三极管的伏安特性曲线教案教学教材.doc

三极管的伏安特性曲线教案

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三极管的伏安特性曲线
教学目的：1、了解三极管的输入、输出特性曲线。
2、掌握三极管的输特性和工作状态的判别。
教学重点：1、三级管的输出特性。
2、三级管的三种工作状态的判别。
教学难点：三极管的输出特性和工作状态的判别。
教学设想：
1、 教法
（1） 复习提问：复习前面小灯泡的伏安特性曲线，那么三极管的输出特性曲线与小灯泡的伏安特性曲线类似吗？那么三极管的输入特性曲线又是怎样的呢？
教学过程：
一、 情景创设，提出问题。
提出问题：复习前面小灯泡的伏安特性曲线，那么三极管的输出特性曲线与小灯泡的伏安特性曲线类似吗？那么三极管的输入特性曲线又是怎样的呢？
二、 新课讲解：
三极管的伏安特性
以共发射极接法的电路来讲解三极管的输入输出特性曲线。
1、 输入特性
（1） 观察输入特性曲线
说明：ib是输入电流，Vbe是加在B、E两极间的输入电压。
共发射极三极管输入特性曲线：在Vce一定时，三极管的输入电压Vbe和输入电流Ib之间的相应数量关系。
引导学生观察：
1） Vce=0时，输入特性曲线I和二极管正向伏安特性曲线很相似。
2） Vce=2V时，输入特性曲线如图上曲线II，当Vce=3V、5V时，相应的曲线和Vce=2时的很接近，几乎是重合的，因此用Vce=2V时的曲线II表示它们。
（2） 结论：
Vbe很小时，Ib=0，三极管截止；
Vbe大于某值时（门坎电压，硅管约0.5v，锗管约0.2v），三极管中产生Ib，开始导通；
Ib在很大范围内变动，Vbe变化很小，近于常数，此数称为三极管工作时的正向压降
（硅管约0.7v，锗管约0.3V）。
因此可以用Vce=2V时的曲线来表示三极管的输入特性曲线。
2、 输出特性
三极管的输出特性曲线：在Ib一定时，三极管的输出电压Vce和输出电流Ic之间的相应数量关系。
（一个固定的IB对应一条输出特性曲线，先一条一条的讲曲线，然后再讲输出特性线簇，讲三种工作区域）
Ic是输出电流，Vce是输出电压。
（主要让学生知道三个工作区域及其特点，这是学生第一次接触这些内容，以老师为主教授这些内容。让学生知道三个区域的特点和在这三种工作状态下发射结，集电结怎样偏置。）
（1） 放大区：
1）Ic受Ib控制，Ic=Bib。且 =
2)发射结正偏、集电结反偏
3）NPN Vc>Vb>Ve
PNP Ve>Vb>Ve
三极管工作在这个区域，放大信号，这就是三极管的放大特性。
（2） 饱和区：
1） Ic受Vce的控制，三极管没有放大作用。
2） 硅Uces=0.3V 锗Uces=0.1v。
3） 集电极和发射极相当于短路，集电极和发射极之间的内阻最小。
4） 发射结和集电结均为正偏。
饱和时，Vce=Vces=0，相当于C、E极间“开关“被接通（ON）。
（3） 截止区：
1） Ib<0的区域，发射结电压Ube<死区电压，Ib=0，Ic=Iceo=0 Vc=Vcc。
2） 发射结和集电结均为反偏。
截止时，Ic=Iceo=0，相当于C、E极间“开关“被关断（OFF）。
总结：三极管三种工作状态：
饱和：发射结正偏，集电结正偏。
截止：发射结反偏，集电结反偏。
放大：发射结正偏，集电结反偏。
3、 三极管三种工作状态的判别
运用三极管的三种工作状态的发射结集电结偏置特点，来判断三极管的工作状态。讲解a图，教授方法，然后让学生练习巩固。
方法：三极管的三种工作状态的偏置特点为：放大状态——发射结正偏，集电结反偏；饱和状态——发射结正偏，集电结正偏；截止状态——发射结反偏，集电结反偏。正偏时三极管的发射结电压为：硅管0.7V，锗管0.3V
（a） PNP型三极管，
发射结：UEB=VE-VB=3V-2.3V=0.7V 正偏
集电结：UCB=VC-VB=0V-2.3V 反偏
三极管工作在放大状态。硅管。
三、 小结：
1、 三极管的输入特性曲线。
2、 三极管的三个工作区域及其特点。
3、 三极管三种工作状态的判别。

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