常用气体激光器.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,二氧化碳激光器,属分子气体激光器,一、工作原理,CO2,分子有三种不同的运动形式：,1,.,对称振动,(,b,),2,.,形变振动,(,c,),3,.,非对称振动,(,d,),1,、,CO2,分子运动,方向相反,1.CO,2,气体是,工作物质,，辅助气体有,N,2,、,He,、,Xe,和,H,2,等；,2.N,2,在气体中起,能量转移,作用。,N2,分子受电子碰撞的,概率很大,，放电中使大量,N2,处于,亚稳态,。通过近,共振碰撞,把内能转移给,CO2,分子，,实现粒子数反分布,；,3.He,对,CO,2,分子有,冷却作用,，也可加速下能级粒子数,抽空,；,4.Xe,的电离电位低，激光器内的气体易电离，使,CO,2,分子能量,转换效率提高,10,15,。同时在维持放电电流相同的情况下，加入,Xe,后可使,放电电压下降,20,30,。,5.H,2,或,(H,2,O,蒸汽,),可促使低能粒子,抽空,，,H,2,O,蒸汽有利于,CO,2,分 子的还原，可,延长寿命,。,2,、,工作物质,N2,分子受到电子碰撞后被激发并和,CO2,分子,发生碰撞,，,N2,分子把获得的,能量传递,给,CO2,分子，使大量的,CO2,分子被激发到,001,能级时，能级,001,和能级,100,之间形成,粒子数的反分布。,3,、,CO2,分子激发机理,He,原子质量小，运动速度快，频繁地碰撞,CO2,分子，,高效地抽运,010,能级上的,CO2,分子，大大提高了粒子数反转程度。,100,能级和,020,能级的分子迅速跃迁到亚稳态,010,能级上。因此必须把跃迁到,010,能级上的,CO2,分子,立即抽空,，否则不利于粒子数的反转。,二、基本结构,纵向电激励水冷内腔式封离型,CO2,激光器的典型结构,所谓封离型是指,工作,气体被密封,在放,电管内,(,由放电管、水冷管和储气管三层结构组成,),。,它的优点是结构简单、紧凑。但它的单位放电长度可输出的,功率,比其他结构的（如流动型和气动型）,CO,2,激光器要,低,。,原子或分子因某种原因失去电子或获得电子的过程称为,电离,。若原子失去电子，称为正离子，反之则称为负离子。,利用离子的能级跃迁所获得的激光器件称为,离子激光器,。氖、氩、氪、氙、镉蒸气、硒蒸气等均能作离子激光器的工作物质。它们的激光输出功率比原子气体激光器要高，达几十瓦，可连续或脉冲输出。,氩离子激光器,一、工作原理,激发过程一般分,两步,：气体放电后，放电管中的高速电子与中性氩离子碰撞，从氩离子中打出一个电子，使之电离，,形成处在基态上的氩离子,；该基态,Ar+,再与高速电子碰撞，,被激发到高能态,，当激光上下能级间产生粒子数反转时，即可产生氩离子激光。,因此，氩离子激光器的激活粒子是,Ar+,。,采取两次电子碰撞将氩原子激发到,3p,4,4P,态要比直接碰撞、一次将氩原子激发到,3p,4,4P,态的电子能量要小，后者只能在低气压放电中才有如此大的能量（,35.5eV,）。,由于,3p,4,4P,和,3p,4,4S,能级上有许多不同的电子态，所以氩离子激光输出由丰富的谱线。最强的谱线波长是,488.0nm,、,514.5nm,。,二、基本结构,氩离子激光器包括：,放电管、电极、回气管、谐振腔、轴向磁场等。,氩离子激光器分段石墨放电管,国产的氩离子激光管,三、输出特点,1,、是一种,惰性气体离子激光器,，在离子激光器中输出效率最高；,2,、其输出波长较多，主要有,514.5nm,和,488.0nm,两个蓝绿色,的谱线，是,可见光区域中最强,的激光器。,；,3,、一般连续输出几瓦到十几瓦，甚至上百瓦。,4,、,输出波长易 被血红蛋白吸收，所以氩离子激光器对生物,止血效果最好,。在临床上主要用于外科手术，用它作“光刀”，尤其是上、下消化道出血时，氩离子激光器可以利用光纤导人内镜进行止血等非手术治疗。目前它广泛用于眼科凝固、皮肤科、内科等综合治疗领域。,表 氩离子激光的可见光光谱线,激光跃迁能级,波长,(nm),或率（,W,）,4P,2,S,0,1/2,4S,2,P,1/2,457.9,0.35,4P,2,D,0,3/2,4S,2,P,3/2,472.7,0.30,4P,2,P,0,3/2,4S,2,P,1/2,476.5,0.75,4P,2,D,0,5/2,4S,2,P,3/2,488.0,1.50,4P,2,D,0,3/2,4S,2,P,1/2,496.5,0.70,4P,4,D,0,5/2,4S,2,P,3/2,514.5,2.00,4P,4,D,0,3/2,4S,2,P,3/2,528.7,0.34,准分子激光器,一、工作物质,“准分子”,：不是稳定分子。