资源描述
一、填空題（30分=1分*30）10題/章
晶圆制备
1． 用来做芯片的高纯硅被称為（ 半导体级硅 ），英文简称（ GSG ），有時也被称為（ 電子级硅 ）。
2． 單晶硅生長常用（ CZ法 ）和（ 区熔法 ）两种生長方式，生長後的單晶硅被称為（ 硅锭 ）。
3． 晶圆的英文是（ wafer ），其常用的材料是（ 硅 ）和（ 锗 ）。
4． 晶圆制备的九個工艺环节分别是（ 單晶生長 ）、整型、（ 切片 ）、磨片倒角、刻蚀、（ 抛光 ）、清洗、检查和包装。
5． 從半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（ 100 ）、（110 ）和（111 ）。
6． CZ直拉法生長單晶硅是把（ 融化了的半导体级硅液体 ）变為（ 有對的晶向的 ）并且（ 被掺杂成p型或n型 ）的固体硅锭。
7． CZ直拉法的目的是（ 实現均匀掺杂的同步并且复制仔晶的构造，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中 ）。影响CZ直拉法的两個重要参数是（ 拉伸速率 ）和（ 晶体旋转速率 ）。
8． 晶圆制备中的整型处理包括（ 去掉两端 ）、（ 径向研磨 ）和（ 硅片定位边和定位槽 ）。
9． 制备半导体级硅的過程：1（ 制备工业硅 ）；2（ 生長硅單晶 ）；3（ 提纯）。
氧化
10． 二氧化硅按构造可分為（ ）和（ ）或（ ）。
11． 热氧化工艺的基本设备有三种：（ 卧式炉 ）、（ 立式炉 ）和（ 迅速热处理炉 ）。
12． 根据氧化剂的不一样，热氧化可分為（ 干氧氧化 ）、（ 湿氧氧化 ）和（ 水汽氧化 ）。
13． 用于热工艺的立式炉的重要控制系统分為五部分：（ 工艺腔 ）、（ 硅片传播系统 ）、气体分派系统、尾气系统和（ 温控系统 ）。
14． 选择性氧化常見的有（ 局部氧化 ）和（ 浅槽隔离 ），其英語缩略語分别為LOCOS和（ STI ）。
15． 列出热氧化物在硅片制造的4种用途：（ 掺杂阻挡 ）、（ 表面钝化 ）、場氧化层和（ 金属层间介质 ）。
16． 可在高温设备中進行的五种工艺分别是（ 氧化 ）、（ 扩散 ）、（ ）、退火和合金。
17． 硅片上的氧化物重要通過（ 热生長 ）和（ 淀积 ）的措施产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物重要為层状构造，因此又称為（ 薄膜 ）。
18． 热氧化的目的是按照（ ）规定生長（ ）、（ ）的二氧化硅薄膜。
19． 立式炉的工艺腔或炉管是對硅片加热的場所，它由垂直的（ 石英工艺腔 ）、（ 加热器 ）和（ 石英舟 ）构成。
淀积
20． 目前常用的CVD系统有：（ APCVD ）、（ LPCVD ）和（ PECVD ）。
21． 淀积膜的過程有三個不一样的阶段。第一步是（ 晶核形成 ），第二步是（ 聚焦成束 ），第三步是（ 汇聚成膜 ）。
22． 缩略語PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（ 等离子体增强化學气相淀积 ）、（ 低压化學气相淀积 ）、高密度等离子体化學气相淀积、和（ 常压化學气相淀积 ）。
23． 在外延工艺中，假如膜和衬底材料（ 相似 ），例如硅衬底上長硅膜，這样的膜生長称為（ 同质外延 ）；反之，膜和衬底材料不一致的状况，例如硅衬底上長氧化铝，则称為（ 异质外延 ）。
24． 假如淀积的膜在台阶上過度地变薄，就轻易导致高的（ 膜应力 ）、（ 電短路 ）或者在器件中产生不但愿的（ 诱生電荷 ）。
25． 深宽比定义為间隙得深度和宽度得比值。高的深宽比的經典值不小于（ ）。高深宽比的间隙使得难于淀积形成厚度均匀的膜，并且會产生（ ）和（ ）。
26． 化學气相淀积是通過（ ）的化學反应在硅片表面淀积一层（ ）的工艺。硅片表面及其邻近的区域被（ ）来向反应系统提供附加的能量。
27． 化學气相淀积的基本方面包括：（ ）；（ ）；（ ）。
28． 在半导体产业界第一种类型的CVD是（ ），其发生在（ ）区域，在任何給定的時间，在硅片表面（ ）的气体分子供发生反应。
