光刻胶讲义.pptx

简介简介+光刻胶又称光致抗蚀剂(photoresist),是利用光化学反应进行图形转移的媒体,它是一类品种繁多、性能各异,应用极为广泛的精细化学品。电子工业的发展与光刻胶的发展是密切相关的。光刻胶的发展为电子工业提供了产业化的基础,而电子工业的发展又不断对光刻胶提出新的要求,推动光刻胶的发展。由于电子工业的飞速发展,目前光刻胶已经成为一个热点研究领域,每年均有大量相关论文发表和新产品推出。应用应用+主要应用于电子工业中集成电路和半导体分立器件的细微加工过程中,它利用光化学反应,经曝光、显影将所需要的微细图形从掩膜版(mask)转移至待加工的基片上,然后进行刻蚀、扩散、离子注入、金属化等工艺。因此,光刻胶是电子工业中关键性基础化工材料。历史历史+光刻胶的历史可追溯至照相的起源,1826年人类第一张照片诞生就是采用了光刻胶材料-感光沥青。在19世纪中期,又发现将重铭酸盐与明胶混合,经曝光、显影后能得到非常好的图形,并使当时的印刷业得到飞速的发展。1954年Eastman-Kodak公司合成出人类第一种感光聚合物-聚乙烯醇肉桂酸酯,开创了聚乙烯醇肉桂酸酯及其衍生物类光刻胶体系,这是人类最先应用在电子工业上的光刻胶。1958年该公司又开发出环化橡胶-双叠氮系光刻胶,使集成电路制作的产业化成为现实。在此之前约1950年发明了重氮萘醌酚醛树脂系光刻胶,它最早应用于印刷业,目前是电子工业用用最多的光刻胶,近年随着电子工业的飞速发展,光刻胶的发展更是日新月异,新型光刻胶产品不断涌现。+光刻胶按其所用曝光光源或辐射源的不同,又可分为紫外光刻胶、深紫外光刻胶、电子束胶、离子束胶、X射线胶等。光刻技术及工艺光刻技术及工艺+电子工业的发展离不开光刻胶的发展,这是由电子工业微细加工的线宽所决定的。众所周知,在光刻工艺中离不开曝光。目前采用掩膜版的曝光方式主要有接触式曝光和投影式曝光两种。光刻工艺过程光刻胶的种类虽然很多,使用主艺条件依光刻胶的品种不同而有很大的不同,但大体可遵从如下步骤：+a.基片处理：该工序包括脱脂清洗、高温处理等部分,有时还需涂粘附增强剂进行表面改性处理。脱脂一般采用溶剂或碱性脱脂剂进行清洗,然后再用酸性清洗剂清洗,最后用纯水清洗。高温处理通常是在150-160对基片进行烘烤去除表面水分。粘附增强剂的作用是将基片表面亲水性改变为憎水性,便于光刻胶的涂布,增加光刻胶在基片上的粘附性电。+b.涂胶：光刻胶的涂布方式有旋转涂布、辗涂、浸胶及喷涂等多种方式。在电子工业中应用较多的是旋转涂布。该方式的涂胶厚度一般取决于光刻胶的粘度及涂胶时的转速。膜厚-转速曲线是光刻胶的一个重要特性。+c.前烘：前烘的目的是为了去除胶膜中残存的溶剂,消除胶膜的机械应力。在电子工业中烘烤方式通常有对流烘箱和热板两种。前烘的温度和时间根据光刻胶种类及胶膜的厚度而定。以北京化学试剂研究所BN308系列紫外负性光刻胶为例,当胶膜厚度为1-2m时,对流烘箱，70-80，20min；热板，100，1min。+d.曝光：正确的曝光量是影响成像质量的关键因素。曝光不够或曝光过度均会影响复制图形的再现性。曝光宽容度大有利于光刻胶的应用。光刻胶的曝光量同样取决于光刻胶的种类及膜厚。以BN308系列负胶为例,当膜厚为1-2m时,曝光20-30mJ/cm2+e.中烘：曝光后显影前的烘烤,对于化学增幅型光刻胶来说至关重要,中烘条件的好坏直接关系到复制图形的质量。重氮萘醌紫外正胶有时为提高图形质量亦进行中烘。+f.显影：光刻胶的显影过程一般分为两步:显影和漂洗。显影方式有浸入、喷淋等方式,在集成电路自动生产线上多采用喷淋方式。喷淋显影由于有一定压力,能够较快显出图形,一般显影时间少于1min。漂洗的作用也十分重要,对于环化橡胶-双叠氮系紫外负胶,在显影时有溶胀现象,在漂洗时能够使图形收缩,有助于提高图形质量。该系列负胶通常采用正庚烷或专用显影液进行显影,用醋酸丁醋或专用漂洗液进行漂洗。近年新型混合型显影液能将该系列负胶的显影漂洗。酚醛树脂系紫外正胶则采用碱水溶液显影，纯水漂洗。在电子工业中此类光刻胶的显影液多为2.38%的四甲基氢氧化铵水溶液。+g.坚膜：坚膜亦称后烘。该工序的作用是去除残留的显影液,并使胶膜韧化。随后可进行刻蚀、扩散、金属化等工艺+h.去胶：在完成刻蚀、扩散、金属化等工艺后,通常要将胶膜去除。去胶一般采用专用去胶剂或氧等离子体干法去胶各种光刻胶及使用树脂各种光刻胶及使用树脂+紫外负型光刻胶：重铬酸盐-胶体聚合物系光刻胶 聚乙烯醇肉桂酸醋系负型光刻胶 环化橡胶-双叠氮型紫外负型光刻胶+紫外正型光刻胶 紫外正型光刻胶紫外正型光刻胶+紫外正型光刻胶是指经紫外光(300-450nm)通过掩膜版照射后,曝光区胶膜发生光分解或降解反应,性质发生变化溶于显影液,未曝光区胶膜则保留而形成正型图像的一类光刻胶。在这类光刻胶中,邻重氮萘醌-线性酚醛树脂系紫外正型光刻胶在电子工业中应用最多,是目前电子工业中使用最多的胶种,下面主要介绍该系列正型光刻胶。顾名思义邻重氮萘醌-线性酚醛树脂系紫外正型光刻胶(以下简称正胶),主要由感光剂,邻重氮萘醌化合物;成膜剂,线性酚醛树脂;添加剂及溶剂组成。邻重氮萘醌化合物的不同会导致光刻胶的曝光波长有所不同。因此该系正胶按曝光波长的不同又分为宽谱、G线(436nm)和I线(365nm)胶。感光机理感光机理+正胶在紫外线照射后,曝光区的邻重氮茶酿化合物发生光解反应重排生成茚羧酸,使胶膜加速溶于稀碱水溶液,未曝光区由于没有发生变化,而没有加速作用,从而在曝光区和未曝光区产生了-个溶解速率差,经稀碱水溶液显影后产生正性图像 目前应用的邻重氮荼酿化合物主要有215邻重氮萘醌磺酸醋和214邻重氮萘醌磺酸醋。