它是,混合气体,受到外来能量激发所引起的一系列物理和化学的反应中,曾经形成,但,转瞬即逝,的分子，其寿命仅为,几十毫秒,。,这类激光器的工作物质是受激的气体原子,(,如,Ar,、,Kr,、,Xe,，用,Rg,表示,),和卤元素,(,例如,F,、,Cl,，用,X,表示,),结合而成的准分子，如氟化氩,(ArF),、氯化氪,(KrCl),、氟化氙,(XeF),等,;,二、工作原理,通常情况下，基态的稀有气体原子化学性质稳定，因此呈两种气体,混合状态（,Rg+X,）,。但当它们受到激发时，如,电子束的轰击或高压激励,等，稀有气体原子就可能从基态跃迁到激发态，甚至被电离，这时很容易和,另一个原子,形成一个,寿命极短的分子（,RgX,）,，这种处于激发态的分子称受激二聚物，简称,准分子,。,RgX,基态分子寿命极短，为,10,-13,s,量级，它沿着自己的势能曲线想核间距增大的方向移动，直至最终,离解成独立的原子,Rg+X,。激发态,RgX*,能级寿命为,10,-8,s,量级，比基态稳定，因此很,容易形成粒子数反转,。,三、基本结构,准分子激光器的结构,1,功率特性：,准分子基态的电子迅速排空造成激光,下能级总是空的,，这样有利于离子数反转的形成，即使在超短脉冲下运转，从而可以获得,较高的输出功率（,10,瓦量级）,。,2.,输出波长,:,从真空紫外到可见光区域,。,3,脉冲特性：,由于基态寿命短，即使是超短脉冲情况下，基态也可被认为是空的，因此准分子激光对,产生巨脉冲,特别有利。,4.,能够精确聚焦和控制，其切削精度非常高，每个光脉冲切削深度为,0.2,微米，能够在人的头发丝上刻出各种花样来。,近视眼由于眼球的前后径太长，眼角膜前表面太凸，外,界光线不能准确会聚在眼底所致。,准分子激光矫正近视是用电脑精确控制的准分子激光，根据近视度数和有无散光在,瞳孔区,的角膜基质层进行刻蚀，使眼角膜前表面稍稍变平。从而使外界光线能够准确地在眼底视网膜上会聚成像，达到矫正近视的目的。,准分子激光治疗近视眼的原理,什么是,LASIK,手术,?,LASIK,手术即准分子激光原位角膜磨镶术（,Laser in Situ,Keratomileusis,）：,医生用角膜刀掀开一个角膜瓣，在瓣下角膜基质层上用准分子激光根据近视、远视、散光度数进行精确切削。患者术前检查的数据卡输入计算机，由计算机控制切削的范围和深度，削出一个光滑的曲面，相当于在角膜上切削出一个眼镜片，使视力变得清晰。,它采用自动微型角膜板层节削仅进行手术，在角膜表面切削一直径,8,毫米，厚,0.16,毫米的带蒂板层角膜瓣，翻转角膜瓣后，应用准分子激光电脑控制多步分区角膜基质内切削，最后将角膜瓣复位。,制做角膜瓣,准分子激光切削,角膜瓣复位,LASIK,手术示意图,角膜微切器切割角膜,角膜瓣形成并翻转,角膜中间基质切削区准备,准分子激光切削角膜基质,角膜瓣复位,准分子激光角膜原位磨镶术完成,智慧型大小光斑技术,:,根据不同的个人数据，系统,自动调整光斑大小,：光斑直径可在,0.65-,6.5mm,范围内变化。可,使复杂的角膜切削变得,极为轻松。,三维主动眼球跟踪技术,:,除对眼球在,XY,轴运动进行追踪外，还可以追踪眼球在,Z,轴的立体位移，可随眼球运动自动将激光调整到切削点，极大的加强了手术的安全性和精确性。,高精度,200Hz,飞点扫描、,193nm,氟化氩（,ArF),准分子激光和最优光传输系统的完美结合形成光斑直径,0.8mm,优化高斯光束,染料激光器,固体或其它激光所输出的波长已几乎覆盖了真空紫外至红外波段，还出现了,X,射线波激光器。但是，一般激光器输出的波长都是,固定单一,的，至多也只是有,几个波长,，这在应用上有一定的局限性。为此人们研究了,可调谐激光,。,染料激光器是,液体激光器,的一种，以染料为工作物质，如若丹明,6G,等，溶剂有乙醇、苯类、水及其他物质。染料的能量转换效率很高，可达数百毫瓦。染料激光器的最大特点是其输出波长,在一定范围内连续可调,，所以称为可调谐激光器。医学上常用的可调谐染料激光器有：,N,2,激光泵浦可调谐染料激光器和,Nd,：,YAG,激光泵浦可调谐染料激光器等。