (,精确性，正确度),Ball Valve,Adjust (,调试),Back Rinse (,背面漂洗),Axis (,轴),B.M(Breakdown Maintenance),Back side,Bake（,烘干）,Bay,Beam（,束）,过程进行中 因,M/C,异常等原因 中止过程,代替外国,M/C Maker，,维护,M/C,和,trouble shooting,等,服务的人员,为,保持,fab,內 清洁度，以,P/T,减少的方法，从,Class,低处到高处，从,Classs,低处移到高处时用,Air,清除,P/T,的场所,在,Photo,工序和设备中常用的术语，表现为,Alignment Accuracy,Stepping Accuracy,等,显示移动的正确距离或显示正确值。,各种设备右,BOARD,等中 为达到机械性或电气性的理想值或某种状态，进行调试,机械上指旋转部位的中心部分，光学上指 几个或数十个圆形的透境组合成为群体时,透境 的中心部分为基准，此基准称为光轴,M/C,发生问题后采取的,Maintenance（,保养）.,TRACK,设备中,Glass,涂抹或,现场作业后，为清除背面的异物而清洗的过程,指,Glass,的,背面,为,除去含在,PR,的,潮气，用高温处理,Glass,等,同时处理很多张,wafer,形态,将,Fab,按工序分类指定的 区域,离子或电子得到 能量(电场，磁场)以高密度在空气中飞行时生成地移动路径,为,防止,Pump exhaust,部向,pump,回流，,valve,内部有胶类球体的管,Batch（,批）,2,2,VI,V,IV,III,I,II,Bipolar（,双极）,Bottle Neck (,瓶颈现象),Capa,(,能力）,Charge（,充电）,Chiller（,冷却器）,Clean Mat（,清洁垫）,Clean Room (,无尘室),Collector（,集电极）,Control Rack（,控制架）,与单极相反的意思，移动电荷的,carier,，,由,electon,和,hole,同时分担作用,一般指,Booster pump，,为增加,pump speed,辅助使用的,pump,不能单独使用,因备用设备不够使,run,密集的现象,M/C,使用各调校,reference,值变化,Capability,的简写，指处理能力.,储存电子的元件.,Memory,中,组合多个,Capacitor,的,data,来储存,为,防止,Glass,之间的接触，有槽位的,Glass,保管容器,储存电荷,调节冷却水温度的装置,用于无尘室，为除去鞋底微粒而设置的带粘性的垫子,抑制微粒的发生，利用过滤器消除发生的,P/T，,达到几乎无尘的封闭的空间,Tr,中接收电子的部分,聚集,Controller,的,架子,Chemical Vapor Deposition,的,简写，需要沉积的物质用高温蒸发到,Glass,上,沉积,后产生,thin film（,薄膜）的方法,Booster（,调压,器）,为减小受力部位的磨擦，能顺畅地转达动力而设置(,Ball Bearing Air,Bearung,),向,Cryo,pump,里,输入压缩的,He,降低,Cryo,pump,內温度的装置,Fab,內使用的 不产生微粒的 纸做的,Note,Memory,的基本单位(1,Byte=8bts),Bit,Capacitor（,电容器）,Compressor（,压缩机）,CVD (,化学性气体附着),Critical Dimension(CD),指,Photo,工序中,Reticle,的,Pattern,爆光于,Glass，,再,显影后的线或,Pattern,的,宽或长度,Bearing（,轴承）,Calibration（,校正）,Cassette（,盒子）,Clean Note (,无尘 笔记),1.