第三章核磁共振氢谱.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,NMR,发展简介:,NMR,的理论基础：1924年,Pauli,W.,假设,特定的,原子核具有自旋和磁矩，放入磁场中会产生能级分裂,1946年,Standford,大学的,Block,和,Harvard,大学的,Purcell,独立证实了上述假设。获1952年,Nobel Prize,随后五年，化学家们发现了,NMR,信号与分子结构的关系,1953年，第一台,NMR,仪器,FT-NMR,核的自旋与核磁矩,第三章 核磁共振（,NMR spectroscopy,）,（,核磁距,）,=,（磁旋比）,P,（自旋角动量）,一、原子核的自旋与磁矩,一、原子核的磁矩,若原子核存在自旋，产生核磁矩：,自旋角动量：,I,：,自旋量子数；,h,：,普朗克常数；,r:,磁旋比,原子核所固有的性质,；,自旋量子数（,I,）,不为零的核都具有磁矩，原子的自旋情况可以用（,I,）,表征。,核 磁 矩：,讨论:,(,1,),I,=0,的原子核,O(16)；C（12）；S（32）,等,，,无自旋，没有磁矩，不产生共振吸收。,(2),I,=1,或,I,0,的原子核,I,=1 ：,2,H，,14,N,I,=3/2：,11,B，,35,Cl，,79,Br，,81,Br,I,=5/2：,17,O，,127,I,这类原子核的核电荷分布可看作一个椭圆体，电荷分布不均匀，共振吸收复杂，研究应用较少；,(3),1/2的原子核,1,H，,13,C，,19,F，,31,P,原子核可看作核电荷均匀分布的球体，并象陀螺一样自旋，有磁矩产生，是核磁共振研究的主要对象，,C，H,也是有机化合物的主要组成元素。,二、核磁共振,自旋量子数,I,=1/2,的原子核（氢核），可当作电荷均匀分布的球体，绕自旋轴转动时，产生磁场，类似一个小磁铁。,当置于外加磁场,H,0,中时，相对于外磁场，可以有（2,I,+1）,种取向：,氢核（,I,=1/2），,两种取向（两个能级）：,(1)与外磁场平行，能量低，磁量子数,1/2;,(2)与外磁场相反，能量高，磁量子数,1/2;,1、自旋量子数为1/2的核核磁矩与能级的关系,自旋量子数、核磁矩与能级的关系,将自旋量子数为1/2的核放入磁场,H,0,中，磁矩会有相对于,H,0,的两种取向,磁矩在磁场方向的投影量子化,m:,磁量子数(,magnetic quantum number)，,m=I,I-1,I-2,-I,对于,I=1/2,的核，如,1,H,13,C，m=1/2,-1/2,自旋运动的原子核与外加磁场的作用能量：,E=-,H,0,大小：,能级差：,I=1/2,时，,任意两个能级的能量差：,量子力学选律：,m=,1,的跃迁是许可跃迁,任意相邻两个能级的能量差：,2、核磁共振现象:,Larmor,(,拉莫）进动,两种取向不完全与外磁场平行，,相互作用,产生进动(拉莫进动)进动频率,0,；角速度,0,；,0,=2,0,=,H,0,磁旋比；,H,0,外磁场强度；,两种进动取向不同的氢核之间的能级差：,E,=,H,0,（,磁矩）,3、核磁共振条件,在外磁场中，原子核能级产生裂分，由低能级向高能级跃迁，需要吸收能量。,能级量子化。射频振荡线圈产生电磁波。,对于氢核，能级差：,E,=,H,0,（,磁矩）,产生共振需吸收的能量：,E,=,H,0,=,h,0,由拉莫进动方程：,0,=2,0,=,H,0,;,共振条件：,0,=,H,0,/(,2),共振条件,(1)核有自旋(磁性核),(2)外磁场,能级裂分;,(3)照射频率与外磁场的比值,0,/,H,0,=,/(,2),讨论:,共振条件：,0,=,H,0,/(,2),（1）对于同一种核，磁旋比,为定值，,H,0,变，射频频率,变。