29． HDPCVD工艺使用同步淀积和刻蚀作用，其表面反应分為：（ ）、（ ）、（ ）、热中性CVD和反射。
金属化
30． 金属按其在集成電路工艺中所起的作用，可划分為三大类：（ ）、（ ）和（ ）。
31． 气体直流辉光放電分為四個区，分别是：無光放電区、汤生放電区、辉光放電区和電弧放電区。其中辉光放電区包括前期辉光放電区、（ ）和（ ），则溅射区域选择在（ ）。
32． 溅射現象是在（ ）中观测到的，集成電路工艺中运用它重要用来（ ），還可以用来（ ）。
33． 對芯片互连的金属和金属合金来說，它所必备某些规定是：（ 导電率 ）、高黏附性、（ 淀积 ）、（ 平坦化 ）、可靠性、抗腐蚀性、应力等。
34． 在半导体制造业中，最早的互连金属是（ 铝 ），在硅片制造业中最一般的互连金属是（ 铝 ），即将取代它的金属材料是（ 铜 ）。
35． 写出三种半导体制造业的金属和合金（ Al ）、（ Cu ）和（ 铝铜合金 ）。
36． 阻挡层金属是一类具有（ 高熔點 ）的难熔金属，金属铝和铜的阻挡层金属分别是（W ）和（ W ）。
37． 多层金属化是指用来（ ）硅片上高密度堆积器件的那些（ ）和（ ）。
38． 被用于老式和双大馬士革金属化的不一样金属淀积系统是：（ ）、（ ）、（ ）和铜電镀。
39． 溅射重要是一种（ ）過程，而非化學過程。在溅射過程中，（ ）撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理過程撞击出原子。這些被撞击出的原子穿過（ ），最终淀积在硅片上。
平坦化
40． 缩略語PSG、BPSG、FSG的中文名称分别是（ ）、（ ）和（ ）。
41． 列举硅片制造中用到CMP的几种例子：（ ）、LI氧化硅抛光、（ ）、（ ）、钨塞抛光和双大馬士革铜抛光。
42． 终點检测是指（ CMP设备 ）的一种检测到平坦化工艺把材料磨到一种對的厚度的能力。两种最常用的原位终點检测技术是（ 電机電流终點检测 ）和（ 光學终點检测 ）。
43． 硅片平坦化的四种类型分别是（ 平滑 ）、部分平坦化、（ 局部平坦化 ）和（ 全局平坦化 ）。
44． 20世纪80年代後期，（ ）開发了化學机械平坦化的（ ），简称（ ），并将其用于制造工艺中對半导体硅片的平坦化。
45． 老式的平坦化技术有（ ）、（ ）和（ ）。
46． CMP是一种表面（ 全局平坦化 ）的技术，它通過硅片和一种抛光頭之间的相對运動来平坦化硅片表面，在硅片和抛光頭之间有（ 磨料 ），并同步施加（ 压力 ）。
47． 磨料是精细研磨颗粒和化學品的混合物，在（ ）中用来磨掉硅片表面的特殊材料。常用的有（ ）、金属钨磨料、（ ）和特殊应用磨料。
48． 有两种CPM机理可以解释是怎样進行硅片表面平坦化的：一种是表面材料与磨料发生化學反应生成一层轻易清除的表面层，属于（ ）；另一种是（ ），属于（ ）。
49． 反刻属于（ ）的一种，表面起伏可以用一层厚的介质或其他材料作為平坦化的牺牲层，這一层牺牲材料填充（ ），然後用（ ）技术来刻蚀這一牺牲层，通過用比低处快的刻蚀速率刻蚀掉高处的图形来使表面的平坦化。
光刻
50． 現代光刻设备以光學光刻為基础，基本包括：（ ）、光學系统、（ ）、對准系统和（ ）。
51． 光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（ 正性光刻 ），两者的重要区别是所用光刻胶的种类不一样，前者是（ 负性光刻胶 ），後者是（ 正性光刻胶 ）。
52． 写出下列光學光刻中光源波長的名称：436nmG线、405nm（ ）、365nmI线、248nm（ ）、193nm深紫外、157nm（ ）。
53． 光學光刻中，把与掩膜版上图形（ ）的图形复制到硅片表面的光刻是（ ）性光刻；把与掩膜版上相似的图形复制到硅片表面的光刻是（ ）性光刻。
54． 有光刻胶覆盖硅片的三個生产区域分别為（ ）、（ ）和（ ）。
55． I线光刻胶的4种成分分别是（ ）、（ ）、（ ）和添加剂。
56． 對准標识重要有四种：一是（ ），二是（ ），三是精對准，四是（ ）。
