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LIV tester 测试概要.ppt

上传人:pc****0 文档编号:13364729 上传时间:2026-03-08 格式:PPT 页数:25 大小:1,018KB 下载积分:10 金币
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按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,By,Frank,*,主題,:LIV,測試概要說明,內容,:,1.Burn in,概略,.,2.K-2400,測試設備接線,.,3.LIV,測試程式操作說明,.,4.LIV,測試項目概論,.,By,Frank,Burn in,系統測試條件,產品別,B/I,設定值,時間,/,溫度,B/I Test,設定值,B/I Data,比對規格,TMC-5A40-001,模式,:801 SV:0 SI:15,1st 2hrs/125,模式,:801 SV:0 SI:15,P2/P1=0.9 1.25,2st 20hrs/125,TMC-5F40-000,模式,:801 SV:0 SI:15,1st 2hrs/125,模式,:801 SV:0 SI:15,P2/P1=0.9 1.25,2st 20hrs/125,TMC-5A41-107,VCSEL,模式,:801 SV:0 SI:20 PD,模式,:801 SV:10 SI:0,1st 2hrs/125,模式,:801 SV:0 SI:6,P2/P1=0.9 1.25,2st 20hrs/125,3st 20hrs/125,TMC-5A41-207,VCSEL,模式,:802 SV:0 SI:20 PD,模式,:802 SV:10 SI:0,1st 2hrs/125,模式,:801 SV:0 SI:6,P2/P1=0.9 1.25,2st 20hrs/125,3st 20hrs/125,By,Frank,Burn in,目的,-1,利用模擬環境使產品在製程中因較弱零組件與元件不良所造成早期失效之非設計疪病提早暴露,模擬運輸中或使用環境使產品在長期高溫或低溫中因較弱之零組件不良所造成失效而提早暴露,元件在製程中被檢測出來而採取改善措施或將之剔除提高產品之製造品質,可確認具有潛伏性疪病的零組件,提早暴露早期失效降低使用時的失效率,By,Frank,Burn in,目的,-2,根據美國環境科學學會在,1981,及,1984,年發表的環境應力篩選有效性報告顯示,:,溫度循環所能篩選出的庇病約佔,77%79%,另隨機振動則可篩選出約,21%23%.,By,Frank,K-2400,測試設備接線,-1,範例,:,範例,:,By,Frank,K-2400,測試設備接線,-2,By,Frank,K-2400,測試設備接線,-3,By,Frank,K-2400,測試設備接線,-4,By,Frank,LIV,測試程式操作說明,-1,軟體:作業系統需,WIN 2000,以上之版本。,路徑權限:路徑預設在 開始,程式集,TrueLight LIV K2400,量測系統,使用者必須有以下目錄權限,方可正常運作:,H:,Prdtest,LIVSPEC,:可讀。,H:,PrdtestLIVProgMeas,:可讀。,H:,Prdtest,LIVData,:可寫。其中,,Data,可寫的目錄權限僅開放給所使用之電腦編號。,By,Frank,LIV,測試程式操作說明,-2,操作畫面,作業選項依照使用所需,點選生產測試或品保檢驗,同一批號未執行生產測試時,無法點選品保檢驗。,By,Frank,LIV,測試程式操作說明,-3,批號資訊輸入,:,By,Frank,LIV,測試程式操作說明,-4,測試畫面說明,:,By,Frank,LIV,測試項目概論,-1,Ith,:,名詞解釋:閥值電流。,參數定義;連續兩個操作電流值,光功率對電流值的斜率大於,0.03(mW/mA),,則第一個電流值定義為閥值電流。,By,Frank,LIV,測試項目概論,-2,Vf6mA(V1),:,名詞解釋:操作電壓。,參數定義:操作電流,6mA,時,所量測到的電壓值。,By,Frank,LIV,測試項目概論,-3,Rs,:,名詞解釋:等效阻抗。,參數定義:操作電流在,4mA,與,8mA,的電壓差除以電流差。,計算式:,Rs,=(V8mA-V4mA)/(8mA-4mA),。,By,Frank,LIV,測試項目概論,-4,Slope Efficiency(),:,名詞解釋:光功率斜率值。,參數定義:操作電流由,410mA,,每隔,1mA,為一個區間計算回歸線斜率值。,By,Frank,LIV,測試項目概論,-5,Linearity,:,名詞解釋:線性度。,參數定義:操作電流由,4mA10mA,,每隔,1mA,為一個區間計算,值,其中最大值與最小值相減再除以回歸線斜率,(,s,),。,By,Frank,LIV,測試項目概論,-6,CEff,:,名詞解釋:,Couple Efficiency(,光耦合效率,),。,參數定義:,VCSEL,元件於操作電流為,6mA,時,經由,50/125m,多模光纖所耦合的輸出光功率與不經由,50/125m,多模光纖所直接量測到的輸出光功率之差值。,By,Frank,LIV,測試項目概論,-7,Kink,:,名詞解釋:光功率在某一小段電流區間內,有先變小再變大的現象。,參數定義:從操作電流,Ith+4mA,到,15mA,,每隔,0.25mA,計算光功率的差除以光功率值。,By,Frank,LIV,測試項目概論,-8,Tracking Ratio(%),:,名詞解釋:,VCSEL,光功率與,PD,收光電流之收光電流關係比。,參數定義:操作電流,10mA,及,15mA,時之,VCSEL,光功率與,PD,收光電流之比例,以百分比表示。,By,Frank,LIV,測試項目概論,-9,PD Dark Current(,nA,),:,名詞解釋:,PD,之暗電流。,參數定義:,VCSEL,光功率於,0mW,,並且,PD,元件在工作偏壓逆偏,5 Volt,時的暗電流值。,By,Frank,LIV,測試項目概論,-10,PD monitor,current(A,),:,名詞解釋:於,VCSEL,光功率於,0.35mW,時,,PD,元件之收光電流。,參數定義:,VCSEL,光功率於,0.35mW,時,,PD,元件之收光電流。,By,Frank,LIV,測試項目概論,-11,Rollover,:,名詞解釋:在某一電流之後光功率開始變小。,參數定義:操作電流,20mA,位置的理想光功率值,(Pideal_20mA),與實際光功率值,(P20mA),的差除以理想光功率值,以百分比表示。,By,Frank,LIV,測試項目概論,-12,Reverse Current(,nA,),:,名詞解釋:,VCSEL,操作於逆向徧壓,10V,時,所量得電流值。,參數定義:,VCSEL,操作於逆向徧壓,10V,時,所量得電流值。,By,Frank,LIV,測試項目概論,-13,By,Frank,
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