工程术语解释,术 语,解 释,3,3,VI,V,IV,III,I,II,ELLIPSO METER,EEPROM（,只读存储器）,Halation（,晕光）,Ion Gauge（,离子测量）,LOT,Mono Meter,O-Ring,Metal Etch,MOS（,金属氧化物半导体）,测,氧化物厚度的装置,Tr,中发射电子的部分,被蚀刻的速度,发生问题时掐断,M/C,的,开关,电可擦除只读存储器,带+电荷，与 电子一起移动电荷的粒子,也叫刻凹痕,现象，在,SD,或,METAL LAYER,等,photo,工序中出现，根据下面,pattern,的反射，,使上面的,pattern,两边刻蚀的现象,原子或分子带电荷的状态,把分子或原子变成离子后检查其内部粒子的,Vacuum gauge（,真空测量）的一种,Glass,的工序单位,测量,exhaust（,排气）压力的装置,刻蚀,Metal line,以外的工序,Metal Oxide Semiconductor,的简写，具有在半导体(,Si,),表面生成氧化膜(,SiO,)，,在其上,粘上金属的结构.,也叫,NAMING,设备，形成,LOT,名和,Glass,号的设备,Deposition (,沉积),CD BAR,或,CELL,部分用,CD SEM,测试管理的参数,.,把物质附着在,wafer（,晶片）表面,Mass flow controller,的简写，调节流体流量的装置,除了必要的部分外，刻掉其余的部分的工序,ETCH (,蚀刻),ION (,离子),MFC,MARKER（,记号器）,Vacuum sealing,部分使用的胶质的环,EMITTER（,发射极）,ETCH Rate (,蚀刻速度),Emergency (,紧急情况),Hole (,电孔,),Metal Contamination(,金属污染),构成,M/C,的,金属部分,sputtering（,飞溅）到,Glass,中沉积，对,device,产生不良影响,1.工程术语解释,术 语,解 释,4,4,VI,V,IV,III,I,II,Pattern,PPT,Reliability (,可靠性),SEM,Russel,Lot,Scrubber,Torr,（,托）,Silicon（,硅）,Mask,中,被 设计的,Device,的形态,指定蚀刻部位或离子周围，为保护一定部位做,Mask,的工序,用,显影液减弱,Photo resistor,后 用化学药品除掉,百万分之一(,Part Per Million),万亿分之一(,Part Per Trillion),加工单结晶的水晶做成的无污染的,Glass,处理 部分,完成的,Glass,可靠性,同一方法产生的结果的类似性,Read Only Memory,简写，是只读存储器的意思.指存储的内容已定,不能用计算机进行对其内容,删除或变更的存储器.,试生产,lot,中和或去除有毒物质的装置,TV,式扫描，在其过程中检测和观察产生的2次电子，反射电子或样品电子,Si,4,介元素，是半导体的主原料,利用启动生产，检测,M/C,的,方法,为,防止,channel,现象，给晶片一个角度,P/R,起绝缘或保护,Device,的,氧化膜,Photo resistor,的简写，是一种感光液,显示,M/C,状态的灯,Scanning Electron,Microscop,的简写，指扫描形电子显微镜.由电子束对样品的表面进行,part per billion,的简写，表示10亿分之一,PR Strip,Repeatability (,重现性),Signal Tower（,信号塔）,Split,分裂,Tilt（,倾斜）,真空的单位,Oxide (,氧化膜),Photo,PPb,PPM,Quartz (,石英),ROM（,只读存储器）,1.工程术语解释,术 语,解 释,5,5,VI,V,IV,III,I,II,Vapor (,汽化),使固体蒸发,利用化学药品的蚀刻方法.,Up Time,利用超声波的清洗工具,M/C,运行时间,湿蚀 刻进行的场所,WET Station,Ultra Sonic,清洗器(超声波清洗器）,WET ETCH (,湿蚀刻),1.工程术语解释,术 语,解 释,6,6,VI,V,IV,III,2.工程 术语,Full Name,Active,Depo,Adhesion,喷,银（,Ag）,A.G.V,Air Knife,Align,Alignment,Alloy（,合金）,AM LCD,Anilox,roll,Annealing,ANODIZING,APCVD,Active Matrix Liquid Crystal,Display,Atmospheric Pressure CVD,在,真空状态下,SiNx,a-,Si,:H,n+,Si,:H 3,种物质连续沉积,Metal(Glass),上,PR,能够附着的力量.,为使,TFT,和,C/F,基板之间的相互导电，用注射器将银,Ag,点到,C/F,基板上,自动输送装置,一种干燥方法，把高压气体喷到基板上清除液体.,Aqua Knife,把物品排列到正确的位置上,排列,具有金属性质,含2种或2种以上的化学元素,并其元素中至少1种是金属。