,工作原理,染料分子能级图,S0,是基态，,S1,、,S2,是激发态。,S0,、,S1,、,S2,本身是由许多密集的振动转动能级组成的。,在,原子光谱,里，不同电子态之间的跃迁产生,一条锐的谱线,；在,分子光谱,里，不同电子态（例如,S1,与,S0,）之间的跃迁将产生由一簇密集的谱线组成的,谱带,。染料分子的这种能级结构是染料激光器的输出波长在一定范围内可调的根本原因。,一、染料分子能级,染料分子能级图,吸收了外来光子后，分子就从基态能级跃迁到,S1,态的较高的振动转动能上（图中,Ab,）。由于频繁的热交换，大多数被激发的分子无辐射地衰变到,S1,态的最低的振动转动能级上（图中,bB,）。这样，在,B,与基态,S0,的较高的振动转动能级（图中,a,）之间就实现了,粒子数反转,。当反转达到阈值时，就可以产生激光。,可见染料激光形成过程，经历了,两次无辐射跃迁,。,二、染料分子的光辐射过程,三、染料分子的三重态“陷阱”,能级图中的,T1,和,T2,是,三重态,。由于三重态,T1,较单态,S1,低，所以处在,S1,中的分子很容易无辐射地跃迁到,T1,上，又因为,T1,与,S0,之间不产生辐射跃迁，而且,T1,的寿命较长，约为,10,-4,10,-3,s,，所以,T1,态对于激发分子来说，相当于一个“,陷阱,”。,当,T1,态上积累了足够的分子后，,T1T2,的吸收将很快使激光器的增益下降，以致,激光淬灭,。通常采用的方法是在染料中加入三重态,淬灭剂,，缩短,Tl,的寿命。,直管闪光灯泵浦的染料激光器示意图,一般由激光工作物质、激励光源、聚光系统和谐振腔,及波长选择装置组成,输出特性,1,输出激光波长,可调谐,某些染料激光波长的可调宽度达上百纳米，所以称为可调谐激光器。,2,由于染料分子能级的准连续宽带结构，其荧光谱范围也是准连续宽带，这既使得染料激光器在,大范围内可调谐，,目前由染料激光器产生的,超短脉冲宽度,可压缩至飞秒（,10,-15,秒）量。,3,染料激光器的,输出功率大,，达数百毫瓦，可与固体激光器比拟，并且价格便宜。,4,染料分子是一种,四能级级系统,，由于,S0,的较高振动能级在室温时粒子数几乎为,0,，所以很容易实现粒子数反转，使得染料分子激光器的,阈值很低,。,一、光栅调谐,图示为一种光栅,反射镜调谐腔。光束与谐振腔轴成一个小角度,（,3,）。谐振腔由,反射光栅,G,与一个镀有介质膜的,反射镜,M,组成。光栅,G,具有,扩束和色散,作用，转动光栅就可以改变输出激光的,频率,。,腔内插入一个法布里,珀罗标准具，摆动标准具可以进一步选择输出激光的频率。不插入标准具时，输出激光的线宽为,0.05nm,，插入标准具后，可获得线宽约为,0.001nm,的单模激光。,输出特性,二、棱镜调谐,图示为一种折叠式纵向泵浦染料激光器原理图，腔内放置的,棱镜是一种色散元件,。由于棱镜的色散作用，一束来自,M3,、,M2,的不同波长的光，将有不同的折射方向。当旋转平面反射镜,M1,使其与某一波长的光,垂直,时，该波长光便能返回谐振腔，形成振荡。因此，旋转,M1,便可实现调谐作用。,Tunable Lasers,Dye Lasers,很多有机染料可以被用作激光介质。其中最常见的是若丹明,6G,（,Rhodamine 6G,），溶于甲醇或者乙二醇。,跃迁上下能级由于和溶剂,的相互作用而分裂为连续,的能带。分子被激发到上,能带后迅速无辐射弛豫到上能带的最低,能级，并由此向基态各能级跃迁，产生,荧光辐射。辐射荧光曲线不随激发光源,的改变而改变。,如果将充有染料溶液的小室放置于激光腔内，并提供足够的泵浦能 量，则可以放出激光。如果使用宽带激光反射镜，受激辐射在荧光发射曲线顶点的周围几十个,附近发生。可以把反射镜用光栅代替。,激发辐射带宽降低到,0.5,。,通过转动光栅，可以让激光在整个,荧光发射带范围内调节。,泵浦可以用闪光灯来实现，得到的,激光脉宽,1ms,，峰值功率大概几,kW,，重复频率,1Hz,。,也可以用固定波长激光器，例如氮,分子激光器，准分子激光器，铜蒸气,激光器或倍频后的,Nd:YAG,激光器。,几种典型装置,通过使用各种染料，脉冲染料激光器工作范围可以从,320,到,1000nm,。对准分子激光泵浦的染料激光器，能量转换效率可以到,1020%,。而对于倍频后的,Nd:YAG,激光器，则可以达到,40%,。,染料激光器脉冲运转较容易，而连续运转比较困难。主要问题是三重态布居数的增加造成的吸收损耗会使激光无法起振。