57． 光刻使用（ ）材料和可控制的曝光在硅片表面形成三维图形，光刻過程的其他說法是（ ）、光刻、掩膜和（ ）。
58． 對于半导体微光刻技术，在硅片表面涂上（ ）来得到一层均匀覆盖层最常用的措施是旋转涂胶，其有4個环节：（ ）、旋转铺開、旋转甩掉和（ ）。
59． 光學光刻的关键设备是光刻机，其有三個基本目的：（使硅片表面和石英掩膜版對准并聚焦，包括图形）；（通過對光刻胶曝光，把高辨别率的投影掩膜版上图形复制到硅片上）；（在單位時间内生产出足够多的符合产品质量规格的硅片）。
刻蚀
60． 在半导体制造工艺中有两种基本的刻蚀工艺：（ ）和（ ）。前者是（ ）尺寸下刻蚀器件的最重要措施，後者一般只是用在不小于3微米的状况下。
61． 干法刻蚀按材料分类，重要有三种：（ ）、（ ）和（ ）。
62． 在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种措施是（ 化學作用 ）、（ 物理作用 ）和（ 化學作用与物理作用混合 ）。
63． 伴随铜布线中大馬士革工艺的引入，金属化工艺变成刻蚀（ 介质 ）以形成一种凹槽，然後淀积（ 金属 ）来覆盖其上的图形，再运用（ CMP ）把铜平坦化至ILD的高度。
64． 刻蚀是用（ 化學措施 ）或（ 物理措施 ）有选择地從硅片表面清除不需要材料的工艺過程，其基本目的是（ 在涂胶的硅片上對的地复制掩膜图形 ）。
65． 刻蚀剖面指的是（ 被刻蚀图形的侧壁形状 ），有两种基本的刻蚀剖面：（ 各向同性 ）刻蚀剖面和（ 各向异性 ）刻蚀剖面。
66． 一种等离子体干法刻蚀系统的基本部件包括：（ ）、（ ）、气体流量控制系统和（ ）。
67． 在刻蚀中用到大量的化學气体，一般用氟刻蚀（ ）；用氯和氟刻蚀（ ）；用氯、氟和溴刻蚀硅；用氧清除（ ）。
68． 刻蚀有9個重要参数：（ ）、（ ）、刻蚀偏差、（ ）、均匀性、残留物、聚合物形成、等离子体诱导损伤和颗粒污染。
69． 钨的反刻是制作（ ）工艺中的环节，具有两步：第一步是（ ）；第二步是（ ）。
扩散
70． 本征硅的晶体构造由硅的（ ）形成，导電性能很差，只有當硅中加入少許的杂质，使其构造和（ ）发生变化時，硅才成為一种有用的半导体，這一過程称為（ ）。
71． 集成電路制造中掺杂类工艺有（ ）和（ ）两种，其中（ ）是最重要的掺杂措施。
72． 掺杂被广泛应用于硅片制作的全過程，硅芯片需要掺杂（ ）和VA族的杂质，其中硅片中掺入磷原子形成（ ）硅片，掺入硼原子形成（ ）硅片。
73． 扩散是物质的一种基本性质，分為三种形态：（ 气相 ）扩散、（ 液相 ）扩散和（ 固相 ）扩散。
74． 杂质在硅晶体中的扩散机制重要有两种，分别是（ 间隙式扩散机制 ）扩散和（ 替代式扩散机制 ）扩散。杂质只有在成為硅晶格构造的一部分，即（ 激活杂质後 ），才有助于形成半导体硅。
75． 扩散是物质的一种基本性质，描述了（ 一种物质在另一种物质中的运動 ）的状况。其发生有两個必要条件：（一种材料的浓度必须高于另一种材料的浓度 ）和（ 系统内必须有足够的能量使高浓度的材料進入或通過另一种材料 ）。
76． 集成電路制造中掺杂类工艺有（ 热扩散 ）和（ 离子注入 ）两种。在目前生产中，扩散方式重要有两种：恒定表面源扩散和（ ）。
77． 硅中固态杂质的热扩散需要三個环节：（ 预淀积 ）、（ 推進 ）和（ 激活 ）。
78． 热扩散运用（ 高温 ）驱動杂质穿過硅的晶体构造，這种措施受到（ 時间 ）和（温度 ）的影响。
79． 硅掺杂是制备半导体器件中（ ）的基础。其中pn結就是富含（ IIIA族杂质 ）的N型区域和富含（ VA族杂质 ）的P型区域的分界处。
离子注入
80． 注入离子的能量可以分為三個区域：一是（ ），二是（ ），三是（ ）。
81． 控制沟道效应的措施：（ ）；（ ）；（ ）和使用质量较大的原子。
82． 离子注入机的扫描系统有四种类型，分别為（ ）、（ ）、（ ）和平行扫描。
83． 离子注入机的目的是形成在（ ）都纯净的离子束。聚束离子束一般很小，必须通過扫描覆盖整個硅片 。扫描方式有两种，分别是（ ）和（ ）。