,指在各像素中形成的能动元素能够控制像素开关动作的液晶显示器。,能动元素主要由像二极管的两个电极或像三极管的三个电极的元素来组成,PI,印刷时,APR,胶板上涂上,Pi,的,圆柱形 滚筒,也叫退火,为调节铁和钢的软化、结晶组织或消除内部应力，用适当的温度加热后,以下的温度后再缓缓地冷却,对金属表面强行进行电子氧化，表面形成氧化膜.,常压(大气压 760,mm,Torr,),的反应容器内利用简单热能引起的化学反应沉积薄膜的,方法.,Auto Guided Vehicle,缓慢冷却的操作.,Glass,中为消除因施加的热冲击或压力产生的应力，加热到熔点,I,II,1.工程术语解释,术 语,解 释,7,7,VI,V,IV,III,Full Name,APR胶棋板,Array,Ashing,Assembly,Auto,Prober,Brush Gap,清洗的一种方法，在,Glass,表面喷洒,DI Water,去除污染物质,Transistor,与,Glass,接触，将,PI,涂到,Glass,上的,刻有,Pattern,的胶质板,将,TFT,排列成,Matrix,状的像素集团.,Array,的,Size,表现为 垂直排线数(指,Data,线数,对应为水平像素数)扫描线数(指,Data,线数，对应为垂直像素数)=总像素.,做,D./E,之前利用,plasma,状态的,O,2,Gas，,将 残留,PR,和,PR,外表面变成,CO,2,去除,Si,的结晶结构中将最无秩序的非晶质硅(,a-,Si,),用于半导体层的薄膜晶体管(,TFT),a-,Si,TFT,在,TFT,中使用最广.,a-,Si,TFT,的特征是它的工序温度较低(350 以下),可以将便宜的玻璃做为基板，工序简单，开关电流比高，关电流低，稳定性等优点,同时还有因它的移动度低引起,W/L,比增加，内部不能安装驱动电路，需要,Light Shield,等缺点,Spacer,分布的,TFT,基板和 涂,Ag,的,C/F,基板合在一起,对,Panel,施加电信号，检测,Point Defect,Line Defect,斑点等不良,材料用,Cr,金属 其膜可隔开光线，安装于,Color filter,基板.,Black Matrix,决定,Panel,的开口率，对亮度产生重大的影响.,Glass,和,Brush,间的间距,DI,溶液中吹入空气形成汽泡,与,Glass,表面冲突来去除微粒的部分,Aperture,Ratio,指透光面积比上像素的总面积.即对显示可贡献的面积比,开口率越大，像素面积增加，亮度也越好,区分良品和不良品.(,Cell,的最终检查),Aqua Knife,a-,Si,TFT,Amorphous Silicon Thin Film,Black,Marix,BJ,Bubble Jet,I,II,1.工程术语解释,术 语,解 释,8,8,VI,V,IV,III,Full Name,CCLS,CD,Cell,CCL,Chamber,Channel,Class,CLEANING,Coating,Contact (,Thruhol,),Critical Dimension,Critical Dimension,Center Control Limit,CELL,地区的,Stocker,线宽,由两个,Glass,基板,组成，并在其中间注入液晶的液晶显示元件的构成品,两个,Glass,基板里边有构成像素的透明电极,在其上有一种排向膜，把液晶分子排成,同一方向.能动行列液晶显示器是在下面基板有能动元素，它的二极管或三极管,形成在像素的侧面.彩色液晶显示器在上面基板中装有彩色,Filter,使其能够显示彩色,Control Chart,的中心值.(,UCL:,上限,LCL:,下限),设备中 按照工序条件形成的封闭的空间,指,Carrier,移动的,a-,Si,膜的,Source,Drain,之间的领域.,1,CFM,内的,Particle,数(,CFM:Cubic Feet per Minute,1Feet=30.48Cm),Glass,表面的,Particle,或有机物采用,DI Water,超声波,清洗剂和,UV,去除,常数.