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矩量法脉冲函数点配法求直导体电容.doc

1、南京电子技术研究所 李宇超 脉冲函数点配法求直导体电容 姓名:李宇超 一、已知条件:任意长度L的导体,半径a (a<

2、 31.59pF 图1.4 导体电容随长度变化曲线 (2)N=20、L=3m导体电容C随半径a变化。A=0.01时,C=31.59pF。 31.59pF 图1.5 导体电容随半径变化曲线 四、结论 通过本次作业得到以下结论: 1.导体表面电荷分布以中心轴对称,两端电荷积累多,中间电荷积累少; 2.在固定导体半径时,导体电容随导体长度线性增加; 3.在固定导体长度时,导体电容随导体半径增加; 4.固定导体长度、半径,增加分段数只会改变导体电容值的精度,减小误差,不会有太大影响。 五、源代码 1. 电荷密度分析 %**********************

3、 %****电荷分布分析 作者:李宇超 %******************************************************************** clear;%清理内存 L=3; %长度为3m N=10; %分段数20 dL=L/N; a=0.01; %半径 t=4*pi*1e-9/(36*pi); % 固定参数4πε for n=1:N for m=1:N if(

4、n==m) %对角线元素计算 S(n,n)=(1/t)*log((0.5*dL+sqrt((0.5*dL).^2+a^2))/(-0.5*dL+sqrt((0.5*dL).^2+a^2))); else %非对角元素计算 S(n,m)=(1/t)/abs(m-n); end end end A=S\ones(N,1); for i=1:N %完成阶跃图形 if i==1 tao(1:(5

5、0/2))=A(i); else tao((50*i-75)+1:50*i)=A(i); end end; C=sum(A)*dL*1e12; dN=1:10; %用于下面画图 plot(dN,A','-*'); hold on; x=1:(20/999):N+1; plot(x,tao,'-g'); axis([1,10,0.95e-11,1.25e-11]); xlabel('Sections of the wire/m'),ylabel('Charge density distribution tao'); title('

6、The line charge denstiy distribution'); grid on; hold off; 2.导体电容随长度变化分析 %************************************************************************** %****直导线电容随长度变化分析 作者:李宇超 %************************************************************************** clear;clc;%清理内存 L=0.5:0.5:10; %分别分析

7、长度为1到10m的导体电线(按0.5m增加) N=20; %分段数10段 dL=L./N; a=0.01; %半径 t=4*pi*1e-9/(36*pi); % 固定参数4πε for p=1:20 %每一个导线用一页来存储 for n=1:N for m=1:N if(n==m) %对角线元素计算 S(n,n,p)=(1/t)*log((0.5*dL(p)+sqrt((0.5*dL(p)).^2+a^2))/(-0.5*dL(p)+sqrt((0.5*dL(p))

8、^2+a^2))); else %非对角元素计算 S(n,m,p)=(1/t)/abs(m-n); end end end A(:,p)=S(:,:,p)\ones(N,1); end tao=sum(A); %tao为电荷分布 C=tao.*dL*1e12; plot(L,C,'-*'); xlabel('the length of the wire/m'),ylabel('the capacitance of the wire/pF');

9、 title('Capacitance viriation with respect to length'); grid on; hold on; 3.导体电容随半径变化 %************************************************************************** %****直导线电容随半径变化分析 作者:李宇超 %************************************************************************** clc;clear; L=3;

10、 %导体长度为3m a=0.001:0.001:0.02; %半径从0.001到0.02变化, N=20; %分段数为20 dL=L/N; t=4*pi*1e-9/(36*pi); %固定参数4πε for p=1:20 %用三维存储,把不同半径放入不同的页Page, for n=1:N for m=1:N if(n==m) %计算s矩阵对角线元素 S(n,n,p)=(1/t)*log((0.5*dL+sqrt((0

11、5*dL)^2+a(p)^2))/(-0.5*dL+sqrt((0.5*dL)^2+a(p)^2))); else %计算非对角元素 S(n,m,p)=(1/t)/abs(m-n); end end end A(:,p)=S(:,:,p)\ones(N,1); end C=dL*sum(A)*1e12; %pF plot(a,C,'-*'); xlabel('the radium of the wire\m'),ylabel('the capacitance of the wire\pF'); title('Capacitance viriation with respect to radium'); grid on; hold on; 第 5 页 共 5 页

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