84． 离子束轰击硅片的能量转化為热，导致硅片温度升高。假如温度超過100摄氏度，（ ）就會起泡脱落，在去胶時就难清洗洁净。常采用两种技术（ ）和（ ）来冷却硅片。
85． 离子注入是一种灵活的工艺，必须满足严格的芯片设计和生产规定。其两個重要参数是（ ），即（ ）和（ ），即离子注入過程中，离子穿入硅片的總距离。
86． 最常用的杂质源物质有（ ）、（ ）、（ ）和AsH3等气体。
87． 离子注入设备包括6個部分：（ ）、引出電极、离子分析器、（ ）、扫描系统和（ ）。
88． 离子注入工艺在（ ）内進行，亚0.25微米工艺的注入過程有两個重要的目的：（ ）；（ ）。
89． 离子注入是一种向硅衬底中引入（ ）的杂质，以变化其（ ）的措施，它是一种物理過程，即不发生（ ）。
工艺集成
90． 芯片硅片制造廠可以分為6個独立的生产区：扩散区、（ 光刻区 ）、刻蚀区、（ 注入区 ）、（ 薄膜区 ）和抛光区。
91． 集成電路的发展時代分為：（ 小规模集成電路SSI ）、中规模集成電路MSI、（ 大规模集成電路LSI ）、超大规模集成電路VLSI、（ 甚大规模集成電路 ULSI ）。
92． 集成電路的制造分為五個阶段，分别為（ 硅片制造备 ）、（ 硅片制造 ）、硅片测试和拣选、（ 装配和封装 ）、终测。
93． 制造電子器件的基本半导体材料是圆形單晶薄片，称為硅片或（ 硅衬底 ）。在硅片制造廠，由硅片生产的半导体产品，又被称為（ 微芯片 ）或（芯片 ）。
94． 原氧化生長的三种作用是：1、（ ）；2、（ ）；3、（ ）。
95． 浅槽隔离工艺的重要工艺环节是：1、（ ）；2、氮化物淀积；3（ ）；4（ ）。
96． 扩散区一般是认為是進行高温工艺及薄膜淀积的区域。重要设备是高温扩散炉，其能完毕（ ）、扩散、（ ）、（ ）以及合金等多种工艺流程。
97． 光刻区位于硅片廠的中心，通過光刻处理的硅片只流入两個区，因此只有三個区會处理涂胶的硅片，它們是（ ）、（ ）和（ ）。
98． 制作通孔1的重要工艺环节是：1、（ 第一层层间介质氧化物淀积 ）；2、（ 氧化物磨抛 ）；3、（ 第拾层掩模、第一层层间介质刻蚀 ）。
99． 制作钨塞1的重要工艺环节是：1、（ 钛淀积阻挡层 ）；2、（ 氮化钛淀积 ）；3、（ 钨淀积 ）；4、磨抛钨。
二、判断題（10分=1分*10）10題/章
晶圆制备
1． 半导体级硅的纯度為99.9999999%。（ √）
2． 冶金级硅的纯度為98%。（ √ ）
3． 西门子工艺生产的硅没有按照但愿的晶体次序排列原子。（ √ ）
4． 對半导体制造来讲，硅片中用得最广的晶体平面是（100）、（110）和（111）。（ √ ）
5． CZ直拉法是按照在20世纪90年代初期它的发明者的名字来命名的。（ √ ）
6． 用来制造MOS器件最常用的是（100）面的硅片，這是由于（100）面的表面状态更有助于控制MOS器件開态和关态所规定的阈值電压。（√ ）
7． （111）面的原子密度更大，因此更易生長，成本最低，因此常常用于双极器件。（√ ）
8． 区熔法是20世纪50年代发展起来的，能生产到目前為止最纯的硅單晶，含氧量非常少。（ √ ）
9． 85%以上的單晶硅是采用CZ直拉法生長出来的。（ √ ）
10． 成品率是指在一片晶圆上所有芯片中好芯片所占的比例。（ √）
氧化
11． 當硅片暴露在空气中時，會立即生成一层無定形的氧化硅薄膜。（ √）
12． 暴露在高温的氧气气氛中，硅片上能生長出氧化硅。生長一詞表达這個過程实际是消耗了硅片上的硅材料。（ √ ）
13． 二氧化硅是一种介质材料，不导電。（ √ ）
14． 硅上的自然氧化层并不是一种必需的氧化材料，在随即的工艺中要清洗 清除。（ √）
15． 栅氧一般通過热生長获得。（ √ ）
16． 虽然直至今曰我們仍普遍采用扩散区一詞，不過硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn結，取而代之的是离子注入。（√）
17． 氧化物有两個生長阶段来描述，分别是线性阶段和抛物线阶段。（√ ）
18． 老式的0.25μm工艺以上的器件隔离措施是硅的局部氧化。（ √）