具有一定值的数,指为连接积层的导电层，在绝缘物上钻的孔.,最大透光量与最小透光量的比 (,CR=,最大透光量/最小透光量),将高温的,Glass,用一定的温度冷却的,Plate.,Carrier,Cell Clean Stocker,搬运器.运送者(个体).,(日本,SPC,社的清洗设备的一部分),TCLS(TFT,地区),CD Loss,Etch CD-Develop CD,与光反应的感光性树脂 用一定的速度均匀地涂到旋转的基板上形成薄膜,Constant,CR,Contrast Ratio,CP,Cooling Plate,I,II,1.工程术语解释,术 语,解 释,9,9,VI,V,IV,III,Full Name,CSC,CSM,Data Line,Defect,Develop,Device,DI Water,Doctor roll,DOF,Domain,Dot,Clean Stocker Management,Clean Transfer Vehicle,Deionized,Water,Depth of Focus,Sub Pixel,顶棚运输装置,Clean stocker,管理,TFT,基板内传达信号的排线,连接到各像素的,TFT Source,Drain,电极,缺陷.像素单位的表示缺陷，典型出现在,Active Matrix,方式.,TFT,基板或,Cell,组装工序中如果进入灰尘等时破坏各像素的元素，导致接触不良,区分曝光的部分和遮光的部分的感光性树脂，用显影液去掉,产品名型号加工或组装完成的产品.,除去溶于水中的无机离子，用于清洗的除去离子水.也叫超純水,深度,不良,3个,Dot(Sub Pixel),构成一个,Pixel.,从,Drain,电极接收的电子信号和上板之间的电位,差，来移动上下板之间的液晶.,PHOTO,工序时因曝光引起一定领域,Pattern,移位形成的现象,Cross Talk,Clean Space Carrier,画质不良的一种,将,Window,显示到画面时,Window,的上下或左右方向的,Gray,程度变化的现象.,因不均匀的,Rubbing,Array,表面的落差等液晶排列不均匀，与周围发生亮度差异的,接触到,Anilox,roll，,在,Anilox,roll,均匀涂抹,PI,的,Roller.,CTV,工序内运输装置,DR,Distortion Rectangular,I,II,1.工程术语解释,术 语,解 释,10,10,VI,V,IV,III,Full Name,DRY ASH,Dummy,ECN,Etch Depth,Exhaust,Exposure,Extension,FAB,Gate,Engineering Change Notice,除去,PR,的,STRIP,工序的辅助工序，是去除变质的,PR,表面的工序,施加高频,是利用气体和基板上沉积物反应后变成挥发性物质的蚀刻方法,样本.与实物相对应.与生产,Glass,一起投入，为得到生产,Glass,特性的均一性,用于了解设备特性的,Glass.,工序变更申请书,指,Etch,工序中为得到正确的,Etch,值，由,Sensor,和,Software,给定,Recipe,值,此时的时间值.,Etching,深度.,排气.排出.用溶剂消除药成分或排出,GAS,类.,曝光.所需的图案做成,Mask，,利用光将,Mask,形象移至涂到基板上的感光性树脂,增加.扩充.延长,(半导体)工厂,通过,Gate Line,传送的电子信号控制,S/D,之间的电流.,TFT,基板内各像素中接触,TFT Gate,电极的排线.,分开半导体膜和,Gate，,使,流向半导体膜的电流不流到,Gate,电极,Drain,(种类:,DR,MY(magnification Y),YAM,MX,.),TFT,的形成频道部分的一个，与,Source,成双.,指,Coating,不良，,Panel,上彩色的斑纹.,除去,PR,的部分，曝光后的沉积膜在低压（真空）状态下用,Plasma,状态的气体,DRY-ETCH,EPD Time,End Point Detect,Fabrication,Fringe,Gate Line,GI,Gate Insulator,I,II,1.