,脉冲泵浦时，可以在三重态集聚足够的粒子数之前产生激光。,要想达到连续泵浦，则必须去掉三重态分子。可以在溶液中加入某种三重态猝灭剂，可以有效地使三重态分子无辐射跃迁到基态。,连续的染料激光器往往使用氩离子或者氪离子激光器泵浦。目前可以覆盖的光谱范围为,375950nm,。,使用染料射流来让染料高速通过激活区。,Tunable Solid-State Lasers,某些固体激光器的增益曲线范围较宽，因此可以在某个范围内调谐。,例如钕玻璃激光器可以在,1.01.1,m,m,范围调谐。,钛宝石（,Ti:Al,2,O,3,）激光器可调谐范围为,660,到,1100nm,。,不使用激光泵浦的可调谐固体激光器引起人们广泛的兴趣。,倍频以及受激拉曼散射等可以用来进一步扩展调谐波长。,Tunable CO,2,Lasers,二氧化碳激光器是最有效地气体激光器，功率转换率达到,20%,。工作波长位于,10,m,m,附近，很多工作用的是固定波长的二氧化碳激光器。,因为与加入的,N,2,分子的碰撞，,(001),模式,充分布居。由放电使得氮分子布居于第,一振动能级。由此形成与低能级,(100),(020),之间的粒子数反转。,激光发射可能在子转动能级间发生，并,形成位于,10.210.8,m,m,和,9.29.7,m,m,的,几个光谱带。,其中最强的谱线为,10.59,m,m,。,可以使用光栅来选择其一为输出波长。,如果使用同位素分子,13,CO,2,，则可以增加可选的波长。,二氧化碳激光器也可以工作于高气压（,1,个大气压到,10,个大气压）。,在较高气压下，谱线加宽，不同的振转谱线溶和在一起，从而可以在该波段范围内连续调谐激光。,工业上使用的二氧化碳激光器输出功率最高可以达到几十千瓦的量级。,光纤激光器,光纤激光器是以,掺杂光纤,本身为,工作物质，而该光纤本身,又起到,导波作用,的固体激光器。由,工作物质、谐振腔、泵浦源,三个基本部分组成。,优点：,散热性能好、转换效率高、激光阈值低；,谐振腔可以是直接镀在端面的腔镜、或光纤耦合器、光纤圈等。,可获得宽带的可调谐激光输出，并调节激光输出。,光纤激光器的某些波长适用于光纤通信的低损耗窗口。,1,掺杂光纤,2,光纤激光器的谐振腔,3,掺稀土元素的光纤激光器,4,超荧光光纤激光器,(SFS),1,掺杂光纤,一、掺杂元素,掺稀土元素,镧系,Xe6S,2,，外层都为为,5S,2,5P,6,6S,2,镧系元素电子结构的,差别只在,4f,壳层的电子占有数,。,1,、掺杂浓度,最佳在,100ppm,量级。,太低：,掺杂离子的总有效数小于入射光子数，激发态可能被耗尽。,太高：,稀土离子之间出现非辐射的浓度抑制，跃迁产生激光的能级上有效粒子数减少；导致玻璃基质产生结晶效应，不利于产生激光。,2,、掺杂光纤的基质,（,1,）石英玻璃,石英玻璃对稀土元素离子的光谱能级的影响：产生斯塔克分裂，使得能级加宽，光谱变宽。,（,2,）重金属氟化物玻璃,优点：,通光窗口宽，在,300-8000 nm,范围透过率很高。,易于成纤。,易于激活，因为氟化物玻璃是稀土元素的理想宿主。,二、石英光纤中掺稀土元素离子的光谱特性,1,、,Er,3+,、,Nd,3+,的电子能级,4,I,13/2,4,I,15/2,Er,3+,Nd,3+,能级分裂,4,F,5/2,4,F,3/2,4,F,5/2,2,、掺稀土光纤的光谱特性,掺钕光纤：,使用,800nm,、,900nm,、,530nm,波长的泵浦光源，将在,900nm,、,1060nm,、,1350nm,波长处得到激光。,掺铒光纤：,使用,800nm,、,900nm,、,1480nm,、,530nm,波长的泵浦光源，将在,900nm,、,1060nm,、,1536nm,波长处得到激光。,掺铒光纤存在最佳光纤长度（约,10m,）。,Er,3+,Nd,3+,3,、掺杂光纤的激光特性,掺铒的三能级系统：,基态,E,1,、,亚稳态,E,2,、,高能级,E,3,。从,E,3,E,1,，,泵浦几率为,W,P,，,跃迁几率为,W,P,。,E,3,非辐射,E,2,，,几率为,S,32,；,E,3,自发辐射和非自发辐射,E,2,、,E,1,，,几率为,A,32,、,A,31,、,S,31,。,选择工作物质要求：,A,32,、,A,31,和,S,31,S,32,以及,S,32,W,P(3-1),，,N,2,N,1,。,一般选择,A,21,较小的工作物质。