19． 用于亚0.25μm工艺的选择性氧化的重要技术是浅槽隔离。（√ ）
20． 迅速热处理是一种小型的迅速加热系统，带有辐射热和冷却源，一般一次处理一片硅片。（ √ ）
淀积
21． CVD是运用某种物理過程，例如蒸发或者溅射現象实現物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。（ × ）
22． 高阻衬底材料上生長低阻外延层的工艺称為正向外延。（ ×）
23． LPCVD反应是受气体质量传播速度限制的。（ √）
24． 外延就是在單晶衬底上淀积一层薄的單晶层，即外延层。（√ ）
25． 在半导体产业界第一种类型的CVD是APCVD。（ √ ）
26． 外延就是在單晶衬底上淀积一层薄的單晶层，分為同质外延和异质外延两大类。（ √ ）
27． CVD反应器的冷壁反应器只加热硅片和硅片支持物。（ √ ）冷壁反应器一般只對衬底加热，
28． APCVD反应器中的硅片一般是平放在一种平面上。（ √ ）
29． 与APCVD相比，LPCVD有更低的成本、更高的产量以及更好的膜性能，因此应用更為广泛。 （ √ ）
30． LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降為450℃，采用增强的等离子体，增長淀积能量，即低压和低温。（ ×）
金属化
31． 接触是指硅芯片内的器件与第一层金属层之间在硅表面的连接。（ √ ）
32． 大馬士革工艺来源于一种类似精制的镶嵌首饰或艺术品的图案。（ √ ）
33． 蒸发最大的缺陷是不能产生均匀的台阶覆盖，不過可以比较轻易的调整淀积合金的组分。（ × ）很难调整淀积合金的组分
34． 大馬士革工艺的重點在于介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。（√ ）
35． 接触是由导電材料如铝、多晶硅或铜制成的连线将電信号传播到芯片的不一样部分。（ × ）
36． 多层金属化指用来连接硅片上高密度堆积器件的那些金属层。（ × ）
37． 阻挡层金属是淀积金属或金属塞，其作用是增長上下层材料的附著。（× ）
38． 关键层是指那些线条宽度被刻蚀為器件特性尺寸的金属层。（√ ）
39． 老式互连金属线的材料是铝，即将取代它的金属材料是铜。（ ×）
40． 溅射是個化學過程，而非物理過程。（ × ）
平坦化
41． 表面起伏的硅片進行平坦化处理，重要采用将低处填平的措施。（ × ）
42． 化學机械平坦化，简称CMP，它是一种表面全局平坦化技术。（ √ ）
43． 平滑是一种平坦化类型，它只能使台阶角度圆滑和侧壁倾斜，但高度没有明显变化。（ √ ）
44． 反刻是一种老式的平坦化技术，它可以实現全局平坦化。（ × ）
45． 電机電流终點检测不适合用作层间介质的化學机械平坦化。（√ ）
46． 在CMP设备中被广泛采用的终點检测措施是光學干涉终點检测。（ √）
47． CMP带来的一种明显的质量問題是表面微擦痕。小而难以发現的微擦痕导致淀积的金属中存在隐藏区，也許引起同一层金属之间的断路。（ √）
48． 20世纪90年代初期使用的第一台CMP设备是用样片估计抛光時间来進行终點检测的。（ √ ）
49． 旋涂膜层是一种老式的平坦化技术，在0.35μm及以上器件的制造中常普遍应用于平坦化和填充缝隙。（√ ）
50． 没有CMP，就不也許生产甚大规模集成電路芯片。（ × ）
光刻
51． 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。（ ×）
52． 步進光刻机的三個基本目的是對准聚焦、曝光和合格产量。（ ×）
53． 光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只對特定波長的光线敏感，例如深紫外线和白光，而對黄光不敏感。（ √）
54． 曝光後烘焙，简称後烘，其對老式I线光刻胶是必需的。（ √ ）
55． 對正性光刻来說，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的精确复制。（√ ）
