2025年大学电子科学与技术（电子器件研发）试题及答案.doc

2025年大学电子科学与技术（电子器件研发）试题及答案

（考试时间：90分钟 满分100分）
班级______ 姓名______

第I卷（选择题 共30分）
答题要求：本大题共10小题，每小题3分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。

1. 以下哪种半导体器件具有单向导电性？
A. 二极管 B. 三极管 C. 场效应管 D. 晶闸管
2. 对于N型半导体，其多数载流子是？
A. 电子 B. 空穴 C. 离子 D. 中子
3. 晶体管工作在放大区时，发射结和集电结的偏置情况是？
A. 发射结正偏，集电结反偏 B. 发射结反偏，集电结正偏
C. 发射结和集电结都正偏 D. 发射结和集电结都反偏
4. 场效应管的控制方式是？
A. 电流控制电流 B. 电流控制电压 C. 电压控制电流 D. 电压控制电压
5. 以下哪种电路可以实现信号的放大？
A. 整流电路 B. 滤波电路 C. 放大电路 D. 振荡电路
6. 放大器的电压放大倍数与哪些因素有关？
A. 输入信号大小 B. 负载电阻 C. 电源电压 D. 晶体管参数
7. 集成运算放大器的输入级通常采用？
A. 共发射极电路 B. 共集电极电路 C. 差分放大电路 D. 功率放大电路
8. 数字电路中，最基本的逻辑门是？
A. 与门 B. 或门 C. 非门 D. 以上都是
9. 以下哪种存储器件是易失性的？
A. ROM B. RAM C. EPROM D. EEPROM
10. 半导体发光二极管发出的光的颜色取决于？
A. 掺杂浓度 B. 正向电流 C. 材料禁带宽度 D. 封装形式

第II卷（非选择题 共70分）

二、填空题（共10分）
答题要求：本大题共5小题，每空2分。

1. 半导体的导电能力介于______和______之间。
2. 晶体管的三个极分别是______、______和______。
3. 放大电路的静态工作点是指______、______和______。
4. 数字电路中，逻辑代数中的三种基本运算为______、______和______。
5. 常见的半导体材料有______和______。

三、简答题（共20分）
答题要求：简要回答下列问题，每题10分。

1. 简述二极管的伏安特性。
2. 说明晶体管实现放大作用的内部条件和外部条件。

四、分析题（共20分）
答题要求：分析以下电路，回答问题。
材料：有一个简单的共发射极放大电路，由晶体管、电阻、电容等组成。已知晶体管的β = 50，VCC = 12V，RB = 300kΩ，RC = 2kΩ，RL = 2kΩ。
1. 计算该放大电路的静态工作点。
2. 求该放大电路的电压放大倍数。

五、设计题（共20分）
答题要求：根据要求设计电路。
材料：设计一个用与非门实现的三人表决电路，要求三人A、B、C投票，结果Y为“同意”时灯亮，“不同意”时灯不亮。当有两人或两人以上同意时灯亮。

答案：
一、1. A 2. A 3. A 4. C 5. C 6. D 7. C 8. D 9. B 10. C
二、1. 导体、绝缘体 2. 发射极、基极、集电极 3. 基极电流、集电极电流、管压降 4. 与运算、或运算、非运算 5. 硅、锗
三、1. 二极管的伏安特性是指二极管两端电压与通过二极管电流之间的关系。正向偏置时，电流随电压迅速增加；反向偏置时，电流很小且基本不随电压变化，当反向电压超过一定值时，会出现反向击穿现象。
2. 内部条件：发射区杂质浓度高，基区杂质浓度低且薄，集电区面积大。外部条件：发射结正偏，集电结反偏。
四、1. 首先计算基极电流IB = (VCC - UBE) / RB = (12 - 0.7) / 300 ≈ 0.0377mA，集电极电流IC = βIB = 50×0.0377 ≈ 1.885mA，管压降UCE = VCC - IC×RC = 12 - 1.885×2 ≈ 8.23V。
2. 电压放大倍数Au = -β(RC∥RL) / rbe，rbe = 200 + (1 + β)26 / IE = 200 + (1 + 50)26 / 1.885 ≈ 9kΩ，Au = -50×(2∥2) / 9 ≈ -11.1。
五、设A、B、C三人投票分别用A、B、C表示，同意为1，不同意为0。则Y = (A&B) | (A&C) | (B&C)。用与非门实现时，Y =!(!(A&B) &!(A&C) &!(B&C))。具体电路连接为：A、B信号先经过与非门得到!(A&B)，A、C信号经过与非门得到!(A&C)，B、C信号经过与非门得到!(B&C)，然后这三个结果再经过一个与非门得到最终的Y。