,（2）不同原子核，磁旋比,不同，产生共振的条件不同，需要的磁场强度,H,0,和射频频率,不同。,（3）固定,H,0,，改变,（扫频），不同原子核在不同频率处发生共振（图）。也可固定,，改变,H,0,（扫场）。扫场方式应用较多。,氢核（,1,H）：1.409 T,共振频率 60,MHz,2.305 T,共振频率 100,MHz,磁场强度,H,0,的单位：1高斯（,GS）=10,-4,T（,特拉斯）,讨论:,在1950年，,Proctor,等人研究发现：质子的共振频率与其结构（化学环境）有关。在高分辨率下，吸收峰产生化学位移和裂分，如右图所示。,由有机化合物的核磁共振图，可获得质子所处化学环境的信息，进一步确定化合物结构。,三、驰豫过程,Relaxation Process,磁场强度与温度的影响,无外加磁场:磁性核的核磁矩随机取向，磁量子能级等同，无能级分裂。,磁场中:磁性核发生能级分裂，核重新取向。,1)热平衡时各能级上核的数目服从,Boltzmann,分布:,N,：,高能级的原子核数,N,：,低能级的原子核数,k：Boltzmann,常数，1.38,10,-23,JK,-1,N,/N,=exp(-,E/kT),E=h,=,h H,0,/2,N,/N,=exp(-,h H,0,/2,kT,),若,1,H,核，,H,0,=4.39T,20,C,时，则：,N,/N,=exp-(2.68,10,8,6.63,10,-34,4.39)/(2,1.38,10,-23,293)=0.999967,对于10,6,个高能级的核，低能级核的数目：,N,=10,6,/0.999967=1,000,033,2),NMR,信号的灵敏度,N,/N,=exp(,E/kT)=exp(,h H,0,/2,kT),由于,E/kT,很小，,N,/N,1+,E/kT=1+,h H,0,/2,kT,N,H,0,，,即：低能级核的数目与磁场强度呈线性关系，,NMR,信号的强弱随磁场强度成比例增加,3)驰豫过程,外加电磁波照射样品中的原子核。自旋状态用,(低能级，朝上的圆锥体),或,(高能级，朝下的圆锥体)表示。,(,a),核在,态与,态间达到热平衡的状态。,(,b),比(,a),处于高热能的状态，不再有热平衡,(,c),两能级间原子核数目相等的饱和状态，,在驰豫之前不再有净能量吸收,驰豫过程：饱和状态时观测不到,NMR,信号。要观测到净能量吸收，必须有核从,态返回,态，此即驰豫过程。即必须保持上图的(,a),或(,b),状态。,饱和和弛豫,低能态的核吸收能量自低能态跃迁到高能态，能量将不再吸收。与此相应，作为核磁共振的信号也将逐渐减退，直至完全消失。此种状态称作“,饱和,”状态。,在核磁共振条件下，在低能态的核通过吸收能量向高能态跃迁的同时，高能态的核也通过以非辐射的方式将能量释放到周围环境中由高能态回到低能态，从而保持,Boltzman,分布的热平衡状态。这种通过无辐射的释放能量途径核由高能态回到低能态的过程称作“,弛豫,”。,自旋-晶格驰豫,(,spin-lattice relaxation)：,高能级核返回低能级时失去能量，该能量被周围 分子吸收转变成热运动，称自旋-晶格驰豫。晶格既可以是,结晶晶格,，也可以是溶液中待测分子的,溶剂分子群,。自旋-晶格驰豫反映体系与环境的能量交换。自旋-晶格驰豫速度服从一级反应速率方程，自旋-晶格驰豫的常数定义为自旋-晶格驰豫时间,T,1,即自旋-晶格驰豫此过程所经历的时间，气体及液体的,T,1,很小，仅几秒钟。固体因分子的热运动受限，,T,1,较长。