,A,32,一、,FP,腔,1,，结构,M,1,:,对泵浦光高透；对激光高反,M,2,:,对激光高反（低增益系统,95%,；高增益系统,75%,）,2,，光传输特性,理论,波动光学。假设：,谐振腔内的光纤伸直；为阶跃折射率弱波导光纤。,2,光纤激光器的谐振腔,光在腔内传输来回一次后的光强为：,要保证激光在腔内振荡，要求：,反射光与入射光发生干涉，为了在腔内形成稳定振荡，要求干涉加强。则腔长与波长满足,(,驻波条件,),：,增益系数,平均损耗系数,纵模和横模,在腔内，轴向驻波场为腔的本征模式光场。特点：与轴线垂直的横截面光场稳定均匀分布；,轴线方向形成驻波，称为纵模。,节数为,q,，为纵模序数。,与轴线垂直的横截面内光场稳定分布，称为横模,，用,LP,ml,表示，为线性偏振模。,m,为方位数，表示垂直光纤的横截面内沿圆周方向方位角,从,0,到,2,光场的变化数（节线数）。,l,为径向模数，表示纤芯区域光场的半径方向变化数,(,节线数,),。,LP,01,表示基模，它的角向径向,节线数,没有变化，为圆形光斑。,二、基于定向耦合器的谐振腔和反射器,1,、光纤环行谐振腔,泵浦光由,1,端进入，经耦合器进入环行腔。激励的激光与泵光无关。产生的激光由,4,端到,3,端。经耦合器分为,2,束：一束从,2,端输出；另一束由,4,端返回并被谐振放大；如此反复。,其中储存了能量,。,掺杂光纤,耦合器：,4,端出射光比,1,端入射光停滞后,/2,。,2,、光纤圈反射器,普通单模光纤,制成的耦合器的重要特性：只要在工作波长下,单模,运行，在两个输出端与输入端之间,存在固定相位差,，交叉耦合的光波比输入光波滞后相位,/2,。,光纤圈的功率反射率,R,、透射率,T,为：,从,2,端的透射功率总和为,0,：,1,3,4,2,的的顺时针光,场相位差为,0,，与从,1,4,3,2,的逆时针光场的相位差为,。,两光场因为振幅相同、相位相反,而抵消，总和为,0,。,光从,1,返回,。,SMF,3,、光纤,圈,谐振腔,光纤圈为,非谐振的干涉仪,结构。注意,分束器的取向,。,其中没有能量储存,。,透射,反射,反射,透射,光波既可以通过另一端输出；又可以再从输入端反射。,4,、全光纤激光器,两个光纤圈反射器串联起来组成的谐振腔，,通过一条掺杂光纤熔锥而成的,全光纤激光器,。,激光器要实现振荡，,要求光纤圈提供正反馈。,由此得到谐振腔的有效腔长为：,L,1,L,2,L,掺杂光纤,三、可调谐光纤激光器,光纤激光器有,较宽的波长调节范围,，比染料激光器的,化学性质更稳定，不需低温运行,，潜在应用价值显著。,1,，反射镜,+,光栅形式可调谐输出谐振腔,使用闪耀光栅，若对激光中心的闪耀级次为,M,级，闪耀角为,，光栅常数为,d,，则光栅方程为：,只要转动衍射光栅，使光束相对于光栅法线的入射角在,附近变化，就能实现调节波长。,可调谐激光器,采用这种结构，利用氩离子激光器的,514nm,的光作为泵浦光，分别激励,掺铒,光纤及,掺钕,光纤,可调谐的波长范围分别为,25nm,和,80nm,。,由于分束器与光学元器件带来了腔内损耗，,导致阈值功率提高。,14 nm,11 nm,四、,(,反射镜,+,光纤圈反射器形式,),可调谐输出激光器,光纤圈的功率反射率为：,激光反射率大于,95%,泵浦光反射率为,5%,通过改变温度来调节光纤圈的反射率，使掺杂光纤达到激光谐振放大。,五、窄带输出的光纤激光器,通过光纤光栅的选模作用：达到窄带输出。,B,是布拉格波长，,d,是光栅周期，,n,e,是有效折射率。,激光线宽,0.06 nm,六、光纤,Fox-Smith,谐振腔,一般地，,14,段及,13,段的谐振频率不同。复合腔的纵模频率间隔为：,选择适当的,l,3,、,l,4,以致于在,整个荧光线宽内只有一个,纵模在振荡。则可以,实现,单纵模运转,。,掺稀土元素的光纤激光器,以,980 nm,的半导体光源作为泵浦源；,掺,Er,3+,光纤中,Er,3+,的,受激辐射产生,Laser,。,一、掺,Er,3+,光纤激光器的示例,1,、,Er,3+,的三能级系统,能级分裂,由合适长度的掺,Er,3+,光纤、,980nm,大功率半导体激光器泵浦源和谐振腔构成。,世界上第一台掺,Er,3+,光纤激光器由英国南安谱敦大学的,L.Reekie,教授于,1987,年实现。,斜率效率,=,输出功率,/,吸收功率,%=3.3%,输入镜,输出镜,吸收功率,mW,二、掺,Nd,3+,光纤激光器的示例,由合适长度的,掺,Nd,3+,光纤、,800nm,大功率半导体激光器泵浦源和谐振腔,构成。