电力电子__第二次作业.doc

祝钟剑 712168250002
1、   使晶闸管导通及维持晶闸管导通得条件分别就是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？
答:导通:首先就是晶闸管上有一个正向偏压,再者门极加上触发信号。并且保证AK之间得电流大于晶闸管本身规定得擎住电流,也就就是必须大于这个最小导通电流值。这时候即使去掉触发信号,晶闸管也处于导通状态。
维持:维持晶闸管导通得条件就是使晶闸管得电流大于能保持晶闸管导通得最小电流,即维持电流。 
关断:关断方式为自然关断,即AK间得电流小于擎住电流,或者在晶闸管两端施加一个反偏压,则晶闸管关断
2. 如何防止电力MOSFET因静电感应引起得损坏？
答:电力MOSFET 得栅极绝缘层很薄弱,容易被击穿而损坏。MOSFET得输入电容就是低泄漏电容,当栅极开路时极易受电干扰而充上超过20得击穿电压,所以为防止MOSFET 因静电感应而引起得损坏,应注意一下几点:
（1） 一般不用时讲其三个电极短接;
（2） 装配时人体、工作台、电烙铁必须接地,测试时所有仪器外壳必须接地;
（3） 电路中,栅、源极间长并联齐纳二极管以防止电压过高;
（4） 漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。
3. 试说明IGBT、GTR、GTO与电力MOSFET各自得优缺点。
答:比较如下表:
器 件
优 点
缺 点
IGBT
开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击得能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小
开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO
GTR
耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱与压降低
开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题
GTO
电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强
电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低
电 力
MOSFET
开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题
电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW得电力电子装置
4. 单相半波可控整流电路对电感负载供电,L＝20mH,U2＝100V,求当α＝0°与60°时得负载电流Id,并画出ud与id波形。
解:α＝0°时,在电源电压u2得正半周期晶闸管导通时,负载电感L储能,在晶闸管开始导通时刻,负载电流为零。在电源电压u2得负半周期,负载电感L释放能量,晶闸管继续导通。因此,在电源电压u2得一个周期里,以下方程均成立:

考虑到初始条件:当wt＝0时id＝0可解方程得:

==22、51(A)
ud与id得波形如下图:

当α＝60°时,在u2正半周期60°~180°期间晶闸管导通使电感L储能,电感L储藏得能量在u2负半周期180°~300°期间释放,因此在u2一个周期中60°~300°期间以下微分方程成立:

考虑初始条件:当wt＝60°时id＝0可解方程得:

其平均值为
==11、25(A)
此时ud与id得波形如下图:

 5. 单相桥式全控整流电路,U2=100V,负载中R=2Ω,L值极大,反电势E=60V,当a=30°时,要求:
   a、  作出ud、id与i2得波形;
   b、  求整流输出平均电压Ud、电流Id,变压器二次侧电流有效值I2;
   c、  考虑安全裕量,确定晶闸管得额定电压与额定电流。
解:①ud、id与i2得波形如下图:

②整流输出平均电压Ud、电流Id,变压器二次侧电流有效值I2分别为
Ud＝0、9 U2 cosα＝0、9×100×cos30°＝77、97(A)
Id ＝(Ud－E)/R＝(77、97－60)/2＝9(A)
I2＝Id ＝9(A)
③晶闸管承受得最大反向电压为:
U2＝100＝141、4(V)
流过每个晶闸管得电流得有效值为:
IVT＝Id ∕＝6、36(A)
故晶闸管得额定电压为:
UN＝(2~3)×141、4＝283~424(V)
晶闸管得额定电流为:
IN＝(1、5~2)×6、36∕1、57＝6~8(A)