化学沉铜介绍.ppt

,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,孔金属化,目的：在基材表面沉积导电层，实现层间电气连接,化学沉铜（,Electroless Copper),：,lating,Through Holes,生产流程,刷板,去钻污处理 化学沉铜,刷 板,目的：1.去孔口毛刺,2.板面清洁,去钻污处理,目的:1.去除内层铜箔残留的钻污,保证结,合良好.,2.改善孔壁结构,加强结合力.,工艺流程:溶胀,去钻污 中和,溶胀(,Swelling),目的:使树脂表面膨胀,降低分子键能,利,于去钻污反应的进行.,工艺控制:温度60-80,C,时间5-10,min,去钻污(,Desmearing),目的:利用,KMnO,4,的强氧化性,将钻污除去,反应原理:,MnO,4,+C,+,OH,MnO,4,2-,+CO,2,+2H,2,O,副反应:,MnO,4,-,+,OH,-,MnO,4,2-,+O,2,+2H,2,O,MnO,4,2-,+H,2,0,MnO,2,+O,2,+2OH,-,工艺控制:温度75-85,C,时间10-20,min,中和（,Reducing),目的：将残留于孔壁的,MnO,4,-,、MnO,4,2-,、,MnO,2,还原,工艺控制：温度40-50,C,时间4-8,min,化学沉铜,工艺流程：,调整,微蚀 预浸 催化 加速 沉铜,调整（,Conditioner),目的：调整孔壁电性，利于对胶体钯的,吸附,工艺控制：温度45-55,C,时间4-8,min,微蚀（,Micro Etch),目的：1.清洁板面,2.板面形成粗糙结构,保证沉铜层,与基材铜的结合力.,反应原理:,Cu+Na,2,S,2,O,8,CuSO,4,+Na,2,SO,4,工艺控制：温度25-35,C,时间1-3,min,预浸(,Predip),目的:防止前工位处理对催化槽的污染,工艺控制：温度 常温,时间1-2,min,催化（,atalyst,）,目的：孔壁吸附沉铜反应所需的催化剂,钯胶体（,dSnCL,3,n,-,),工艺控制：温度 40-45,C,时间 4-6,min,钯胶体的水解：,d,（,SnCL,）,d+Sn(OH),2,+Sn(OH),4,+CL,-,加速（,ccelerator),目的：将钯,d,周围的,n,沉积物除去,工艺控制：温度2-3,C,时间-,min,反应,原理：,Sn(OH),2,+Sn(OH),4,+,-,Sn,2+,+Sn,4+,+H,2,O,化学沉铜（,lectroless Copper),反应原理：,Cu,2+,+2HCHO+4OH,-Pd,Cu+,2HCOO,-,+2H,2,0+H,2,反应特点：.自身催化反应.一定时间,内沉积一定厚度的铜层,工艺控制：温度-3,C,时间-,min,化学沉铜（,lectroless Copper),主要副反应：,Cu,2+,+HCHO+OH,-,Cu,O+HCOO,-,+H,2,0,Cu,O+H,2,0,Cu+,Cu,2+,+OH,-,HCHO+,OH,-,HCOO,-,+CH,3,OH,解决方法：.维持鼓气.加强过滤.周,期性维护沉铜槽,品质控制,.背光检查：要求,级,.沉铜厚度：.,um,.,去钻污厚度：.,mg/cm,2,.,层间结合：热冲击实验、金相切片,问题及设备加工能力,问题：.孔内无金属,.孔壁粗糙,.层间分离,加工能力：.加工尺寸：,“*”、,板厚,.,mm,、,板厚孔径比,：,.最大加工产能,m,2,/,月,化学沉铜工艺分类,催化剂分类：.胶体钯,d,（,SnCL,）,.离子钯,d,2+,沉铜厚度分类：.沉薄铜（,.,um,）,.,沉厚铜（,.,um,）,化学沉铜存在的缺点,.溶液中含有，废水处理难,.使用甲醛作还原剂，甲醛是致癌物,质不利于健康,.氧化还原反应，过程控制难,直接电镀,特点：.不含、等,.反应为物理吸附过程，易控制。,.工艺流程简化,.适用于水平或垂直,分类：.,d,导电金属薄层,.导电高分子材料,.炭或石墨导电层,钯系列,常见工艺流程：,（去钻污处理）,整孔 预浸 催化 加速 硫化 后处理 微蚀,供应商：,Shipley、Atotech、Blasberg,等,适用设备：水平线及垂直线,导电性高分子系列,常见工艺流程：,（去钻污处理）,整孔,KMnO,4,氧化处理 有机单体催化处理 浸酸,原理：,C+KMnO,4,CO,2,+MnO,2,MnO,2,+,吡咯 导电性聚吡咯+,Mn,2+,供应商：,Atotech、Blasberg,等,适用设备：水平线及垂直线,碳黑系列,常见工艺流程：,（去钻污处理）,清洁,整孔 黑孔化 干燥 微蚀准备 微蚀 水洗,供应商：,MacDermid、Electro-chemical,等,适用设备：水平线及垂直线,