电子线路期末试卷及答案.doc

一． 判断题(答案填在表格中，对的打√，错的打×)（2’×10）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

(1)在半导体内部，只有电子是载流子。
(2)在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
(3）一般来说，硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。
(4)在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
(5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流ICQ选得偏低。
(6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。
(7)三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。
(8)在单管放大电路中，若VG不变，只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。
(9)两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为Av1、Av2，这两个放大器连成两级放大器后，总的放大倍数为Av，Av= Av1+Av2。
(10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。

二．选择题（2’×10）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

(1)当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是( )。
A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子
(2)在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为( )。
A．vo＝icRc B．vo ＝-Rcic C．vo ＝-IcRc
(3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到( )。
A．R×100Ω或R×1000Ω挡 B．R×1Ω C．R×10KΩ挡
(4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于()。
A．大电阻 B．断开的开关 C．接通的开关
(5)晶体三极管工作在饱和状态时，它的IC将( )。
A．随IB增加而增加 B．随IB增加而减小 C．与IB无关，只决定于RC和VG
(6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( )。
A．同相位 B．相位差90° C．相位差180°
(7)NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管( )。
A．基极电流不变； B．集电极对发射极电压VCE下降； C．集电极对发射极电压VCE上升
(8)当晶体三极管发射结反偏时，则晶体三极管的集电极电流将( )。
A．增大 B．反向 C．中断
（9）在基本放大电路中，基极电阻RB的作用是( )。
A．放大电流 B．调节偏置电流IBQ
C．把放大了的电流转换成电压； D．防止输入信导被短路。
（10）三极管的两个PN结都反偏时，则三极管所处的状态是（ ）。
A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态

三．填充题 （2’×10）
(1)晶体三极管IE、IB、IC之间的关系式是__________________，△IC／△IB的比值叫____________________。
(2)PN结具有____________________性能，即：加____________________电压时PN结导通；加_______________电压时PN结截止。
(3)当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为_________V，锗二极管的正向压降为__________V。
(4)NPN型晶体三极管的发射区是____________型半导体，集电区是____________型半导体，基区是____________型半导体。
(5)晶体二极管因所加_______________________电压过大而__________________，并且出现__________________的现象，称为热击穿。
(6)某固定偏置放大器中，实测得三极管集电极电位VC≈VG，则该放大器的三极管处于________________________工作状态。
(7)晶体三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而增大，由于锗三极管的穿透电流比硅三极管_____________，所以热稳定性____________三极管较好。

(8)一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_________________________。
(9)放大器的静态是指_____________________________时的工作状态。
(10)共发射极电路的输出电压与输入电压有_____________________的相位关系，所以该电路有时被称为_________________________。

四．问答题 (2×10’)
(1)两个稳压二极管，稳压值分别为7V和9V，将它们组成图所示两种电路，设输入端电压V1值是20V，求各电路输出电压V2的值是多少?

(2)图所示出各三极管的每个电极对地的电位。试判别各三极管处于何种工作状态(NPN管为硅管，PNP管为锗管)。

五．计算题 (20’)
如图所示单管放大电路中，设晶体管的β＝40，rbe＝1.4kΩ。
①估算电路的静态工作点IBQ、ICQ、VCEQ；
②估算放大倍数。

一．判断题(答案填在表格中，对的因√，错的因×)（2’×10）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
×
×
×
√
×
×
√
×
×
√

二．选择题(将正确答案填人表格内) （2’×10）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
C
B
A
C
C
C
B
C
B
C

三．填空题（1’×20）
1. IE=IB+IC，交流电流放大系数β
2. 单向导电性，正偏，反偏
3. 0.7V，0.3V
4. N，N，P
5. 反向，击穿，烧毁
6. 饱和
7. 大得多，硅
8. 增大
9. 没有输入信号
10. 倒向，反相器
四．问答题 (2×10’)
（1）（a）7V
(b)16V
(2)(a)放大状态
（b）截止状态
（c）截止状态
（d）饱和状态
五．计算题 (20’)
解：(1)
IBQ=(VG-VBEQ)/Rb=(12-0.7)V/400KΩ≈28uA
ICQ=βIBQ=40*28uA≈1.1mA
VCEQ= VG-ICQRc=12V-1.1*5,1V≈6.4V
(2)Av≈-βRc/rbe=-40*5.1/1.4≈-146

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