,自旋-自旋驰豫(,spin-spin relaxation)：,样品分子核之间的相互作用。不改变高、低能级上核的数目，但任一选定核在高能级上的停留时间(寿命)改变。自旋-自旋驰豫的常数定义为自旋-自旋驰豫时间,T,2,。,气体及液体的,T,2,为1,s，,固体,T,2,为10,-4,10,-5,s,四、核磁共振的谱线宽度,Heisenberg的测不准原理：,E*th,t,为核在某一能级的停留时间，即由,T,2,决定,E=h,则,1/T,2,所以核磁样品常在溶液中进行测试,第二节 核磁共振波谱仪,1永久磁铁,：提供外磁场，要求稳定性好，均匀，不均匀性小于六千万分之一。扫场线圈。,2,.,射频振荡器,：线圈垂直于外磁场，发射一定频率的电磁辐射信号。60,MHz,或100,MHz。,3 射频信号接受器,（检测器）：当质子的进动频率与辐射频率相匹配时，发生能级跃迁，吸收能量，在感应线圈中产生毫伏级信号,。,4样品管,：外径5,mm,的玻璃管,测量过程中旋转,磁场作用均匀。,3.3 化学位移,3.3.1 电子的屏蔽效应,假如氢核,1,H,只在同一频率下共振，那么核磁,共振对结构分析就毫无用处了。,在分子中，磁性核外有电子包围，电子在外部磁,场垂直的平面上环流，会产生与外部磁场方向相反的,感应磁场。因此使氢核实际“感受”到的磁场强度要比,外加磁场的强度稍弱。为了发生核磁共振，必须提高,外加磁场强度，去抵消电子远动产生的对抗磁场的作,用，结果吸收峰就出现在磁场强度较高的位置。,图3.7 质子的屏蔽作用,屏蔽效应,把核周围的电子对抗外加磁场强度所起,的作用，叫做屏蔽作用。同类核在分子内或,分子间所处化学环境不同，核外电子云的分,布也不同，因而屏蔽作用也不同。,屏蔽效应,理想化的、裸露的氢核；满足共振条件：,0,=,H,0,/(,2,),产生单一的吸收峰；,实际上，氢核受周围不断运动着的电子影响。在外磁场作用下，运动着的电子产生相对于外磁场方向的感应磁场，起到屏蔽作用，使氢核实际受到的外磁场作用减小：,H,=（1-,）,H,0,：,屏蔽常数。,越大，屏蔽效应越大。,0,=,/(,2)（1-,）,H,0,由于屏蔽作用的存在，氢核产生共振需要更大的外磁场强度（相对于裸露的氢核），来抵消屏蔽影响。,屏蔽效应,质子周围的电子云密度越高，屏蔽效应越大，即在较高的磁场强度处发生核磁共振，反之，屏蔽效应越小，即在较低的磁场强度处发生核磁共振。,低场,H,0,高场,屏蔽效应小 屏蔽效应大,大,小,屏蔽效应,甲醇（,CH,3,-OH）,的核磁共振谱,3.3.2 化学位移,由于化合物分子中各种质子受到不同程度的屏蔽,效应，因而在,NMR,谱的不同位置上出现吸收峰。但这,种屏蔽效应所造成的位置上的差异是很小的，难以精,确地测出其绝对值，因而需要用一个标准来做对比，,常用四甲基硅烷(,CH,3,),4,Si,作为标准物质，人为将其吸,收峰出现的位置定为零。,化学位移：,0,=,/(,2)（1-,）,H,0,由于屏蔽作用的存在，氢核产生共振需要更大的外磁场强度（相对于裸露的氢核），来抵消屏蔽影响。,在有机化合物中，各种氢核 周围的电子云密度不同（结构中不同位置）共振频率有差异，即引起共振吸收峰的位移，这种现象称为,化学位移,。,常以“,”表示。,化学位移的表示方法,1位移的标准,没有完全裸露的氢核，没有绝对的标准。,相对标准：四甲基硅烷,Si(CH,3,),4,（TMS）（,内标）,位移常数,TMS,=0,2,为什么用,TMS,作为基准?,(1)12个氢处于完全相同的化学环境，只产生一个尖峰；,（2）屏蔽强烈，位移最大。与有机化合物中的质子峰不重迭；,（3）化学惰性；易溶于有机溶剂；沸点低，易回收。