56． 芯片上的物理尺寸特性被称為关键尺寸，即CD。（ √）
57． 光刻的本质是把電路构造复制到後来要進行刻蚀和离子注入的硅片上。（ √ ）
58． 有光刻胶覆盖硅片的三個生产区域分别為光刻区、刻蚀区和扩散区。（ √）
59． 投影掩膜版上的图形是由金属钽所形成的。（ × ）铬
60． 光刻是集成電路制造工艺发展的驱動力。（ √）
刻蚀
61． 各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相似的刻蚀速率進行刻蚀。（ × ）
62． 干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最重要措施，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的状况下刻蚀器件，例如不小于3微米。（√ ）
63． 不對的的刻蚀将导致硅片报废，給硅片制造企业带来损失。（ √ ）
64． 對于大馬士革工艺，重點是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。（× ）
65． 刻蚀速率一般正比于刻蚀剂的浓度。（ √ ）
66． 刻蚀的高选择比意味著只刻除 想要刻去的那一层材料。（√ ）
67． 在半导体生产中，湿法腐蚀是最重要的用来清除表面材料的刻蚀措施。（ ×）
68． 在刻蚀中用到大量的化學气体，一般用氟刻蚀二氧化硅。（ √）
69． 与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于對下层材料具有高的选择比，對器件不會带来等离子体损伤，并且设备简朴。（ √ ）
70． 高密度等离子体刻蚀机是為亚0.25微米图形尺寸而開发的最重要的干法刻蚀系统。（ √）
扩散
71． 在晶片制造中，有两种措施可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。（√ ）
72． 晶体管的源漏区的掺杂采用自對准技术，一次掺杂成功。（√ ）
73． 在硅中固态杂质的热扩散需要三個环节：预淀积、推進和激活。（ √）
74． 纯净的半导体是一种有用的半导体。（ × ）
75． CD越小，源漏結的掺杂区越深。（√ ）
76． 掺杂的杂质和沾污的杂质是同样的效果。（ × ）
77． 扩散率越大，杂质在硅片中的移動速度就越大。（√ ）
78． 扩散运動是各向同性的。（ × ）水分子扩散的各向异性
79． 硅中的杂质只有一部分被真正激活，并提供用于导電的電子或空穴（大概3%~5%），大多数杂质仍然处在间隙位置，没有被電學激活。（√ ）
80． 热扩散中的横向扩散一般是纵向結深的75%~85%。先進的MOS電路不但愿发生横向扩散，由于它會导致沟道長度的減小，影响器件的集成度和性能。（ √）
离子注入
81． 离子注入會将原子撞击出晶格构造而损伤硅片晶格，高温退火過程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的電激活。（√ ）
82． 离子注入中静電扫描的重要缺陷是离子束不能垂直轰击硅片，會导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。（ √ ）
83． P是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。（ √ ）
84． 硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。（ × ）
85． 离子注入是唯一可以精确控制掺杂的手段。（ √ ）
86． 离子注入是一种物理過程，不发生化學反应。（ √）
87． 离子注入物质必须以带電粒子束或离子束的形式存在。（ √）
88． 离子注入的缺陷之一是注入设备的复杂性。（ √ ）
89． 离子注入可以反复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。（ ×）
90． 离子注入中高能量意味著注入硅片更深处，低能量则用于超浅結注入。 （ √）
工艺集成
