2025年中职集成电路（半导体器件基础）试题及答案.doc

2025年中职集成电路（半导体器件基础）试题及答案

（考试时间：90分钟 满分100分）
班级______ 姓名______

第I卷（选择题，共40分）
答题要求：本卷共20小题，每小题2分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。

1. 半导体的导电能力介于
A. 导体和绝缘体之间
B. 超导体和导体之间
C. 超导体和绝缘体之间
D. 以上都不对
2. 纯净的半导体称为
A. 本征半导体
B. 杂质半导体
C. 导体
D. 绝缘体
3. 在本征半导体中加入微量的五价元素可形成
A. P型半导体
B. N型半导体
C. 本征半导体
D. 绝缘体
4. 下列关于P型半导体的说法正确的是
A. 多子是电子
B. 多子是空穴
C. 少子是电子
D. 少子是空穴
5. 二极管的主要特性是
A. 单向导电性
B. 双向导电性
C. 绝缘性
D. 导电性
6. 当二极管外加正向电压时，其正向电流是由
A. 多数载流子扩散形成
B. 少数载流子扩散形成
C. 多数载流子漂移形成
D. 少数载流子漂移形成
7. 二极管的反向电流随温度的升高而
A. 增大
B. 减小
C. 不变
D. 无规律变化
8. 硅二极管的死区电压约为
A. 0.1V
B. 0.2V
C. 0.5V
D. 1V
9. 锗二极管的死区电压约为
A. 0.1V
B. 0.2V
C. 0.5V
D. 1V
10. 当二极管两端的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为
A. 正向导通
B. 反向截止
C. 反向击穿
D. 以上都不对
11. 三极管有三个工作区域，分别是
A. 饱和区、放大区和截止区
B. 导通区、放大区和截止区
C. 饱和区、导通区和截止区
D. 以上都不对
12. 在三极管的放大区，发射结处于
A. 正向偏置
B. 反向偏置
C. 零偏置
D. 以上都不对
13. 在三极管的放大区，集电结处于
A. 正向偏置
B. 反向偏置
C. 零偏置
D. 以上都不对
14. 三极管的电流放大倍数β等于
A. Ic/Ib
B. Ib/Ic
C. Ie/Ib
D. Ib/Ie
15. 当三极管的基极电流增大时，集电极电流
A. 增大
B. 减小
C. 不变
D. 无规律变化
16. 场效应管是一种
A. 电流控制型器件
B. 电压控制型器件
C. 功率控制型器件
D. 以上都不对
17. 绝缘栅型场效应管的输入电阻
A. 很高
B. 很低
C. 中等
D. 不确定
18. 增强型MOS管在栅源电压为零时，漏极电流
A. 很大
B. 很小
C. 为零
D. 不确定
19. 耗尽型MOS管在栅源电压为零时，漏极电流
A. 很大
B. 很小
C. 为零
D. 不确定
20. 集成运算放大器的输入级通常采用
A. 共发射极放大电路
B. 共集电极放大电路
C. 差分放大电路
D. 以上都不对

第II卷（非选择题，共60分）

一、填空题（每空1分，共10分）
1. 半导体的导电性能受______、______和光照等因素的影响。
2. 本征半导体中自由电子和空穴的数目______。
3. 在N型半导体中，______是多数载流子，______是少数载流子。
4. 二极管的伏安特性曲线包括______区、______区和______区。
5. 三极管的三个电极分别是______、______和______。

二、判断题（每题2分，共10分）
1. 半导体的导电能力比导体强。（ ）
2. P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ）
3. 二极管只要加正向电压就一定会导通。（ ）
4. 三极管工作在放大区时，发射结正偏，集电结反偏。（ ）
5. 场效应管的跨导是指漏极电流的变化量与栅源电压的变化量之比。（ ）

三、简答题（每题10分，共20分）
1. 简述半导体的特性及分类。
2. 说明二极管的单向导电性是如何实现的。

四、分析题（每题10分，共20分）
材料：如图所示的三极管放大电路，已知三极管的β = 50，Vcc = 12V，Rc = 3kΩ，Rb = 500kΩ，试分析：
1. 当输入电压vi = 0.2V时，三极管处于什么工作状态？
2. 计算此时的集电极电流Ic和输出电压vo。

五、设计题（10分）
设计一个用三极管组成的音频放大电路，要求画出电路图，并说明各元件的作用。

答案：
第I卷：1. A 2. A 3. B 4. BC 5. A 6. A 7. A 8. C 9. B 10. C 11. A 12. A 13. B 14. A 15. A 16. B 17. A 18. C 19. D 20. C
第II卷：一、1. 温度、杂质 2. 相等 3. 电子、空穴 4. 正向导通、反向截止、反向击穿 5. 发射极、基极、集电极 二、1. × 2. × 3. × 4. √ 5. √ 三、1. 半导体特性：导电能力介于导体和绝缘体之间，其导电性能受温度、光照、杂质等影响。分类：本征半导体和杂质半导体，杂质半导体又分为P型半导体和N型半导体。2. 二极管由一个PN结组成，当外加正向电压时，外电场与内电场方向相反，使阻挡层变薄，多数载流子扩散形成较大的正向电流，二极管导通；当外加反向电压时，外电场与内电场方向相同，阻挡层变厚，多数载流子难以通过,只有少数载流子产生很小的反向电流，二极管截止，从而实现单向导电性。 四、1. 首先计算三极管的静态工作点：IB = (Vcc - UBE)/Rb = (12 - 0.7)/500kΩ≈22μA，IC = βIB = 50×22μA = 1.1mA，UCE = Vcc - ICRc = 12 - 1.1×3 = 8.7V。当vi = 0.2V时，UBE = vi + 0.7 = 0.9V，IB增大，IC增大，UCE减小，三极管处于放大状态。2. 此时IC = βIB = 50×[(0.2 + 0.7)/500kΩ]≈90μA，vo = Vcc - ICRc = 12 - 0.09×3 = 9.3V。 五、电路图略。电源Vcc为电路提供能量。三极管作为放大元件，实现电流放大。基极电阻Rb为三极管提供合适的偏置电流。集电极电阻Rc将集电极电流的变化转化为电压变化。耦合电容C1、C2用于隔断直流，传递交流信号，使输入信号能加到三极管基极，输出信号能传送到负载。