,位移的表示方法,与裸露的氢核相比，,TMS,的化学位移最大，但规定,TMS,=0，,其他种类氢核的位移为负值，负号不加。,小，屏蔽强，共振需要的磁场强度大，在高场出现，图右侧；,大，屏蔽弱，共振需要的磁场强度小，在低场出现，图左侧；,化学位移,式中,v,s,为样品吸收峰的频率，,v,TMS,为四甲基硅烷吸,收峰的频率。在各种化合物分子中，与同一类基团,相连的质子，它们都有大致相同的化学位移.,即化学位移,是分析分子中各类氢原子所处位置的重要依据。,值越大，表示屏蔽作用越小，吸收峰出现在,低场；,值越小，表示屏蔽作用越大，吸收,峰出现在高场。,化学位移,常见基团中质子的化学位移,质子类别,/,ppm,质子类别,/,ppm,RCH,3,R,2,CH,2,R,3,CH,=CH-CH,3,C-CH,3,Ar-CH,3,=CH,2,CH,0.9,1.2,1.5,1.70.1,1.80.1,2.30.1,4.5-6,2-3,Ar-H,RCH,2,X,O-CH,3,-OH,-COCH,3,R-CHO,R-COOH,-NH,2,7.30.1,3-4,3.60.3,0.5-5.5,2.20.2,9.80.3,111,0.5-4.5,常见结构单元化学位移范围,3.3.3核磁共振氢谱表示法,NMR,谱的解析要点：,从信号的数目可知分子中有多少种不同类型的质子;,从信号的位置（即化学位移,d,值）可知每类质子的电子环境；,各吸收峰占有的相对面积则表示各类质子的相对数目；,从信号的裂分情况可提供邻近基团结构的信息,。,1.,根据,0,=,H,0,/(,2,),可以说明一些什么问题,?,2.,什么是弛豫？为什么,NMR,分析中固体试样,应先配成溶液？,3.何谓化学位移,?,它有什么重要性,?,3.3.4 影响化学位移的因素,取代基的电负性，直接影响与它相连的碳原子上质子的,化学位移，并且通过诱导方式传递给邻近碳上的质子。这主,要是电负性较高的基团或原子，使质子周围的电子云密度降,低（去屏蔽），导致该质子的共振信号向低场移动（,值增,大）。取代基的电负性愈大，质子的,值愈大。,1.取代基的诱导效应：,影响化学位移的因素,如将,O-H,键与,C-H,键相比较，由于氧原子的电负性比碳原子大，,O-H,的质子周围电子云密度比,C-H,键上的质子要小，因此,O-H,键上的质子峰在较低场。,CH,3,CH,2,OH,a,b,c,a,b,c,吸电作用电子云密度降低，屏蔽效应减弱，共振吸收移向低场。,i、,化学位移值随电负性成正比关系,CH,3,-F,CH,3,-Cl,CH,3,-Br,CH,3,-I,4.26,3.05,2.68,2.16,ii、,电负性举例质子越近，化学位移值越大；,CH,3,-Br,CH,3,CH,2,Br,CH,3,CH,2,CH,2,Br,2.68,1.65,1.0,iii、,吸电子诱导效应具有加和性,CH,3,Cl,CH,2,Cl,2,CHCl,3,3.05,5.33,7.24,诱导效应,规律：吸电子的诱导效应使质子周围的电子云密度降低，,去屏蔽效应增强，化学位移值变大,影响化学位移的因素,2、共轭效应,(,Conjugated),：,使电子云密度平均化，可使吸收峰向,高场或低场移动,；,与,C,2,H,4,比：,a),图：氧孤对电子与,C,2,H,4,双键 形成,p-,共轭，,CH,2,上质子电子云密度增加，移向高场。,b),图：羰基双键与,C,2,H,4,-,共轭，,CH,2,上质子电子云密度降低，移向低场。,3.,各向异性效应,在分子中，质子与某一官能团的空间关系，有时会影响质子的化学位移。这种效应称各向异性效应。