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1、 光电耦合器 TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等 电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。 东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。 该TLP521－2提供了两个孤立的 光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装 集电极-发射极电压： 55Ｖ（最小值） 经常转移的比例： 50 ％（最小） 隔离电压： 2500 Vrms （最小） 图1 TLP
2、521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图 图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图 Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值(Ta = 25℃) Characteristic 参数 Symbol 符号 Rating 数值 Unit 单位 TLP521−1 TLP521−2 TLP521−4 LED Forward current 正向电流 IF 70 50 mA Forward current derating 正向电流减率 ΔIF/℃ −0.93(Ta≥50℃) −0.5(Ta≥25℃) mA/℃
3、 Pulse forward current 瞬间正向脉冲电流 IFP 1 (100μ pulse, 100pps) A Reverse voltage 反向电压 VR 5 V Junction temperature 结温 Tj 125 ℃ 接 收 侧 Collector−emitter voltage 集电极发射极电压 VCEO 55 V Emitter−collector voltage 发射极集电极电压 VECO 7 V Collector current 集电极电流 IC 50 mA Collector power dissipat
4、ion (1 circuit) 集电极功耗 PC 150 100 mW Collector power dissipation derating (1 circuit Ta ≥ 25℃) 集电极功耗减率 ΔPC/℃ −1.5 −1.0 mW/℃ Junction temperature 结温 Tj 125 ℃ Storage temperature range 储存温度范围 Tstg −55~125 ℃ Operating temperature range 工作温度范围 Topr −55~100 ℃ Lead soldering temperatu
5、re 无铅焊接温度 Tsol 260 (10 s) ℃ Total package power dissipation整体功耗 PT 250 150 mW Total package power dissipation derating (Ta≥25℃) 整体功耗减率 ΔPT/℃ −2.5 −1.5 mW/℃ Isolation voltage 隔离电压 BVS 2500(AC,1Min 最小, R.H.≤60%) Vrms 注：使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。 Recommend
6、ed Operating Conditions建议操作条件 Characteristic 参数 Symbol 符号 Min 最小 Typ 典型 Max 最大 Unit 单位 Supply voltage 电源电压 VCC ― 5 24 V Forward current 正向电流 IF ― 16 25 mA Collector current 集电极电流 IC ― 1 10 mA Operating temperature 操作温度 Topr −25 ― 85 ℃ 型号 Classi− fication (*1)分级标准 C
7、urrent Transfer Ratio (%)(IC/IF) 经常转移率 (%)(IC/IF) Marking Of Classification 标志的分类 IF = 5mA, VCE = 5V, Ta = 25℃ 最小 最大 TLP521 A 50 600 Blank, Y, Y, G, G, B, B, GB Rank Y 50 150 Y, Y Rank GR 100 300 G, G Rank BL 200 600 B, B Rank GB 100 600 G, G, B, B, GB TLP521−2 TLP521−4
8、A 50 600 Blank, GR, BL, GB Rank GB 100 600 GR, BL, GB *1: Ex. rank GB: TLP521−1 (GB) (Note): Application type name for certification test, please use standard product type name, i.e. TLP521−1 (GB): TLP521−1, TLP521−2 (GB): TLP521−2 Individual Electrical Characteristic 单独的电气特性参数 (Ta = 25℃)
9、 Characteristic 参数 Symbol 符号 Test Condition 测试条件 Min 最小 Typ 典型 Max 最大 Unit 单位 LED Forward voltage 正向电压 VF IF = 10mA 1.0 1.15 1.3 V Reverse current 反向电流 IR VR = 5V — — 10 μA Capacitance 电容 CT V=0, f =1MHz — 30 — pF 接收侧 Collector−emitter breakdown voltage 集电极发射极击穿电压 V(B
10、R) CEO IC = 0.5mA 55 — — V Emitter−collector breakdown voltage 发射极集电极击穿电压 V(BR) ECO IE = 0.1mA 7 — — V Collector dark current 集电极暗电流 ICEO VCE = 24V — 10 100 nA VCE=24V,Ta=85℃ — 2 50 μA Capacitance (collector to emitter) 电容（集电极到发射极） CCE V =0, f =1MHz — 10 — pF Coupled
11、Electrical Characteristic 耦合电气特性参数s (Ta = 25℃) Characteristic 参数 Symbol 符号 Test Condition 测试条件 Min 最小 Typ 典型 Max 最大 Unit 单位 Current transfer ratio 经常转移的比率 IC/IF IF=5mA, VCE =5V Rank GB 50 — 600 % 100 — 600 Saturated CTR 饱和率 IC/IF (sat) IF=1mA, VCE=0.4V Rank GB — 60 — % 30
