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三极管的伏安特性曲线教案教学教材.doc

1、 三极管的伏安特性曲线教案 精品文档 三极管的伏安特性曲线 教学目的:1、了解三极管的输入、输出特性曲线。 2、掌握三极管的输特性和工作状态的判别。 教学重点:1、三级管的输出特性。 2、三级管的三种工作状态的判别。 教学难点:三极管的输出特性和工作状态的判别。 教学设想: 1、 教法 (1) 复习提问:复习前面小灯泡的伏安特性曲线,那么三极管的输出特性曲线与小灯泡的伏安特性曲线类似吗?那么三极管的输入特性曲线又是怎样的呢? 教学过程: 一、 情景创设,提出问题。 提出问题:复习前面小灯泡的伏安特性曲线,那么

2、三极管的输出特性曲线与小灯泡的伏安特性曲线类似吗?那么三极管的输入特性曲线又是怎样的呢? 二、 新课讲解: 三极管的伏安特性 以共发射极接法的电路来讲解三极管的输入输出特性曲线。 1、 输入特性 (1) 观察输入特性曲线 说明:ib是输入电流,Vbe是加在B、E两极间的输入电压。 共发射极三极管输入特性曲线:在Vce一定时,三极管的输入电压Vbe和输入电流Ib之间的相应数量关系。 引导学生观察: 1) Vce=0时,输入特性曲线I和二极管正向伏安特性曲线很相似。 2) Vce=2V时,输入特性曲线如图上曲线II,当Vce=3V、5V时,相应的曲线和Vce=2时的很接近,几乎

3、是重合的,因此用Vce=2V时的曲线II表示它们。 (2) 结论: Vbe很小时,Ib=0,三极管截止; Vbe大于某值时(门坎电压,硅管约0.5v,锗管约0.2v),三极管中产生Ib,开始导通; Ib在很大范围内变动,Vbe变化很小,近于常数,此数称为三极管工作时的正向压降 (硅管约0.7v,锗管约0.3V)。 因此可以用Vce=2V时的曲线来表示三极管的输入特性曲线。 2、 输出特性 三极管的输出特性曲线:在Ib一定时,三极管的输出电压Vce和输出电流Ic之间的相应数量关系。 (一个固定的IB对应一条输出特性曲线,先一条一条的讲曲线

4、然后再讲输出特性线簇,讲三种工作区域) Ic是输出电流,Vce是输出电压。 (主要让学生知道三个工作区域及其特点,这是学生第一次接触这些内容,以老师为主教授这些内容。让学生知道三个区域的特点和在这三种工作状态下发射结,集电结怎样偏置。) (1) 放大区: 1)Ic受Ib控制,Ic=Bib。且 = 2)发射结正偏、集电结反偏 3)NPN Vc>Vb>Ve PNP Ve>Vb>Ve 三极管工作在这个区域,放大信号,这就是三极管的放大特性。 (2) 饱和区: 1) Ic受Vce的控制,三极管没有放大作用。 2) 硅Uces=0.3V 锗Uces=0.1v。

5、 3) 集电极和发射极相当于短路,集电极和发射极之间的内阻最小。 4) 发射结和集电结均为正偏。 饱和时,Vce=Vces=0,相当于C、E极间“开关“被接通(ON)。 (3) 截止区: 1) Ib<0的区域,发射结电压Ube<死区电压,Ib=0,Ic=Iceo=0 Vc=Vcc。 2) 发射结和集电结均为反偏。 截止时,Ic=Iceo=0,相当于C、E极间“开关“被关断(OFF)。 总结:三极管三种工作状态: 饱和:发射结正偏,集电结正偏。 截止:发射结反偏,集电结反偏。 放大:发射结正偏,集电结反偏。 3、 三极管三种工作状态的判别 运用三极管的三种工作状态的发射

6、结集电结偏置特点,来判断三极管的工作状态。讲解a图,教授方法,然后让学生练习巩固。 方法:三极管的三种工作状态的偏置特点为:放大状态——发射结正偏,集电结反偏;饱和状态——发射结正偏,集电结正偏;截止状态——发射结反偏,集电结反偏。正偏时三极管的发射结电压为:硅管0.7V,锗管0.3V (a) PNP型三极管, 发射结:UEB=VE-VB=3V-2.3V=0.7V 正偏 集电结:UCB=VC-VB=0V-2.3V 反偏 三极管工作在放大状态。硅管。 三、 小结: 1、 三极管的输入特性曲线。 2、 三极管的三个工作区域及其特点。 3、 三极管三种工作状态的判别。 收集于网络,如有侵权请联系管理员删除

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