各向异性效应是通过空间而起作用的，它与通过化学键而起作用的效应(例如上述电负性对,C-H,键及0-,H,键的作用)是不一样的。,影响化学位移的因素,例如,CC,或,C0,双键中的,电子云垂直于双键平面，它在外磁场作用下产生环流。由图可见，在双键平面上的质子周围，感应磁场的方向与外磁场相同而产生去屏蔽，吸收峰位于低场。然而在双键上下方向则是屏蔽区域，因而处在此区域的质子共振信号将在高场出现。,各向异性效应,双键的各向异性效应,芳环有三个共轭双键，它的电子云可看作是上下两个面包圈似的,电子环流，环流半径与芳环半径相同，如图所示。在芳环中心是屏蔽区，而四周则是去屏蔽区。因此芳环质子共振吸收峰位于显著低场(,在7左右)。,苯环的,各向异性效应,苯环上的6个,电子产生较强的诱导磁场，质子位于其磁力线上，与外磁场方向一致，去屏蔽。,叁键的各向异性效应,价电子产生诱导磁场，质子位于其磁力线上，与外磁场方向一致，去屏蔽。,单键的磁各向异性,甲基,亚甲基,次甲基,d,0.85,0.95,d,1.20,1.40,d,1.40,1.65,环己烷构象中平伏键受到的屏蔽效应,Ha,比,Hb,的化学位移数值稍大，处于低场。,例,1,：,（,ppm,）,7.3,5.3,0.9,例,2,：,=0.3,ppm,质子在芳环上方，处于屏蔽区。,例,3,：,=8.2,ppm,=,1.9,ppm,环内质子处于屏蔽区。,环外质子处于去屏蔽区。,影响化学位移的因素,4.氢键和溶剂效应（,P85,表3.6）,除了以上讨论的影响质子位移的主要因素之外，由于,NMR,试验样品配成溶液或采用纯液体，因此溶质和溶剂分子之间的相互作用（溶剂效应）和氢键的形成，对化学位移的影响有时也很明显。,使电子云密度平均化，使,OH,或,SH,中质子移向低场。如分子间形成氢键，其化学位移与溶剂特性及其浓度有关;如分子内形成氢键则与溶剂浓度无关，只与分子本身结构有关。,溶剂选择原则：稀溶液；不能与溶质有强烈相互作用。,（1）,值从,R-CH,3,R,2,CH,2,R,3,C-H,依次增加,（2）,值从烃基、烯基、芳基依次增加；,芳环中的,电子在外磁场作用下产生环流，使环上的,H,原子周围,产生感应磁场，其方向与外磁场相同，增强了外磁场，所以在外,磁场强度还没有达到,H,0,时，就发生能级跃迁，它的,值特别大，,称为去屏蔽作用。,乙炔分子中,电子环流，产生的感应磁场对抗外加磁场，故,质子受到屏蔽。其,值较烯烃的小。,总结,（3）,值随着邻近原子电负性的增加而增加：,（4）,值随着,H,原子与电负性基团距离的增大而减小，如：,CH,3,CH,3,CH,3,NH,2,CH,3,OH,CH,3,F,R-O-C-C-C-H R-O-C-C-H20,/,J 6,高级谱,3.7 常见的自旋系统,一级谱的特征,/,J,6,1）同一组核（其化学位移相同）中的各核均为磁等价；,2）磁全同的质子间只有偶合，但不出现峰的裂分；,3）相邻质子偶合所具有的,峰的数目可用（,n+1）,规律,；,4）峰组内各峰的相对强度可用二项式展开系数近似地表示；,5）谱线以化学位移为中心，左右对称；,6）相互偶合的质子具有相同的偶合常数。,1、,J,随化学键数目的增加迅速下降，超过四个化学键，偶合作 用很少观察到，常考虑的为邻碳偶合。例,Cl-CH,2,-O-CH,3,谱图上表现为两组单峰，无偶合裂分作用。,2、一个质子,A,与两组质子(,Mn、Xm),偶合，如它与这两组质子的偶合常数相同，则共振信号裂分数为（,n+m+1）,反之，为(,n+1)(m+1),注意：,3.7.2 自旋体系（,Spin system）,相互偶合的核组成自旋体系,1）化学位移相同的核构成一个核组。