1、
MOSFET器件性能
参数
名称
IR第三代
IRFP460
MTW20N50E
(TYP)
IR新一代
IRFP460LC
FQL
40N50
2SK
2370
FQA24N50F
(TYP)
(V)
漏—源击穿
电压
500
500
500
500
500
500
(V)
栅源门限电压
2.0~3.0
3.0~5.0
2.5~3.5
(A)
通态漏极电流
20
20
40
20
2、24(25)
()
通态电阻
0.27
0.2
0.27
0.085
0.32
0.156
(mJ)
重复雪崩能量
28
28
1780
285
1100
(pF)
输入电容
4200
3880
3600
5800
2400
3500
(pF)
输出电容
870
452
440
880
500
520
(pF)
反向传输电容
350
96
39
95
45
55
(nC)
3、
总栅电荷
210
100
120
155
65
90
(nC)
栅--源电荷
29
44
32
37
15
23
(nC)
栅--漏Miller
电荷
110
49
78
30
52
(ns)
导通延迟时间
18
29
18
140
35
80
(ns)
上升时间
59
90
77
440
60
250
(ns)
关断延迟时间
110
97
40
4、
350
105
200
(ns)
下降时间
58
84
43
250
65
155
(V)
体二极管
正向压降
1.8
0.916
1.8
1.4
1.0
1.4
(ns)
体二极管
反向恢复时间
570
431
570
520
500
250
选用MOSFET的3个原则
反应时间：反应时间分为开启时间（）和关断时间（），开启时间等于导通延迟时间加上上升时间，即=+；关断时间等于关断延迟时间加上下降时间，即=+。以上六个型号的MOSFET中，开
5、启时间和关断时间排列
如下：
器件型号
IR第三代
IRFP460
IR新一代
IRFP460LC
MTW20N50E
(TYP)
FQL
40N50
FQA24N50F
(TYP)
2SK
2370
（ns）
77
95
119
580
320
95
（ns）
168
83
181
600
355
170
驱动功率：
P=WF=0.5CF=0.5**F*Q/U =0.5*F*QU
Q---
6、栅源电荷
U-----栅源电压
F-----驱动信号频率
因此得出结论： 驱动信号相同的情况下,驱动功率取决于Ｑ．
以上六个型号的MOSFET中，驱动功率从小到大依次为：2SK2370,FQA24N50F,IRFP460, IRFP460LC,FQL40N50,MTW20N50E．
热效应：
管子工作时，等效电阻发热，发热程度与通态电阻和通态漏极电流有关，因此必须适当选取这两个参数，以便将热效应控制在一个可以接受的范围内．
以上六种型号的MOSFET器件的通态漏极电流，等效电阻及热效应值如下：
参数
IR第三代
IRFP46
7、0
IR新一代
IRFP460LC
MTW20N50E
(TYP)
FQL
40N50
FQA24N50F
(TYP)
2SK
2370
(A)
20
20
40
24(25)
20
()
0.27
0.27
0.2
0.085
0.156
0.32
E(J)
108
108
136
90
128
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