电源设计讲座经典讲座MOSFET器件性能.doc

MOSFET器件性能

参数

名称

IR第三代
IRFP460

MTW20N50E
(TYP)

IR新一代
IRFP460LC

FQL
40N50

2SK
2370

FQA24N50F
(TYP)
(V)

漏—源击穿
电压

500

500

500

500

500

500
(V)

栅源门限电压

2.0~3.0

3.0~5.0

2.5~3.5

(A)

通态漏极电流

20

20

40

20
24(25)
()

通态电阻

0.27

0.2

0.27

0.085

0.32

0.156
(mJ)

重复雪崩能量

28

28

1780

285

1100
(pF)

输入电容

4200

3880

3600

5800

2400

3500
(pF)

输出电容

870

452

440

880

500

520
(pF)

反向传输电容

350

96

39

95

45

55
(nC)

总栅电荷

210

100

120

155

65

90
(nC)

栅--源电荷

29

44

32

37

15

23
(nC)

栅--漏Miller
电荷

110

49

78

30

52
(ns)

导通延迟时间

18

29

18

140

35

80
(ns)

上升时间

59

90

77

440

60

250
(ns)

关断延迟时间

110

97

40

350

105

200
(ns)

下降时间

58

84

43

250

65

155
(V)
体二极管
正向压降

1.8

0.916

1.8

1.4

1.0

1.4
(ns)
体二极管
反向恢复时间

570

431

570

520

500

250

选用MOSFET的3个原则
反应时间：反应时间分为开启时间（）和关断时间（），开启时间等于导通延迟时间加上上升时间，即=+；关断时间等于关断延迟时间加上下降时间，即=+。以上六个型号的MOSFET中，开启时间和关断时间排列
如下：

器件型号

IR第三代
IRFP460

IR新一代
IRFP460LC

MTW20N50E
(TYP)

FQL
40N50

FQA24N50F
(TYP)

2SK
2370

（ns）

77

95

119

580

320

95
（ns）

168

83

181

600

355

170

驱动功率：

P=WF=0.5CF=0.5**F*Q/U =0.5*F*QU
Q-----栅源电荷
U-----栅源电压
F-----驱动信号频率
因此得出结论： 驱动信号相同的情况下,驱动功率取决于Ｑ．
以上六个型号的MOSFET中，驱动功率从小到大依次为：2SK2370,FQA24N50F,IRFP460, IRFP460LC,FQL40N50,MTW20N50E．

热效应：

管子工作时，等效电阻发热，发热程度与通态电阻和通态漏极电流有关，因此必须适当选取这两个参数，以便将热效应控制在一个可以接受的范围内．
以上六种型号的MOSFET器件的通态漏极电流，等效电阻及热效应值如下：

参数

IR第三代
IRFP460

IR新一代
IRFP460LC

MTW20N50E
(TYP)

FQL
40N50

FQA24N50F
(TYP)

2SK
2370

(A)

20

20

40
24(25)

20
()

0.27

0.27

0.2

0.085

0.156

0.32

E(J)

108

108

136

90

128