用,A,B,M,X,标注；,2）化学位移相差较大，用,AM,AX,AMX,标注；,化学位移相差较小，用,AB,ABC,XY,标注；,3）核组内的核若磁等价，用,A,3,A,2,B,X,2,标注；,4）若核组内的核磁不等价，用,AAA,标注。,AB,相近的两个核,相差较远的两个核,相差很大的两个核,相差很大,从左至右代表化学位移由大到小,数字表示相应核的个数。,AM,AX,AX,2,AX,3,A,2,X,3,例：,CHCl,2,CH,2,Cl,高化学位移(,A),处有三重峰，低化学位移(,X),处有双峰,CHBr,2,CH,3,AX,3,高化学位移(,A),处有四重峰，低化学位移(,X),处有双峰,高化学位移(,A),处有四重峰，低化学位移(,X),处有三重峰,A,2,X,3,AX,2,CH,3,CH,2,Br,3.9,谱图解析及应用,（1）峰的数目：标志分子中化学不等价质子的种类，,多少种；,（2）峰的强度(面积)：每类质子的数目(相对)，,多少个；,（3）峰的位移,(,)：,每类质子所处的化学环境，,化合物中位置；,（4）峰的裂分数：,相邻碳原子上质子数；,（5）偶合常数,(,J,)：,确定化合物构型,。,不足之处：,仅能确定质子。,Integration for methyl acetate.,a.,区分出杂质峰、溶剂峰、活泼氢峰等；,不饱和度大于4时，应考虑含苯环或吡啶（三个双键和一个环）。,b.,计算不饱和度（,unsaturation number),一级谱解析的一般程序,U.N.=1+n,4,+1/2(n,3,-n,1,),c.,确定谱图中各峰组所对应的氢原子数目，对氢原子进行分配；,各组峰质子数目的计算,积分线的总高度与分子式中的质子总数成正比，,每一组峰的高度与这组峰所代表的质子数目成正比,总积分高度为,110,格,每一分格相当于,质子数为,10/110=0.09,a,峰积分高度为,32.5格,其氢原子数为,32.5*0.09=3,同理,，,b、c,质子个数为,2,和,5,的,化学,e.,组合可能的结构式；,f.,对推出的结构进行指认。,d.,对每个峰组的峰形、,、,J,都进行分析；,如,3.03.9(,s,3H)ppm,可能为,CH,3,O,2.02.5ppm(s,3H),可能为,CH,3,CO,或,CH,3,Ph,1.01.3ppm,裂分不十分明显的强宽峰,且 0.9,ppm(3H，,高场裂分峰以肩峰形式出现),可能为,CH,3,(CH2),n,一级谱解析的一般程序,a.,信号较尖的单峰应特别注意，如,CH,3,O,CH,3,CO,CH,3,N,CH,3,CCl,3,PhCH,3,RCOCH,2,Cl,ROCH,2,CN,b.,若在6.58.5,ppm,间有强的单峰或多重峰出现，可能有芳环,c.,利用低场的质子信号解析醛基、酸基和烯醇式结构,d.,利用重水交换技术确定活泼氢,e.,要结合各种波谱综合解析,一级谱解析中应注意的问题,常见复杂谱图,7,8,一级谱解析实例（鉴别物质、推测结构）,例1：下图是两种无色的、只含,C、H,的同分异构体，试,鉴定之,解：,左图有三组质子峰，可推出有三种化学环境不同的氢,7.2,ppm（s,5H）,说明为单取代的苯,2.9,ppm（m,1H）1.2ppm（d,6H）,说明为异丙基,所以左图为异丙苯,右图两组峰，为三甲苯,例2、指出下图中质子峰的归宿（已知该物质为,PhCH,2,CH,2,OOCCH,3,）,例3、确定,C,8,H,8,O,2,的结构，,H-NMR,图如下（已知积分高度比为1：5：2）,U.N.=1+8+1/2(0-8)=5,有三组峰，单峰，11.95、7.2、3.54,ppm,该物质为苯乙酸,例4、确定,C,7,H,12,O,4,的结构，,H-NMR,图如下（已知积分高度比由低场到高场为2：1：3）,U.N.