工程术语解释,术 语,解 释,11,11,VI,V,IV,III,Full Name,Hard Bake,Grinding,HEPA/,ULPA filter,Hillock,Inspection,Interface,Insulator,Intensity,IPA,ITO,蒸发残留于,PR,中或,Develop,工序中渗透的溶剂，使,PR,和,下边物质间更加紧密的,Isopropyl Alcohol,Indium Tin Oxide,用磨石对,Panel,棱角 研磨30 40 左右,(去除,Shorting Bar),工序.,把,Microglass Ulpa,做为素材,设计成从,Class10,至100,000 符合,Clean Room,用途,当,绝缘体为,SiNx,时，不能把,Al,做为,Gate,使用.如果,Al,做为,Gate,时，因应力集中，使,SiNx,生长的现象.为提高性质，现在以,Al Ta,做为,Gate,使用,用,Anodizing,对,Al,进行阳极氧化，可以缓解此现象.,检查工序前后确认,Glass,状态，直接检查，显微镜检查，,SEM,检查等,绝缘体,强度.,Photo,工序的暴光机中水银灯的亮度,异丙基乙醇.用于擦拭设备和其它.,TFT,工序后检查,Panel,的工序.,红外线.比可视光波长短的光线,透明电极.对液晶单元施加电流的电极，光学上具有透明的性质,一般液晶单元中使用,ITO(Indium Tin Oxide).,透明电极同时做为电极和像素,所以应该是透明的,对光的波长的分散也应该小,Glass Fiber,玻璃纤维,为,保持,Panel,的外部间距，与,Seal,剂混合使用的圆柱形塑胶材料,氧化两极而连接的,Gate Metal，,为,IPT,测试断开的工序.,界面，接触面，分界面,IPT,In Process Test,IPT Etch,IR,Infra Red,I,II,1.工程术语解释,术 语,解 释,12,12,VI,V,IV,III,Full Name,Layer,Lower Control Limit,LCD,Liquid Crystal Display,(,液晶显示器),LCL,Lead Time,Liquid Crystal,(,液晶),Line Defect,(,线缺陷),Life Time,M.G.V,Manual Guided Vehicle,修理,TFT LCD,概率上发生的线缺陷或点缺陷等显示上的缺陷的技术,可以截断断落部分民，相反可以连接断开的部分.用,Laser,可以截断有缺陷的排线,层,ex),多层构成的,TFT,结构.,Gate A/O S/D,两个,Glass,基板,之间,注入液晶物质,从外部施加电压，利用其电、光学特性的显示,器具.液晶显示器采用外部 射入的光线，这点与其它显示器不同.液晶显示器的优点,是可做成小型,超薄型,消耗功率小.,管理表中管理下限.(,UCL:,管理上限),从开工起到第一个,Glass,出来的时间.(=,TAT),产品的寿命,驱动,Panel,时因 下板,Array,的,Pattern,间,Short(,短路)和,Open(,开路)，表现为线性,的不良.,流动性(,Fluidity),和结晶(固)体的长距离顺序(,Long Range Order),等,性质,属于液体和固体的中间状态.,最小生产单位(一般 1,Cassette,为 1,LOT),手压叉车.工序中手动搬运,Cassette,时使用.,保持各设备一直在规定的状态下运转.,为制成批量，用各层别 画出电路图案的玻璃板，分为各,Pattern,遮光部分和透光部分,负荷,Cyclohexane,(,环己胺）或乙烷和苯环直线连接的高分子化合物.同时具有液体的,也可以对断开的排线局部性堆积金属来修理,Load,Lot,Laser Repair,Maintenance,Mask,I,II,1.工程术语解释,术 语,解 释,13,13,VI,V,IV,III,Full Name,MGV,Matrix,Misalign,M/S,n+a-,Si,NMP,Over Develop,Normally,White mode,Operator,Over Etch,Pad,Particle,行列.