,世界上第一台掺,Nd,3+,光纤激光器由英国南安谱敦大学的,R.J.Mears,教授于,1985,年实现。,GaAs,激光二极管的输出功率,mW,光纤激光器输出功率,/mW,泵浦功率与光纤激光器的输出功率,优点：,不需要水冷即可工作；,不容易饱和。,分类：,根据,泵浦光与超荧光传播方向,的异同，以及,光纤两端是否存在反射,分类。,5.4,超荧光光纤激光器,(Superfluorescent Fiber source),单程反向,双程前向,单程前向,双程反向,原理：,由于泵浦光的激励，,粒子数反转,。如果亚稳态的粒子自发辐射，,产生光子的传输在光纤接收角内，就能够在光纤内传输，,诱发许多亚稳态的粒子受激辐射跃迁，并产生完全相同的光子而放大。,如果光纤的增益足够，就称之为放大的自发辐射（,Amplified Spontaneous Emitting,ASE,）。,特点：与普通光纤激光器相比，,没有谐振腔,。,SFS,的原理、特点,双程前向及双程后向掺铒光纤激光器,Fig.2,输出功率与掺铒光纤长度的关系,超过最佳长度将被再吸收,Fig.3,不同长度光纤的泵浦功率与波长的关系,光纤端镜的反射率与光谱宽度的关系,DPF:,因为,1535nm,处的,ASE,信号比,1550nm,处的,ASE,信号增长快，所以小的反射率也有大的带宽,DPB:,反射率达到,50%,时，,1535nm,处的,ASE,信号饱和，而,1550nm,处的,ASE,信号继续增强，所以带宽增加。,半导体激光器,价带：,是价电子能级分裂出来的价电子能带，当晶体处于绝对零度和无外界激发时，价电子完全被共价健束缚住，是不导电的。,导带：,导带是自由电子能带，在没有自由电子的情况下，这个能级是空着的。当有自由电子时，它们在外电场作用下就能参与导电。,禁带（带隙）：,在价带和导带之间存在一段空隙，称为禁带或带隙。,（,1,）半导体的禁带很窄，满带中的电子较易进入导带。导带中的电子在外场作用下运动而参与导电。,（,3,）金属,导体没有禁带，可显示很强的导电性。,（,2,）绝缘体的禁带很宽，满带中的电子很难进入导带，,导电性很差。,外 场,满带,导带,满带,导带,满带,导带,（,1,）半导体,禁带,禁带,外 场,（,2,）绝缘体,（,3,）金属,半导体中的能带,本征半导体,：,完全纯净、结构完整没有杂质的半导体。,掺杂半导体：,在本征半导体中掺入微量杂质可使半导体性质发生显著变化，称为掺杂半导体。,N,型半导体：,若掺入的杂质提供电子给导带，称为,N,型杂质或施主杂质，如掺入锡和碲。掺入,N,型杂质的材料称为,N,型半导体,。,P,型半导体：,若掺入的杂质提供空穴给价带，称为受主杂质或,P,型杂质,，,如掺入锗。掺入,P,型杂质的材料称为,P,型半导体。,（,1,）本征半导体,纯净的半导体，如硅、锗等。,半导体禁带宽度窄、在外场的作用下,导带中的,电子,、满带中的,空穴,都可参与导电。（本征导电性。见下图）,外 场,满带,导带,半导体的分类,（,2,）杂质半导体,当四价的元素中 掺入少量,五价元素,时形成,n,型半导体。如：硅中掺入杂质磷后，磷原子在硅中形成局部能级位于导带底附近（称为施主能级）。,一般温度下，杂质的价电子很容易 被激发跃迁至导带，成为导电电子，使导带中的电子浓度大大增加。,n,型半导体以电子导电为主。,*,n,型半导体,外场,满带,导带,施主能级,n,型半导体,*,P,型半导体,四价的元素中掺入 少量三价元素时形成,P,型半导体，如：在硅中掺入三价的杂质硼，杂质原子的局部能级位于价带顶附近（称为受主能级）。,一般温度下，满带中的电子很容易被激发跃迁至杂质能级上，满带中留下的空穴也将因此而大大增加，而成为多数载流子。,P,型半导体以空穴导电为主。,外场,满带,导带,受主能级,P,型半导体,附：几个,3,、,4,、,5,价的元素,P-N,结：,正向连接,时，,P,中的空穴和,N,中的电子都易于通过,P-N,结，形成,P,N,的正向宏观电流。,（,2,）,作用：,PN,结具有单向导电作用,是制造整流器和集成电路的基本结构。,结果：交界处出现正、负电偶层，阻挡继续扩散达到平衡，形成,P-N,结。,P,型材料中的空穴将向,N,型材料扩散；,N,型材料中的电子将向,P,型材料扩散。,正向连接,反向连接,反向连接,时，,P,中的空穴和,N,中的电子都难以通过,P-N,结。故,P-N,结具有单向导电的性能。