=1+7+1/2(0-12)=2,有三组峰,1.2,ppm(t,6H),存在两个乙基，3.3,ppm(s,2H),可知周围无氢，且周围有强吸电子基。,4.15,ppm(tetra,4H)，,更进一步确定有乙基，但周围也有强吸电子基，结构为丙二酸二乙酯,不同类型的质子的化学位移（,ppm）,质子类型,化学位移,质子类型,化学位移,H-C-R,0.9-1.8,H-C-NR,2.2-2.9,H-C-C=C,1.6-2.6,H-C-Cl,3.1-4.1,H-C-C=O,2.1-2.5,H-C-Br,2.7-4.1,炔氢,2.5,H-C-O-,3.3-3.7,H-C-Ar,2.3-2.8,H-NR-,1-3,H-C=C-,4.5-6.5,H-OR,0.5-5,H-Ar,6.5-8.5,HOAr,6-8,H-CO-,9-10,HOOC-,10-13,例5、定量测定正丙苯和异丙苯的含量,9,5.30,3.38,1.37,C,7,H,16,O,3，,推断其结构,6,1,例6.谱图解析与结构确定,谱图解析,结构确定,C,7,H,16,O,3，,u,=1+7+1/2(-16)=0,3.38,和,1.37,四重峰和三重峰,CH,2,CH,3,相互偶合峰,b),3.38,含有,OCH,2,结构,结构中有三个氧原子，可能具有(,OCH,2,),3,c),C,7,H,16,O,3,-C,6,H,16,O,2,=CH,d),5.3CH,上氢吸收峰，低场与电负性基团相连,正确结构：,谱图解析与结构确定,例7 化合物,C,10,H,12,O,2，,推断结构,7.3,5.21,1.2,2.3,5,H,2,H,2,H,3,H,结构确定,化合物,C,10,H,12,O,2，,u,=1+10+1/2(-12)=5,2.32,和,1.2CH,2,CH,3,相互偶合峰,7.3,芳环上氢，单峰烷基单取代,5.21CH,2,上氢，低场与电负性基团相连,哪个正确?,正确：,B,为什么?,联合谱图解析 （1）,C,6,H,12,O,1700,cm,-1,C=0,醛,酮,3000,cm,-1,-C-H,饱和烃,两种质子 1：3或3：9,-,CH,3,：-C(CH,3,),9,无裂分，无相邻质子,谱图解析（2）,C,8,H,14,O,4,1700,cm,-1,C=0,醛,酮，排除羧酸，醇，酚,3000,cm,-1,-C-H,饱和烃，无芳环,1三种质子 4：4：,.裂分，有相邻质子；,.,=1.3(6,H),两个,CH,3,裂分为3,相邻,C,有2,H;CH,3,-CH,2,-,4.,=2.5(4H),单峰,CO-CH,2,CH,2,-CO-,5.,=4.1(4H),低场(吸电子),两个-,O-CH,2,-,4,4,6,5,2,2,3,化合物,C,10,H,12,O,2,8 7 6 5 4 3 2 1 0,练习：,谱图解析与,结构确定步骤,正确结构：,=1+10+1/2(-12)=5,2.1,单峰三个氢，,CH,3,峰,结构中有氧原子，可能具有：,7.3,芳环上氢，单峰烷基单取代,3.0,4.30,2.1,3.0,和,4.30,三重峰和三重峰,OCH,2,CH,2,相互偶合峰,谱图解析,化合物,C,8,H,8,O,2，,推断其结构,9,8,7,6,5,4,3,10,结构确定过程,化合物,C,8,H,8,O,2，,=1+8+1/2(-8)=5,=7-8芳环上氢，四个峰对位取代,=,9.87,醛基上,氢，,低,=,3.87,CH,3,上,氢，低场移动，与电负性强的元素相连：,O,CH,3,正确结构：,常见氢核的化学位移表,