对于只能表示极其限定的文字,数字的,Segment,型,为能够像,CRT(,阴极管)一样,移动,Cassette,的手动,移动叉车,Layer,和,Layer,之间的,Mismatch,清洗器中 做为去除污染的一种方法，采用超声波.,介于半导体膜和,S/D,之间，加,Gate,电信号时加快电流的作用,在纯,a-,Si,中渗透很多正孔的 5价元素的物质,不良品,PI,印刷后,为清洗,APR,胶板,使用的强碱性洗剂,液晶显示器中没有外部电压时呈现白色,Mode,加上电压时变成黑色.,运转机器的人.操作者.,指即使蚀刻完成后，也考虑到,Glass,前面的薄膜厚度和蚀刻的均一性，再做一些蚀刻.,与,Under Etch,相反,压力单位(1,atm,=101,325 Pa=760 mmHg=760,Torr,),是,Panel,的外侧,部分,是粘贴防静电电路和其余,Device IC,部分.,TFT,的制造装置或环境,材料中发生很多微粒(,Particle),这些粘到,TFT,基板时成为,缺陷的原因,并降低收率.,Particle,可以是尘埃或反应生成物,也可以是基板或周边材料,将,Mask,上的,Pattern,移到,Glass,上,制作元件.,下部和上部,Mask,层之间排列状态,显影时过多的显影导致,PR Pattern,形成不全.,表现任一图像,由,X,和,Y,的,行和列编排组成图像的表示方法.,Overlay,Pa(,帕),Manual Guided Vehicle,Mega-Sonic,NG,No Good,N-Methyl-2-,Pyrrolidone,I,II,1.工程术语解释,术 语,解 释,14,14,VI,V,IV,III,Full Name,Passivation,Partition,PECVD,Plasma Enhanced Chemical,Vaper,Deposition,Pixel(,像表),PI,Point Defect,(,点缺陷),对完成的,TFT,进行保护，防止外部的污染或破坏.,经过清洗去除的方法.,为分开相互不同的环境的(,Glass,空调等)墙壁或隔断,保管,Panel Cassette,的,Stocker.(=Panel Clean Stocker),Chamber,内注入沉积所需的气体,设定,好一定的压力和基板温度,利用,RF(Radio Frequency)Power,将注入的,Gas,分解为,Plasma,状态,在基板上沉积的工序.,TFT,工序中沉积和 的工序,将事先形成于,Photomask,的,Pattern,转写到,Glass,上,形成与,Mask Pattern,相同,Pattern,的工序.,由涂,上,Photo resist,的涂,PR,工序,利用,Mask,选择性照射光线的暴光工序,利用显影液将暴光的部分去除后形成,Pattern,的显影工序来组成.,为排列液晶,在,Glass,上印刷的有机高分子物质,Dots,来组成.从,Drain,电极收到的电信号和上板之间的电位差来移动液晶的作用.,指,Panel,驱动时 1,Pixel,或1个以上的,Pixel,比,周围的其它,Pixel,亮或暗的不良现象,-亮点(,Bright Point Defect):,比周围的其它,Pixel,亮的,Point Defect.,的剥离物.提高收率的方法有减少,Particle,方法,还需要对粘贴的,Particle,气体离子为中性状态,(+)和,(-),均匀状态(原子核心与电子分离的气体状态),Picture Element,的略语,为显示颜色(,Color),或,Gray Level(:R,G,B),可以由更小的,向,Clean Room,内输送材料或物品的通道.,Plasma,Pass Box,PCLS,PHOTO-,LITHO-,GRAPHY,Polyimide,=,排向液,I,II,1.工程术语解释,术 语,解 释,15,15,VI,V,IV,III,Full Name,Poly-,Si,TFT,Pretilt,Angle,PR,Pre,Depo,Cleaning,Photo Resist,PR Dispense,Protect PR,Poly-,Si,TFT,是用多晶体硅代替,a-,Si,使用于半导体领域中.