,（,1,）,形成：,P,与,N,密切接触,PN,结的能带图,(E,F,),P,P,型区,N,型区,(E,F,),N,(E,F,),P,(E,F,),N,q,V,D,=(E,F,),N,-(E,F,),P,PN,结的特性,PN,结的特性：,当,P,型半导体和,N,型半导体结合后，在它们之间就出现了电子和空穴的浓度差别，电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度底的地方扩散，扩散的结果破坏了原来,P,区和,N,区的电中性，,P,区失去空穴留下带负电的杂质离子，,N,区失去电子留下带正电的杂质离子，由于物质结构的原因，它们不能任意移动，形成一个很薄的空间电荷区，称为,PN,结。其电场的方向由,N,指向,P,，称为内电场。该电场的方向与多数载流子（,P,区的空穴和,N,区的电子）扩散的方向相反，因而它对多数载流子的扩散有阻挡作用，称为势垒。,半导体器件的发光机理,如果在,PN,结上加正向电压,，外电场与内电场的方向相反，扩散与漂移运动的平衡被破坏。外电场驱使,P,区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷，同时,N,区的自由电子进入空间电荷区抵消一部分正空间电荷，于是空间电荷区变窄，内电场被削弱，多数载流子的扩散运动增强，形成较大的扩散电流（由,P,区流向,N,区的正向电流）。,在一定范围内，外电场愈强，正向电流愈大，这时,PN,结呈现的电阻很低，即,PN,结处于导通状态。,半导体器件的发光机理,当外加电场正端接,P,区负端接,N,区与内电场方向相反时，电子被迫从,N,区向,P,区方向集结，当足够数量的电子能级上升到导带能级，它们的电子能级就超过了势垒能级，电子流过,P-N,结进入,P,区。,此时价带中有许多空穴存在而导带中有许多电子存在，这种状态称为粒子数反转。,来自导带的电子失去它的一些能量并下降到价带时，它们和空穴复合并产生出光子。这种过程称为复合。,在理想情况下，能量完全以光子的形式释放出来。如果这一过程自发地发生，则所发生出的光子能量近似地等于带隙的能量,Eg,，所产生的光子在许多随机的方向上进行。另一方面，若在复合区有足够密度的光子存在，则,自发发射,(,或复合,),及,受激复合,两者都会发生，所产生的受激光子的行进方向和原始光子相同。为了使发光半导体,(LED),和二极管激光器,(LD),能分别正常工作，自发发射和受激发射都是必要的。,半导体器件的发光机理,直接复合中一个光子产生一个电子和一个空穴，它们碰撞后又放出一个光子；间接复合中载流子被,trap T,捕捉到，在,trap site,中发生复合，并放出热。,半导体激光器（,LD,）,世界上第一只半导体激光器是,1962,年问世的，经过几十年来的研究，半导体激光器得到了惊人的发展，,它的波长从红外、红光到蓝绿光，被盖范围逐渐扩大，各项性能参数也有了很大的提高；,其制作技术经历了由扩散法到液相外延法,(LPE),，气相外延法,(VPE),，分子束外延法,(MBE),，,MOCVD,方法,(,金属有机化合物汽相淀积,),，化学束外延,(CBE),以及它们的各种结合型等多种工艺；,其激射闭值电流由几百,mA,降到几十,mA,，直到亚,mA,，其寿命由几百到几万小时，乃至百万小时；输出功率由几毫瓦提高到千瓦级,(,阵列器件,),。,它具有效率高、体积小、重量轻、结构简单、能将电能直接转换为激光能、功率转换效率高,(,已达,10%,以上、最大可达,50%),。便于直接调制、省电等优点，因此应用领域日益扩大。目前，固定波长半导体激光器的使用数量居所有激光器之首，某些重要的应用领域过去常用的其他激光器，已逐渐为半导体激光器所取代,.,半导体激光器（,LD,）,半导体激光器的激励方式主要有三种，即电注人式、光泵式和高能电子束激励式。,绝大多数半导体激光器的激励方式是电注人，即给,PN,结加正向电压，以使在结平面区域产生受激发射，也就是说是个正向偏置的二极管，因此半导体激光器又称为半导体激光二极管。,对半导体来说，由于电子是在各能带之间进行跃迁，而不是在分立的能级之间跃迁，所以跃迁能量不是个确定值，这使得半导体激光器的输出波长展布在一个很宽的范围上,.,它们所发出的波长在,0.3-34pm,之间,.,其波长范围决定于所用材料的能带间隙，最常见的是,AlGaA:,双异质结激光器，其输出波长为,750-890nm,。