91． CMOS反相器電路的功能产生于输入信号為零的转换器。（ √ ）
92． CD是指硅片上的最小特性尺寸。（ √ ）
93． 集成電路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化學或者物理操作。简而言之，這些操作可以分為四大基本类：薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。（ √ ）
94． 人员持续不停地進出净化间，是净化间沾污的最大来源。（ √）
95． 硅片制造廠可分為六個独立的区域，各個区域的照明都采用同一种光源以到达原则化。（ × ）
96． 世界上第一块集成電路是用硅半导体材料作為衬底制造的。（ × ）
97． 集成電路是由Kilby和Noyce两人于1959年分别发明，并共享集成電路的专利。 （ √）
98． 侧墙用来围绕多晶硅栅，防止更大剂量的源漏注入過于靠近沟道以致也許发生源漏穿通。（√ ）
99． 多晶硅栅的宽度一般是整個硅片上最关键的CD线宽。（√ ）
100． 大馬士革工艺的名字来源于几仟年前叙利亚大馬士革的一位艺术家发明的一种技术。（ √ ）
三、简答題（30分=6分*5）5題/章
晶圆制备
1． 常用的半导体材料為何选择硅？（6分）
（1）硅的丰裕度。硅是地球上第二丰富的元素，占地壳成分的25%；經合理加工，硅可以提纯到半导体制造所需的足够高的纯度而消耗更低的成本；
（2）更高的熔化温度容許更宽的工艺容限。硅1412℃>锗937℃
（3）更宽的工作温度。用硅制造的半导体件可以用于比锗更宽的温度范围，增長了半导体的应用范围和可靠性；
（4）氧化硅的自然生成。氧化硅是一种高质量、稳定的電绝缘材料，并且能充當优质的化學阻挡层以保护硅不受外部沾污；氧化硅具有与硅类似的机械特性，容許高温工艺而不會产生過度的硅片翘曲；
2． 写出用硅石制备半导体级硅的過程。（6分）
西门子法。
3． 晶圆的英文是什么？简述晶圆制备的九個工艺环节。（6分）
Wafer。
（1） 單晶硅生長: 晶体生長是把半导体级硅的多晶硅块转换成一块大的單晶硅。生長後的單晶硅被称為硅锭。可用CZ法或区熔法。
（2） 整型。去掉两端，径向研磨，硅片定位边或定位槽。
（3） 切片。對200mm及以上硅片而言，一般使用内圆切割机；對300mm硅片来讲都使用线锯。
（4） 磨片和倒角。切片完毕後，老式上要進行双面的机械磨片以清除切片時留下的损伤，到达硅片两面高度的平行及平坦。硅片边缘抛光修整，又叫倒角，可使硅片边缘获得平滑的半径周线。
（5） 刻蚀。在刻蚀工艺中，一般要腐蚀掉硅片表面约20微米的硅以保证所有的损伤都被去掉。
（6） 抛光。也叫化學机械平坦化（CMP），它的目的是高平整度的光滑表面。抛光分為單面抛光和双面抛光。
（7） 清洗。半导体硅片必须被清洗使得在发給芯片制造廠之前到达超净的洁净状态。
（8） 硅片评估。
（9） 包装。
4． 写出下列晶圆的晶向和导電类型。（6分）
5． 硅锭直径從20世纪50年代初期的不到25mm增長到目前的300mm甚至更大，其原因是什么？（6分）
（1） 更大直径硅片有更大的表面积做芯片，可以減少硅片的挥霍。
（2） 每個硅片上有更多的芯片，每块芯片的加工和处理時间減少，导致设备生产效率变高。
（3） 在硅片边缘的芯片減少了，转化為更高的生产成品率。
（4） 在同一工艺過程中有更多芯片，因此在一块芯片一块芯片的处理過程中，设备的反复运用率提高了。
氧化
6． 以二氧化硅為例来解释选择扩散的概念。（6分）
7． 描述生長氧化层和淀积氧化层以及两者的区别？（6分）
8． 列举集成電路工艺裏氧化物的六种应用。（6分）
9． 列出干氧氧化和湿氧氧化的化學反应式及其各自的特點。（6分）
10． 立式炉出現的重要原因，其重要控制系统分為哪五個部分？（6分）
(1) 立式炉更易于自動化、可改善操作者的安全以及減少颗粒污染。与卧式炉相比可更好地控制温度和均匀性。
(2) 工艺腔，硅片传播系统，气体分派系统，尾气系统，温控系统。
淀积
11． 名詞解释CVD（6分）
12． 列举淀积的6种重要技术。（6分）