具有内部可装有驱动电路,Purge Press,-暗点(,Dark Point Defect):,比周围的其它,Pixel,暗的,Point Defect.,移动性好,W/L,低,不需要,Light Shield,等优点.,特别是,可装有驱动电路,使它的价格低,可做小型,Package.,还有可靠性和稳定性好,因此用于,Projection,和小型的,View Finder,中,但是,高质量的多晶体膜的生长需要很高的温度,因此有碍于大型化,为快速扶起液晶,通过,Rubbing,事先将液晶立起的一定角度的(1 10 ),PR,由,Polymer,Solvent,Sensitizer,三种物质来构成,根据对光的反应 有,Positive PR,和,Negative PR.,从,Coater Unit,的,PR Nozzle,喷洒,PR,的附属物的工序.,工序进行中要求很高清洁度的空间.进行,Class 10,的工序或保管同一等级的最洁净的,促进,助长,感光度低的,PR.,受光线影响小的,PR.,Purge,压力.,自由基.带正电荷的物质.,Pixel,中没有加到信号,或施加的电压比驱动信号电压低时发生,空间,沉积前后的清洁.去除,PECVD,或,Sputter,工序前后的,Particle,有机物,还有反应后生成,与亮点相反,因,Pixel,中,不断地输入驱动信号而发生,Process Area,Promoter,Polycrystalline Silicon Thin,Film Transistor,1,o,Radical,I,II,1.工程术语解释,术 语,解 释,16,16,VI,V,IV,III,Full Name,Remover,Laser Repair,Residue,Nomally,-,White,Falling Time(,下降时间),Reticle,RF Power,Rework,Rinse,Rubbing-,Process,Delay Time(,延迟时间),去除.,渣滓,施加或去掉电压时,透光率随着时间产生变化,此时所需要的时间,从去掉电压开始透光率增加10%所需的时间,施加电压后透光率从 90%减小到 10%所需的时间,去掉电压后透光率从 10%增加到90%所需的时间,半导体中起,Mask,作用,具有把扩大的内容缩小的功能.完全的,Stepper,的,概念,返工,再生,携带几百至几千,KHz,一定频率的交流电源,Depo,后,Etch,后的均匀度,对印刷有,PI,的,Glass,用,纤维质的布,开直线槽使液晶按一定方向排列的工序,安装于,Cassette,上,贴上标 记,Lot ID,的,Bar Code,Recipe,作业条件,比率.,Strip Wet-Etch Pre-,Depo,初步清洗,Photo,工序后用纯,DI,漂洗,洗掉异物或化学溶液,Roughness,Run Card,Ratio,Response-,Time,Rising Time(,上升时间),Radio Frequency,I,II,1.工程术语解释,术 语,解 释,修理,TFT LCD,概率上发生的线缺陷或点缺陷等显示上的缺陷的技术,可以截断断落部分民，相反可以连接断开的部分.用,Laser,可以截断有缺陷的排线,也可以对断开的排线局部性堆积金属来修理,17,17,VI,V,IV,III,Full Name,SCCM,Scrap,Scribe/Break,涂Seal,Service Area,Shorting Bar,Soft Bake,Spacer,气体的流量单位,破损至报废或发生决定性,error,的,Glass.,完成实验或某一目的的,Glass,进行报废,缺陷.由于,Brush,磨损的不均匀性和,brush Gap,调整,Miss,造成.,合为一体的,TFT,和,C/F,基板,用,Wheel,擦出,Scratch,再加力,去掉不必要的部分,用于切断,Glass,的 2 3,mm,大小,用,做成的 环状辅料,擦洗.,粘,TFT,和,C/F,基板的热硬化粘合剂,为防止液晶的泄漏,形成,TFT,和,C/F,基板的外部间距,用注射器将,Seal,涂到,C/F,基板上,设备修理以及 经过供给,C/R,的,Utility,管道等的清洁度低的空间.,为维护和控制设备的区域.,防止静电引起的损害,为检测电特性而连接,PAD,的部分,保持,Panel,内部,Gap,的 45 大小的,Plastic Ball.,规格,范围,输入高电压,给内部气体高运动能量,与金属撞击 将金属粒子沉积到,Glass,表面上.,S/C,Standard,Cuvic,Centimeter-,传达给像素电信号的作用.,为,形成,TFT,与,C/F,基板的内部一定间距,把,Spacer,洒到,TFT,基板上.,LOT,别记载工序进行,Route(,路线)的工序进行表.,Scratch,蒸发含在,PR,中,溶剂,固化,PR,的,工序.,Spec.,Specification,SPUTTER,Run Sheet,Source Drain,Scribe Wheel,Scrub,bing,Seal,Spacer,分散,I,II,1.