泵浦砷化铝镓

半导体异质结构具有良好的束缚载流子的能力与产生大功率太赫兹辐射的潜力。但由于异质结构中等离子体非相干振荡的干扰效应造成了太赫兹辐射强度的大幅度降低，因此能够在基于砷化铝镓（AlxGa1-xAs）多层异质结构.,

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1、半导体异质结构具有良好的束缚载流子的能力与产生大功率太赫兹辐射的潜力。
但由于异质结构中等离子体非相干振荡的干扰效应造成了太赫兹辐射强度的大幅度降低，因此能够在基于砷化铝镓（AlxGa1-xAs）多层异质结构.。