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电子线路期末试卷及答案.doc

1、一 判断题(答案填在表格中,对的打,错的打)(210)12345678910(1)在半导体内部,只有电子是载流子。(2)在N型半导体中,多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。(3)一般来说,硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。(4)在外电场作用下,半导体中同时出现电子电流和空穴电流。(5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流ICQ选得偏低。 (6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时,插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极,另一电极是负极。(7)三极管放大电路工作时,电路中同时存在直流分量和交流分量;直流分量表示静态工作

2、点,交流分量表示信号的变化情况。(8)在单管放大电路中,若VG不变,只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。(9)两个放大器单独使用时,电压放大倍数分别为Av1、Av2,这两个放大器连成两级放大器后,总的放大倍数为Av,Av= Av1+Av2。(10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时,反向电流极小;当反向电压大于反向击穿电压后,反向电流会迅速增大。二选择题(210)12345678910(1)当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是( )。 A少数载流子 B多数载流子 C既有少数载流子又有多数载流子(2)在共发射极单管低频电压放大电路中,输出电压应视为( )。AvoicR

3、c Bvo -Rcic Cvo -IcRc(3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把欧姆挡拔到( )。AR100或R1000挡 BR1 CR10K挡 (4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区,而且所受正向电压大于其门槛电压时,则晶体二极管相当于()。A大电阻 B断开的开关 C接通的开关(5)晶体三极管工作在饱和状态时,它的IC将( )。A随IB增加而增加 B随IB增加而减小 C与IB无关,只决定于RC和VG(6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( )。A同相位 B相位差90 C相位差180(7)NPN型三极管放大电路中,当集电极电流增大时,则晶体三极管(

4、 )。A基极电流不变; B集电极对发射极电压VCE下降; C集电极对发射极电压VCE上升(8)当晶体三极管发射结反偏时,则晶体三极管的集电极电流将( )。A增大 B反向 C中断(9)在基本放大电路中,基极电阻RB的作用是( )。A放大电流 B调节偏置电流IBQC把放大了的电流转换成电压; D防止输入信导被短路。(10)三极管的两个PN结都反偏时,则三极管所处的状态是( )。A.放大状态B.饱和状态C.截止状态三填充题 (210)(1)晶体三极管IE、IB、IC之间的关系式是_,ICIB的比值叫_。(2)PN结具有_性能,即:加_电压时PN结导通;加_电压时PN结截止。(3)当晶体二极管导通后,

5、则硅二极管的正向压降为_V,锗二极管的正向压降为_V。 (4)NPN型晶体三极管的发射区是_型半导体,集电区是_型半导体,基区是_型半导体。(5)晶体二极管因所加_电压过大而_,并且出现_的现象,称为热击穿。(6)某固定偏置放大器中,实测得三极管集电极电位VCVG,则该放大器的三极管处于_工作状态。 (7)晶体三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而增大,由于锗三极管的穿透电流比硅三极管_,所以热稳定性_三极管较好。(8)一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_。(9)放大器的静态是指_时的工作状态。(10)共发射极电路的输出电压与输入电压有_的相位关系,所以该电路有时被称为_。四问

6、答题 (210)(1)两个稳压二极管,稳压值分别为7V和9V,将它们组成图所示两种电路,设输入端电压V1值是20V,求各电路输出电压V2的值是多少? (2)图所示出各三极管的每个电极对地的电位。试判别各三极管处于何种工作状态(NPN管为硅管,PNP管为锗管)。五计算题 (20)如图所示单管放大电路中,设晶体管的40,rbe1.4k。估算电路的静态工作点IBQ、ICQ、VCEQ;估算放大倍数。一判断题(答案填在表格中,对的因,错的因)(210)12345678910二选择题(将正确答案填人表格内) (210)12345678910CBACCCBCBC三填空题(120)1. IE=IB+IC,交流

7、电流放大系数2. 单向导电性,正偏,反偏3. 0.7V,0.3V4. N,N,P5. 反向,击穿,烧毁6. 饱和7. 大得多,硅8. 增大9. 没有输入信号10. 倒向,反相器四问答题 (210)(1)(a)7V(b)16V(2)(a)放大状态(b)截止状态(c)截止状态(d)饱和状态五计算题 (20)解:(1)IBQ=(VG-VBEQ)/Rb=(12-0.7)V/400K28uAICQ=IBQ=40*28uA1.1mAVCEQ= VG-ICQRc=12V-1.1*5,1V6.4V(2)Av-Rc/rbe=-40*5.1/1.4-146 (注:文档可能无法思考全面,请浏览后下载,供参考。可复制、编制,期待你的好评与关注)

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