,5.4.2 PN,结和粒子数反转,1.,P-N,结的双简并能带结构,把,P,型和,N,型半导体制作在一起，是否可能在结区产生两个费米能级呢？,未加电场时，,P,区和,N,区的费米能级必然达到同一水平，,如图,(,5-26,),。,图,(5-26)PN,能带,在,P-N,结上加以正向电压,V,时，形成结区的两个费米能级 和 ，称为准费米能级，如图,(,5-27,),。,图,(5-27),正向电压,V,时形成的双简并能带结构,2.,粒子数反转,5.4.2 PN,结和粒子数反转,产生受激辐射的条件是在结区的导带底部和价带顶部形成粒子数反转分布。,激光器在连续发光的动平衡状态，导带底电子的占据几率为,价带顶空穴的占据几率可以用,P,区的准费米能级来计算,价带顶电子占据几率则为,在结区导带底和价带顶实现粒子（电子）数反转的条件是,半导体激光器的结构,最简单的半导体激光器由一个薄有源层（厚度约,0.1,m,）、,P,型和,N,型限制层构成，如图示。有源层夹在,P,型和,N,型限制层中间，由此产生的,PN,异质结通过欧姆接触正向偏置，电流在覆盖整个激光器芯片的较大面积注入。这样的激光器面积大，称为大面积激光器。由于在平行于结平面的侧向无光限制结构，沿激光器的整个宽度上都存在光辐射，损耗太大，阈值电流较高，这是大面积激光器的主要特点。为解决侧向辐射和光限制问题，实际的激光器采用了增益导引型和折射率导引型结构。,P,型,N,型,电流,金属接触,有源层,解理面,1.,半导体激光器的基本结构和工作原理,图,(5-28)GaAs,激光器的结构,半导体激光器的工作原理和阈值条件,图,(,5,-,28,),示出了,GaAs,激光器的结构。,2.,半导体激光器工作的阈值条件,激光器产生激光的前提条件除了粒子数发生反转还需要满足阈值条件,增益系数和粒子数反转的关系也取决于谐振腔内的工作物质,光学谐振腔与激光器的阈值条件,激光器稳定工作的必要条件:,(1)粒子数反转产生增益,(2)提供光的反馈:,其中最简单的是法布 里珀罗腔,激光二极管的谐振腔,注入电流,有源区,解理面,解理面,L,增益介质,R1,R2,z=0,z=L,98,第二章 电光信息转换,半导体激光器的结构,2.2.2 半导体激光器的结构,最简单的半导体激光器由一个薄有源层（厚度约0.1,m）、P,型和,N,型限制层构成，如图2.2.2-1所示。,图2.2.2-1 大面积半导体激光器,解理面,金属接触,电流,有源层,P,型,N,型,300,m,100,m,200,m,同质结和异质结半导体激光器,1.,同质结砷化镓,(GaAs),激光器的特性,图,(5-29)GaAs,激光器的伏安特性,伏安特性,:,与二极管相同，也具有单向导电性,，如图,(5,29),所,示。,阈值电流密度,:,影响阈值的因素很多,方向性,:,图,(5-30),给出了半导体激光束的空间分布示意图。,图,(5-30),激光束的空间分布示意图,同质结和异质结半导体激光器,1.,同质结砷化镓,(GaAs),激光器的特性,光谱特性,:,图,(5,-,31),是,GaAs,激光器的发射光谱。其中图,(a),是低于阈值时的荧光光谱，谱宽一般为几百埃，图,(b),是注入电流达到或大于阈值时的激光光谱，谱宽达几十埃。,图,(5-31)GaAs,激光器的发射光谱,同质结和异质结半导体激光器,1.,同质结砷化镓,(GaAs),激光器的特性,外微分量子效率,:,功率效率,:,功率效率定义为激光器的输出功率与输入电功率之比,2.,异质结半导体激光器,单异质结半导体激光器,:,单异质结器件结构如,图,(5,-,32),(b),所示,双异质结半导体激光器,:,双异质结半导体激光器结构如图,(5,32)(c),所示。,图,(5-32),同质结、异质结结构示意图,半导体激光器的的主要特性,半导体激光器是半导体二极管，它具有半导体二极管的一般特性，还具有激光器所具有的光频特性。,1,、伏安特性,半导体激光的伏安特性与一般半导体二极管相同，具有单向导电性。其伏安特性曲线如图所示。由于工作时加正向偏压，所以其结电阻很小。其正向电阻值主要由材料的体积电阻和引线的接触电阻来决定。这些电阻虽然很小，但由于工作电流很大，其作用不能忽略。,正向电压,/V,正向电流（,mA,）,1,2,3,200,400,800,0,半导体激光器的的主要特性,2.,量子效率与阈值电流,在复合区内，有两种复合。一种叫,辐射复合,，一种叫,无辐射复合,。前者发出光子，后者不发出光子，而是将多余的能量以热的形式