12、— — Collector−emitter saturation voltage 集电极-发射极饱和电压 VCE (sat) IC = 2.4 mA, IF = 8 mA — — 0.4 V IC=0.2mA, IF=1mA Rank GB — 0.2 — — — 0.4 Isolation Characteristic 耦合电气特性参数 (Ta = 25℃) Characteristic 参数 Symbol 符号 Test Condition 测试条件 Min 最小 Typ 典型 Max 最大 Unit 单位 Capacitance(input
13、 to output)电容（输入输出） CS VS = 0, f = 1 MHz — 0.8 — pF Isolation resistance 隔离电阻 RS VS = 500 V, R.H.≤ 60% — 1011 — Ω Isolation voltage 隔离电压 BVS AC, 1 Min 最小ute 2500 — — Vrms AC, 1 second, in oil — 5000 — DC, 1 Min 最小ute, in oil — 5000 — Vdc Switching Characteristic 开关特性参数
14、Ta = 25℃) Characteristic 参数 Symbol 符号 Test Condition 测试条件 Min 最小 Typ 典型 Max 最大 Unit 单位 Rise time 上升时间 tr VCC=10V IC=2mA RL=100Ω — 2 — μs Fall time下降时间 tf — 3 — Turn−on time 开启时间 ton — 3 — Turn−off time 关断时间 toff — 3 — Turn−on time 开启时间 tON RL = 1.9kΩ (Fig.1) VCC =
15、5V, IF = 16mA — 2 — μs Storage time 存储时间 ts — 15 — Turn−off time 关断时间 tOFF — 25 — 图3 TLP521-1 封装图 图4 TLP521-2 封装图 图5 TLP521-4 封装图 图6 开关时间测试电路 特性曲线图： 应用电路： 图7 打开或关闭12V直流电动机的TTL控制信号输入电路图 74HC04 特性: · 缓冲输入 · 传输延迟(典型值): 6ns at VCC = 5V, CL = 15pF, TA =
16、 25°C · 扇出（驱动）能力： (在温度范围内) - 标准输出 . . . . . . . . . . . . . . . 10 LSTTL Loads - 总线驱动 . . . . . . . . . . . . . . . 15 LSTTL Loads · 宽工作温度范围 . . . –55°C to 125°C · 对称的传输延迟和转换时间 · 相对于LSTTL逻辑IC，功耗减少很多 · HC Types - 工作电压：2V到6V - 高抗扰度: NIL = 30%, NIH= 30% of VCC at VCC = 5V · HCT Types -
17、 工作电压：4.5V到5.5V - 兼容直接输入LSTTL逻辑信号, VIL= 0.8V (Max), VIH = 2V (Min) - 兼容CMOS逻辑输入, Il 1μA at VOL, VO 该74HC04/74HCT04是高速CMOS器件，低功耗肖特基的TTL(LSTTL)电路 。 功能作用：六反相器 图1 引脚图功能 图2 逻辑图 图3 7404真值表 最大额定值 电源电压 -0.5 to +7.0V DC输入电压 -1.5 to Vc
18、c+1.5V 直流输出电压 -0.5 to Vcc+0.5V 钳位二极管电流 ±20mA 直流输出电流，每个引脚（输出） ±25mA 功耗 600mW 建议操作条件: Operating Conditions操作条件 最小 最大 单位 Supply Voltage电源电压(VCC) 2 6 V DC输入或输出电压（输入电压，输出电压） 0 VCC V Operating Temp. Range (TA) 工作温度 MM74HC -40 +85 ℃ MM54HC -55 +125 ℃ Input Ris
19、e or Fall Times输入上升或下降时间 (tr,tf) VCC=2.0V 1000 ns VCC=4.5V 500 ns VCC=6.0V 400 ns 直流电气特性 Symbol 符号 Parameter 参数 Conditions 条件 VCC TA=25℃ 74HC TA=-40 to 85℃ 54HC TA=-55 to 125℃ 单位 典型 Guaranteed Limits 保证极限 VIH 输入高电平电压 2.0V 1.5 1.5 1.5 V
20、 4.5V 3.15 3.15 3.15 6.0V 4.2 4.2 4.2 VIL 输入低电平电压 2.0V 0.5 0.5 0.5 V 4.5V 1.35 1.35 1.35 6.0V 1.8 1.8 1.8 VOH 输出高电平电压 VIN=VIL 丨IOUT丨≤20 μA 2.0V 2.0 1.9 1.9 1.9 V 4.5V 4.5 4.4 4.4 4.4 6.0V 6.0 5.9 5.9 5.9 VIN=VI
21、L 丨IOUT丨≤4.0 mA 丨IOUT丨≤5.2 mA 4.5V 4.2 3.98 3.84 3.7 V 6.0V 5.7 5.48 5.34 5.2 VOL 输出低电平电压 VIN=VIH 丨IOUT丨≤20 μA 2.0V 0 0.1 0.1 0.1 V 4.5V 0 0.1 0.1 0.1 6.0V 0 0.1 0.1 0.1 VIN=VIH 丨IOUT丨≤4.0 mA 丨IOUT丨≤5.2 mA 4.5V 0.2 0.26 0.33 0.4 V 6.0V
22、 0.2 0.26 0.33 0.4 IIN 最大输入电流 VIN=VCC or GND 6.0V ±0.1 ±1.0 ±1.0 μA ICC 电源电流 VIN=VCC or GND IOUT=0 μA 6.0V 2.0 20 40 μA 交流电气特性: Symbol 符号 Parameter 参数 条件 典型 Guaranteed Limit 保证极限 单位 tPHL,tPLH 最高传播延迟时间 8 15 ns AC Electrical Characterist
23、ics VCCe2.0V to 6.0V, CLe50 pF, tretfe6 ns (unless otherwise specified)交流电气特性: Symbol 符号 Parameter 参数 Conditions条件 VCC TA =25℃ TA eb40 to 85℃ TA eb55 to 125℃ 单位 典型 保证界限 tPHL,tPLH 最大传输延迟时间 2.0V 55 95 120 145 ns 4.5V 11 19 24 29 6.0V 9 16 20 24 tTLH,t
24、THL Maximum Output Rise and Fall Time最大输出上升和下降时间 2.0V 30 75 95 110 ns 4.5V 8 15 19 22 6.0V 7 13 16 19 CPD Power Dissipation Capacitance (Note 5)功耗电容 (per gate) 20 pF CIN 最大输入电容 5 10 10 10 pF 应用电路： 图4 CMOS 相反器构成震荡电路 图5 利用三个反向器组成一个clock 的振荡器电路
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