13． 化學气相淀积的英文简称？其過程有哪5种基本的反应？并简要描述5种反应。（6分）
14． 在硅片加工中可以接受的膜必须具有需要的膜特性，试列出其中6种特性。（6分）
15． 在MOS器件中，為何用掺杂的多晶硅作為栅電极？（6分）
金属化
16． 论述蒸发法淀积合金薄膜的過程，并阐明這种措施的局限性？（6分）
17． 简述真空蒸发法制备薄膜的過程。（6分）
18． 解释铝/硅接触中的尖楔現象，并写出改善措施？（6分）
19． 解释铝已被选择作為微芯片互连金属的原因。（6分）
20． 解释下列名詞：多层金属化、互连和接触。（6分）
平坦化
21． 名詞解释：CMP。（6分）
22． 什么是终點检测？目前最常用的原位终點检测有哪些？（6分）
23． 名詞解释：反刻。（6分）
24． 名詞解释：玻璃回流（6分）
25． 名詞解释：旋涂膜层。（6分）
光刻
26． 半导体制造行业的光刻设备分為几代？写出它們的名称。（6分）
27． 试写出光刻工艺的基本环节。（6分）
（1）气相成底膜； （2）旋转涂胶； （3）软烘 ； （4）對准和曝光；
（ 5）曝光後烘焙(PEB)； （6） 显影； （7）坚膜烘焙； （8）显影检查。
28． 已知曝光的波長l為365nm，光學系统的数值孔径NA為0.60，则该光學系统的焦深DOF為多少？（6分）
29． 分别描述投影掩膜版和掩膜版。（6分）
30． 什么是数值孔径？陈說它的公式，包括近似公式。（6分）
刻蚀
31． 什么是干法刻蚀？什么是湿法腐蚀？两者所形成的刻蚀剖面有何区别？（6分）
32． 什么是等离子体去胶？去胶机的目的是什么（6分）
33． 解释有图形和無图形刻蚀的区别。（6分）
34． 什么是干法刻蚀？干法刻蚀相比于湿法腐蚀的長处有哪些？（6分）
35． 干法等离子体反应器有哪些重要类型？（6分）
扩散
36． 简述扩散工艺的概念。（6分）
扩散是物质的一种基本属性，描述了一种物质在另一种物质中运動的状况。扩散的发生需要两個必要的条件：（1）一种材料的浓度必须高于另一种材料的浓度；（2）系统内必须有足够的能量使高浓度的材料進入或通過另一种材料。
气相扩散：空气清新剂喷雾罐
液相扩散：一滴墨水滴入一杯清水
固相扩散：晶圆暴露接触一定浓度的杂质原子（半导体掺杂工艺的一种）
37． 什么是掺杂工艺，在晶片制造中，重要有几种措施進行掺杂？（6分）
38． 热扩散工艺采用何种设备，其對先進電路的生成重要有几种限制？（6分）
39． 简述扩散工艺第一步预淀积的详细环节。（6分）
40． 扩散工艺第二步推進的重要目的是什么？（6分）
离子注入
41． 解释离子注入時的能量淀积過程。（6分）
42． 离子注入工艺采用何种设备？列举离子注入设备的5個重要子系统。（6分）
43． 名詞解释：离子注入。（6分）
离子注入是一种向硅衬底中引入可控制数量的杂质，以变化其電學性能的措施。它是一种物理過程，即不发生化學反应。离子注入在現代硅片制造過程中有广泛应用，其中最重要的用途是掺杂半导体材料。
44． 简述离子注入机中的静電扫描系统。（6分）
45． 简述离子注入机中质量分析器磁铁的作用。（6分）
工艺集成
46． 集成電路的英文是？写出集成電路的五個制造环节。（6分）
47． 名詞解释：集成電路。（6分）
48． 什么是芯片的关键尺寸？這种尺寸為何重要？（6分）
49． 什么是接触形成工艺？其重要环节有哪些？（6分）
50． 什么是集成電路工艺中的阱，简述在一种p型硅片上形成n阱的重要环节。（6分）
四、综合題：（30分=15分*2，20題）2題/章
晶圆制备
1． 画出CZ拉單晶炉的示意图，并简述其工艺過程。（15分）
2． 画出区熔法生長單晶硅锭的示意图，并简述其工艺過程。（15分）
氧化
3． 對下图所示的工艺進行描述，并写出工艺的重要环节。（15分）
描述：图示工艺：选择性氧化的浅槽隔离（STI）技术。（用于亚0.25微米工艺）
STI技术中的重要绝缘材料是淀积氧化物。选择性氧化运用掩膜来完毕，一般是氮化硅，只要氮化硅膜足够厚，覆盖了氮化硅的硅表面就不會氧化。掩
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