芯片测试规范.doc

测试规范

1. 适用范围

1.1 本规范为导入DDR芯片的测试方法和标准，，以验证和确认新物料是否适合批量生产；.

2. 目的

2.1使开发部门导入新的关键器件过程中有章可循，有据可依。

3. 可靠性测试

  6.1：如果替代料是FLASH的话，我们一般需要做10个循环的拷贝校验（我们测试工具APK设置：500M/拷贝次数/重启10次）
  6.2：如果替代料是DDR的话，我们也需要验证DDR的运行稳定性，那么也需要做循环拷贝校验（测试工具APK设置：500M/拷贝次数/重启5次）
  PS：1.拷贝次数=（FLASH可用容量*1024M/500M1
      2.DDR验证只需要验证运行稳定性，所以一般做3-5个循环就OK了，FLASH要求比较严格，一般需要做10个循环以上；
       3.考虑到FLASH压力测试超过20次以上可能会对MLC造成影响，故对于验证次数太多的机器出货前需要更换。

7.常温老化：PND我们一般跑模拟导航持续运行12H，安卓我们一般运行MP4-1080P持续老化12H，老化后需要评估休眠唤醒是否正常；

8.高低温老化：环境（60度，-10度）
     基于高低温下DDR运行稳定性或存在一定的影响，DDR替代需要进行高低温老化，我们PND一般运行模拟导航、安卓因为运行模导不太方便，就运行MP4各持续老化12H。
     从多年的经验来看，FLASH对于温度要求没有这么敏感。

9.自动重启测试：一般做50次/PCS，需要每次启动系统都能正常启动；--一般是前面恢复出厂设置有问题，异常的机器排查才会用到；

10.复位、通断电测试：这个测试属于系统破坏性测试，测试非正常操作是否存在掉程序的现象，一般做20次/PCS，要求系统能够正常启动。
1.焊接效果，如果是内部焊接的话，需要采用X-RAY评估，LGA封装的话就需要SMT制程工艺规避空洞率；

2.功能测试；

3.休眠电流、休眠唤醒测试：DDR必测项目，反复休眠唤醒最好3-5次/PCS，休眠电流大小自行定义；FLASH测不测影响不大；

4.容量检查，容量标准你们根据客户需求自行定义，当然是越大越好；--大货时这一点最好提供工具给到阿杜随线筛选；

5.恢复出厂设置：我们一般做50次/PCS，运行正常的话界面会显示50次测试完成，如果出现中途不进主界面、死机等异常现象就需要分析问题根源；

6.FLASH压力测试：这部分需要分开来说明

4. 测试环境

u 温度：25±2℃
u 湿度：60%~70%；
u 大气压强：86kPa ~106kPa。

5. 测试工具

u 可调电源（最好能显示对应输出电流）
u 可调电子负载
u 示波器
u 万用表

6. 测试参数

表1 电源芯片测试参数
待测参数
必测项
选测项
测试方法简要说明
输入电压范围
√

1） 调节电子负载，保证电源芯片满载工作；
2） 调节可调电源输出为下限值VIN_MIN，记录此时对应输出电压，记为V1
3） 调节可调电源输出为下限值VIN_MAX，记录此时输出电压，记为V2
4） 电源芯片额定输出为V0
5） 分别计算{|V1-V0|/V0}×100％，{|V2-V0|/V0}×100％，判断此时的输出是否满足精度要求
输出精度
√

记录电源芯片所有可能的输出电压最大值、最小值，进行计算

纹波及噪声
√

如图2所示，测试时，在输入端磁片电容两侧焊接两“牛角”引线，示波器探头去掉负端夹子，将示波器探针和负端金属环直接贴在磁片电容的两“牛角”上。
开关频率
√

测试纹波的同时，记录相应的纹波频率，即为开关频率
电压调整率
√

1）设置可调电子负载，使电源满载输出；
2）调节电源芯片输入端可调电源的电压，使输入电压为下限值，记录对应的输出电压U1；
3）增大输入电压到额定值，记录对应的输出电压U0；
4）调节输入电压为上限值，记录对应的输出电压U2；
5〕按下式计算：
电压调整率={(U- U0)/U0}×100％
式中：U为U1 和U2中相对U0变化较大的值；
负载调整率
√

1）输入电压为额定值，输出电流取最小值，记录最小负载量的输出电压U1；
2）调节负载为50%满载，记录对应的输出电压U0；
3）调节负载为满载，记录对应的输出电压U2；
4）负载调整率按以下公式计算：
负载调整率={(U- U0)/U0}×100％
式中：U为U1 和U2中相对U0变化较大的值；
电源效率

√
电源效率随负载大小变化，如图3所示。
25℃、80%负载情况下电源效率测试方法如下：
1） 调节电子负载，保证输出电流为80%满载情况；此时对应的输出电压记为U0，电流记为I0；
2） 调节输入端可调电源，保证给电源芯片提供额定输入电压U1，并记录此时可调电源的输出电流，记为I1；
3） 电源效率按以下公式计算：
电源效率={(U0×I0)/(U1×I1)}×100％
输出最大功率

√
该参数与环境温度有关，如图4所示。
该测试可借助高温环境实验进行
空载对应芯片功耗

√
电源输出端为空载时，记录此时对应可调电源对应的电压、对应电流，分别记为U、I，则：
空载功耗=U×I；
隔离电压

√
只针对隔离DC/DC
隔离电阻

√
只针对隔离DC/DC
芯片最大温升
（结温）

√
如果手册给出芯片结-壳之间热阻系数θJC：
1） 将温度传感器或点温计贴于待测电源芯片壳体表面；

2） 调节电子负载，保证满载输出，假定此时对应的输出功率为P0；
3） 待电源芯片工作稳定后，读出对应芯片壳体表面温度，记为T0；
4） 则芯片结温=T0+ P0×θJC;
如果手册给出的是芯片结-环境之间的热阻系数θJA：
1） 调节电子负载，保证满载输出，假定此时对应的输出功率为P0；
2） 记录测试现场对应环境温度，记为T0;
3） 则芯片结温= T0+ P0×θJA

比较计算所得芯片结温（T1）与该电源芯片所允许最大结温（T2），设公司要求的此类电源温度降额为T3，则验证T2-T1>T3?
工作环境温度

√
借助高、低温实验进行，观察在高温、低温环境下，电源对应的输出是否满足相应精度要求
存储环境温度

√
借助环境实验进行，在进行存储之后，电源对应的输出是否满足相应精度要求

图2 电源纹波测试

图3 电源效率曲线

图4 输出功率曲线

——以下无正文