工程术语解释,术 语,解 释,18,18,VI,V,IV,III,Full Name,Tact Time,Stress,Substrate,TCLS,TFT Thin Film Transistor,(,薄膜晶体管),TFT Clean Stocker,暴光现象.,应力,Sputter,工序中沉积,Target,的物质的基板.,从一工序开工后生产第一个,Glass,再生产出下一个,Glass,所需的,时间.,(,Lead Time),Sputter,中沉积时使用的物质(,Metal),所有工序时间.一个工序中产品投入后一直到完工为止所需的时间,TFT,地区的,Stocker.CCLS(Cell,地区),FCLS(C/F,地区),由3个端子来驱动,从电学角度上看,是一种电场效应晶体管(,FET:Field Effect,Transistor).,并且具有类似金属-氧化物-半导体电场效应晶体管(,MOSFET:,Metal-Oxide-Semiconductor),特性.但是金属-氧化物半导体电场效应晶体管,(,MOSFET),使用结晶度很高的单结晶硅,它的移动性高,相反用于薄膜晶体管的材料,比金属-氧化物半导体电场效应晶体管(,MOSFET),结晶度低,纯度低,移动性也低.,TFT-LCD,是将,TFT,排列到每一个像素中,驱动每个像素的能动形,LCD.,TFT-LCD,在,switch on,时给像素提供所需的电压,Switch off,时像素完全被孤立,到,下一个,switch on,时间为止，维持所需电压的,active,元件.,Stitching,Target,Photo,工序在进行,Aligner(,暴光)过程中,X,轴或,Y,轴,或,XY,轴都 排列错位的不稳定,STRIP,薄膜蚀刻工序后去除剩余,PR,的工序.,TFT-LCD,TAT,Turn Around Time,I,II,1.工程术语解释,术 语,解 释,19,19,VI,V,IV,III,Full Name,Thruput,Trouble-,Shooting,Titler,UV Epoxy (,),UV Ultra Violet,Vacuum,Visual-,Inspection,WET-ETCH,Yield(,收率),Upper Control Limit,指各设备具有的单位时间内的处理能力.此处理能力随着处理所需周期越短,并在1个周期内处理数量越多,Thruput,越大,Glass,表面标上,Lot ID,和,Glass ID,的,设备,发现设备或工序上问题点时解决方案,上限.(,LCL,CCL),现场中作业者可输入工作状况的,Computer,设定值的均一性,各种能源供给设施.位于现工厂的西部.,照射紫外线硬化的一种粘合剂,紫外线,真空状态.大气压:760,Torr,(1,气压),肉眼检查,工序进行中作业者的工作空间,对比投入数完成的良品的比率称为收率.,投入量,临界的,Gate,电压称为门槛电压.,Transistor,的,Gate,里,缓慢增加电压时,从没有电流的,off,状态到流电流的,on,状态变化的,UCL,.,已,除去,PR,的,部分用化学药品除掉暴光的沉积膜.(用,Sputter,去掉沉积的金属物),Work Area,良品数,Threshod,(,门槛电压),Voltage,User Interface,UI,Uniformity,Utility,=,100,I,II,1.工程术语解释,术 语,解 释,20,20,VI,V,IV,III,Full Name,湿蚀刻,疏水性,Hydrophobic,主视觉,亲水性,Hydrophilic,除汽泡,花纹,运转率.此运转率与,Thruput,一起决定生产率,并且会影响加工成本.,不溶于水的性质.具有这种性质的分子 大概 构成这种分子的原子的结合,呈现均匀电荷分布的非极性(,