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电容屏TP生产流程.ppt

1、TPTP厂实习报告厂实习报告 转眼间,两周的转眼间,两周的TPTP厂实习就画上了句号。在这里,我将自己厂实习就画上了句号。在这里,我将自己所学到的东西整理如下:所学到的东西整理如下:一、了解一、了解TPTP厂生产车间流程厂生产车间流程 五、五、ICIC学习学习二、项目评估二、项目评估 六、实习总结六、实习总结三、三、TPTP行业专业术语行业专业术语四、四、ITOITO布线规则布线规则一、TP厂生产车间流程film膜片的裁剪老化(缩水)丝印蚀刻膏清洗(超声波)烘烤印正面保护膜印银浆烘干贴OCA胶上ACF胶预压FPC热压机压合pin脚G+F生产流程(如下)拆除好的物料FPC并清洁OCA光学胶的裁剪

2、激光烧掉不用的银浆膜和OCA裁剪成小片接上检测不良品,擦拭,贴正面保护膜二次功能测试OQC抽 检贴泡棉包装发往客户G+F+F生产流程与G+F大致相同检测热压位银浆是否断线半成品功能测试点硅胶目测CG,擦拭,去除不良品,斯sensor膜,贴CG升温、升压进行脱泡okokokNOOK 二、项目评估客 户供应商2D图纸功能要求:高中端机、ic的选定,特殊要求(触摸唤醒、电容笔、三防)客户根据自身工艺和布线方式OKNO客户另寻供应商客户提供立项 信 息 表项目开发供应商出物料图纸:盖板、网板、背胶、保护膜、FPC、泡棉做样品三防:防水、防尘、防摔修改的2D图纸三、专业术语 互电容:一般由双层ITO构成

3、上层ITO做接收电极RX使用,下层做发射电极TX使用。共膜干扰:两个信号之间或一个信号与地线之间的干扰。寄生电容:本来在那个地方没有设计电容,但由于布线之间总是有互容,互容就像是寄生在布线间的一样,即寄生电容。信噪比:放大器的输出信号电压与同时输出的噪声电压比。ACF胶:异向性导电膜,其材质是胶质内部有一颗颗的导电粒子,在上下受压力时,上下之间的导电粒子会破裂,形成电路导通。VDD:器件内部的工作电压。VCC:电路的供电电压。VSS:电路公共接地端电压。容抗:在交流的闭合回路中,电容有阻碍交流通过的能力。阻抗:交流通过电阻、电感、电容的闭合回路时,它们有阻碍交流通过的能力。PAD:pin脚

4、PG:地线 PITCH:工作单元的高度 PMMA:有机玻璃 四、ITO布线规则 1、在了解ITOITO布线规则布线规则之前,我先学习了TP的原理 及结构(1)电容触摸屏TP的原理:自容:当手指触摸屏幕时,带走部分电荷,从而引起电容的变化。在此过程当中,电极与大地形成电容电极与大地形成电容,导致电荷的回流,形成通路。电路就是通过检测电容的变化来计算坐标,来触发相对应的事件,达到触摸的功能。(容易产生鬼点,屏幕相当于一个直角坐标系。)互容:当手指触摸屏幕时,带走部分电荷,从而引起电容的变化。在此过程当中,电极与电极之间形成电容电极与电极之间形成电容,导致电荷的回流,形成通路。电路就是通过检测电容的

5、变化来计算坐标,来触发相对应的事件,达到触摸的功能。(不会产生鬼点,触摸屏相当于一个二维空间。)i(2)电容触摸屏TP的结构:COVER LENSOCASENSOR盖板光学胶功能片G+FCOVER LENSOCASENSOROCASENSORG+F+F2、ITO布线规则 a:COVER VA 与TP AA之间的距离,一般为0.5mm;b:TP AA 与搭载Ag 上边缘的距离,一般为0.2mm;c:ITO与Ag连接区,一般为0.5mm;d:ITO与最近一条Ag走线至少保持在0.30mm;e:两耐酸之间的距离,最小不应小于0.30mm;f:搭载银浆与ITO接触宽度:至少为0.30mm;g:Ag 线

6、宽,0.090.15mm,一般为0.10mm;接上h:Ag线距,0.090.20mm,一般为0.10mm;i:Shield线宽,一般为m的2倍,为0.2mm;j:Shield线与OD之间的距离,0.400.80mm,一般为0.50mm;r:FPC内边缘到银浆内侧的距离,至少为0.20mm;s:FPC压合宽度,一般为1.72.0mm;t:银浆外侧到TP OD的距离,至少保为0.20mm。u:压合区域银浆点宽度,一般为0.40.5mm;v:银浆点间距,一般为0.81.0mm;接上w:上下线银浆压合两区域之间的距离,至少为1.5mm;x:热压机压合区域,需查看现有热压头尺寸,尽量可共用;y:上下线银

7、浆走线间距,一般为0.25mm;TP ODTP AACover VAbadfceTP ODShieldghij图wxyTP ODFPC ODrst金手指uv3、设计过程中注意的事项:a、ITO图案及走线与金属走线设计时需要导成圆角b、按键必须设计成独立按键c、当按键区附近有GSM天线时,金属走线应尽量远离天线区d、外围PG线在按键区要断开4、屏体电气设计规则:a、单个sensor通道电阻要求:S=20K欧姆b、sensor通道对地电容要求:S=80PFc、背面ITO屏蔽层:不需要d、环地电阻:Rg=200欧姆五、IC学习六、实习总结 短短两周的TP厂实习时间到今天礼拜六就告别了。在此间,我不仅

8、了解了TP厂的生产工艺、过程及设计规范,而且还利用此时间学习了TP相关方面的知识。在这里,我将这两周来所学习的东西总结如下:1、对G+F(G+F+F)的生产流程进行了一个全面的了解,每个工位的具体工作情况以及细节注意事项都比较熟悉。2、与结构工程师学习,熟悉了TP的相关专业知识,并且为我解答了不少疑问,使我对TP的相关设计也有了初步的了解。3、平时,试着与结构工程师跟TP案子,在此过程当中,对供应商2D图纸的评估流程也清晰明了。与此同时,也对屏体和IC的走线规则及布线方式进行了理解。4、常用的几家IC厂商芯片产品以及程序的烧录也有了相应的了解。5、对TP的结构、功能理解也加深了,以前只是初步的了解。现在对其小部件的认识与功能、工作原理有了进一步的理解。

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