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氮化镓作为第三代照明器件材料相较于第一代硅与第二代砷化镓在性能上有了很大提高，基于氮化镓的 Micro-LED 器件也愈发被人们所关注。然而由于在传统 c面上生长的 LED 其自身所固有的一些缺陷往往在实际应用中发.,

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1、氮化镓作为第三代照明器件材料相较于第一代硅与第二代砷化镓在性能上有了很大提高，基于氮化镓的 Micro-LED 器件也愈发被人们所关注。
然而由于在传统 c面上生长的 LED 其自身所固有的一些缺陷往往在实际应用中发.。