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第一类陶瓷介质电容器的温度性质
按照美国标准EIA-198-D,在用字母或数字表示的陶瓷电容器的温度性质有三部分:第一部分为(如字母
C)温度系数的有效数字;第二部分是有效数字的倍乘;第三部分为随温度变化的容差。三部分字母与数
字所表达的意义如下表
第一类陶瓷介质电容温度特性(EIA-198-D)
温度系数α的有效数字 倍乘 随温度变化的容差
C=0.0 S=3.3 0=1 5=+1 G=±30 L=±500
M=1.0 T=4.7 1=-10 6=+10 H=±60 M=±1000
P=1.6 U=7.5 2=-100 7=+100 J=±120 N=±2500
R=2.2 3=-1000 8=+1000 K=±1250
(1)α的额定值和伴随值的限制误差用-20~+85℃间的电容变化来定义,(2)温度系数为0和
限制偏差为±30ppm/℃的电容字码为C0G(类别为1B)
例如C0G(NP0)=±30ppm/℃,C0H=±60ppm/℃,S2H=(3.3*100)±60ppm/℃
第一类陶瓷介质电容器的容量几乎不随温度变化,以C0G为例,±30ppm/℃,实际上温度系数只有一半
,在-55℃到+125℃间,电容量变化为0.3%,其损耗因素在40℃到60℃时最小,绝缘电阻随温度上升而
下降,-40℃时为10000s(ohm*F),+125℃时为200s多一点,电容量基本不因频率变化而改变。
第二类陶瓷介质电容器的温度性质
按照美标EIA-198-D,第一部分为最低工作温度,第二部分有效数字为最高工作温度,第三部分为随温度
变化的容差,三部分字母与数字表达意义如下表
第二类陶瓷介质电容温度特性
最低温度 最高温度 随温度变化的容值偏差
Z=-10℃ 4=+65℃ 7=+125℃ A=±1.0 D=±3.3 P=±10 T=+22%/-32%
Y=-30℃ 5=+85℃ 8=+15℃ B=±1.5 E=±4.7 R=±15 U=+22%/-56 %
X=-55 ℃ 6=+105℃ C=±2.2 F=±7.5 S=±22 V=+22%/-82%
例子X7R:-55 ℃,+125 ℃,±15%容差;Z5U:+10 ℃,+85 ℃,T=+22%/-32%容差;Y5V:-30 ℃,+85 ℃,
T=+22%/-56%容差
几种常见的陶瓷介质温度系数如下表
温度特性 温度范围 容量变化或温度系数 工作温度范围 类别
SL -55℃~+85℃ +350~1000ppm/℃ -55℃~+125℃ 1
C0G -55℃~+125℃ 0±30ppm/℃ -55℃~+125℃ 1
C0H -55℃~+125℃ 0±60ppm/℃ -55℃~+125℃ 1
P2H -55℃~+85℃ -150±60ppm/℃ -55℃~+125℃ 1
S2H -55℃~+85℃ -220±60ppm/℃ -55℃~+125℃ 1
T2H -55℃~+85℃ -470±60ppm/℃ -55℃~+125℃ 1
U2J -55℃~+85℃ -750±60ppm/℃ -55℃~+125℃ 1
B -25℃~+85℃ ±10% -25℃~+85℃ 2
Z5U -10℃~+85℃ +22%/-56% -10℃~+85℃ 2
Y5V -30℃~+85℃ +22%/-82% -30℃~+85℃ 2
R -55℃~+125℃ ±15% -55℃~+125℃ 2
X5R -55℃~+85℃ ±15% -25℃~+125℃ 2
X7R -55℃~+125℃ ±15% -55℃~+125℃ 2
Y5V瓷片电容
Z5V瓷片
C0G(NP0)瓷片
SL瓷片
Z5U
Y5P瓷片
由于NPO属零温度系数器件,因此它主要是和同样零温度系数的高稳定电感器配合使用,或者在无电感器的晶振、定时电路中使用。
一般的电感器通常具有正的温度系数,因此作谐振用的电感器应配用负温度系数的电容器。
晶体的温度系数较小,配谐电容器可以使用NPO。
无电感定时电路中的积分电容器用于产生各种波形,应当使用NPO。
各类仪器中的输入分压器的频率补偿电容器,应当使用NPO。
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