一次清洗工艺说明.docx

SF
工艺说明
产品名称
单晶硅电池片
编号
SF5.405.010GGS
产品图号
SF5.405.010
版号
01
工位名称
一次清洗
工位编号
YCQX
需要人数

第1张共8 张
流向
KS
1.目的
确保单晶硅片扩散前的清洗腐蚀的工艺处于稳定的受控状态
2.使用范围
适用于单晶硅片扩散前的清洗腐蚀工序
3.责任
本工艺说明由技术部负责
4.硅片检验
4.1 将包装箱打开，查看规格、电阻率、厚度、单多晶、厂家、编号是否符合要求；
4.2 检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺角、油污、划痕、凹痕；(见附图一、二)
4.3 将不合格品放置规定碎片盒子内 ，作统一处理。
5.装片（见附图三）
5.1 片盒保持干净，片盒底部衬以海绵，将硅片插入片盒中，每盒最多插25片硅片。
5.2 禁止手与片盒、硅片直接接触，必须戴塑料洁净手套或乳胶手套操作。每插100张硅片，需更换手套。
5.3 操作中严禁工作服与硅片和片盒接触。
6.上料（见附图四）
6.1 硅片插完后，取出片盒底部的海绵，扣好压条。
6.2 将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中，每篮12个片盒，片盒之间有适当的间隔。
7化学腐蚀液的配制
7.1 准备：将各槽中破损硅片等杂质清除，用去离子水将各槽壁冲洗干净。
7.2 配制：向5、6、8、10#槽中注满去离子水，1-4、7、9#槽中注入约一半深度的去离子水，按照“7.3” 比例分别向各槽加入指定量的化学药品，再注去离子水达到指定的高度。

更改标记
数量
更改单号
签 名
日 期

签 名
日 期
第1 页

拟 制

审 核

共 8页

标准化

批 准

旧底图总号

底 图 总 号

日 期 签 名

SF
工艺说明
产品名称
单晶硅电池片
编号
SF5.405.010GGS
产品图号
SF5.405.010
版号
01
工位名称
一次清洗
工位编号
YCQX
需要人数

第2张共8张
流向
KS
7.3 化学腐蚀液的配制比例
　槽号
1#槽
2-4#槽
7#
9#槽
功能
去损伤层
制绒
去Na2SiO3
去金属离子
清洗液组成
氢氧化钠
氢氧化钠
异丙醇
硅酸钠
氢氟酸
盐酸
NaOH
NaOH
IPA
Na2SiO3·9 H2O
HF
HCl
标准浓度（克/升）
40±5
18±5
5±2
3±1
53±5
84±5
加入试剂
9千克
2千克
12升
6千克
16升
32升
加入试剂（瓶)
18
4
3
12
4
8
液面高度（厘米）
42
32
32
32
30
30
7.4 配制溶液要求：
7.4.1 配料顺序：1#槽按水、氢氧化钠的顺序；2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠、异丙醇的顺序。
7#槽按水、氢氟酸、水的顺序；9#槽按水、盐酸、水的顺序。
7.4.2 时间要求：2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠配制完毕后，需等待10分钟之后硅酸钠、氢氧化钠完全溶解后，才能加异丙醇。1#槽配制完毕后,温度达到工艺要求之后，同时2-4#槽的其中一槽加硅酸钠、氢氧化钠10分钟后，才可进硅片。
7.4.3 异丙醇加液要求：需用塑料管或漏斗将异丙醇加到制绒槽的底部，在硅片进入1#槽之后才能加异丙醇，减少异丙醇的挥发。
8.各化学药品规格及要求
8.1 氢氧化钠：电子纯，容量500克/瓶，浓度 ≥98%。
8.2 异丙醇：电子纯，容量4升/瓶，浓度≥99.9%，密度0.78克/毫升。
8.3 硅酸钠：电子纯，容量500克/瓶。
8.4 盐酸：MOS级，容量4升/瓶，浓度36%～38%，密度1.18克/毫升。
8.5 氢氟酸：MOS级，容量4升/瓶，浓度≥49%，密度1.13克/毫升 。
9.工艺过程化学药品的补加（同附表二）
9.1 工艺过程7、9#槽不需补加化学药品，1-4#槽每清洗一篮硅片按以下要求补加：
槽号
1#槽
2～4#槽
每清洗一篮硅片
排液(cm)
补加NaOH
补加NaOH
补加IPA
1.5±0.5
25±10g
25±10g
4升（一瓶）
备注
清洗停止1小时以上，每停1小时，需补加2升IPA，最多补加6升（1.5瓶）。

更改标记
数量
更改单号
签 名
日 期

签 名
日 期
第 2页

拟 制

审 核

共 8页

标准化

批 准

旧底图总号

底 图 总 号

日 期 签 名

SF
工艺说明
产品名称
单晶硅电池片
编号
SF5.405.010GGS
产品图号
SF5.405.010
版号
01
工位名称
一次清洗
工位编号
YCQX
需要人数

第3张共8张
流向
KS
10.各槽化学液更换频率（同附表三）
工艺正常操作时（不允许全部排液、重新配液）
槽号
1#槽
2～4#槽
7#槽
9#槽
更换周期
24小时
24小时
12小时
12小时
更换时间
早班交接班
早班交接班
交接班
交接班
工艺不正常时（1～4号槽）更换条件
工艺不正常状态1
连续停机8小时以上，要求全部换液重配
工艺不正常状态2
2～4#槽，其中一槽连续3篮硅片出现白斑，可以对该槽单独重新配液。
工艺不正常状态3
2～4#槽，其中一槽硅片出现白斑超过50%，可以对该槽单独重新配液。
工艺不正常状态4
2～4#槽，连续都出现白斑，可以对1#槽单独重新配液。
11.清洗腐蚀工艺参数的设置 （同附表四）
11.1 小片盒放置硅片
11.1.1 使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置（同附表四）
槽位
1#槽
2-4#槽
5#槽
6#槽
7#槽
功能
去损伤
制绒
漂洗
喷淋
去Na2SiO3
时间
270±30um
240±30um
230±30um
30 min
5 min
5 min
1 min
4min
2min
1min
温度℃
65±2
83±2
常温
常温
常温
槽位
8#槽
9#槽
10#槽
11#槽
12#槽
13、14#槽
功能
漂洗
去金属离子
漂洗
喷淋
慢拉
烘干
时间
5 min
5 min
5 min
5 min
不使用
不使用
温度℃
常温
常温
常温
常温
不使用
不使用
注意：使用小片盒硅片12、13、14#槽不使用。干燥工艺采用11.1.2的离心甩干工艺。
11.1.2 离心甩干工艺（同附表五）
项目
主轴低速
主轴高速
喷水时间
吹气时间
开门时间
蜂鸣器延时
参数
205rpm
430rpm
30秒
180秒
10秒
10秒

更改标记
数量
更改单号
签 名
日 期

签 名
日 期
第 3页

拟 制

审 核

共8 页

标准化

批 准

旧底图总号

底 图 总 号

日 期 签 名

SF
工艺说明
产品名称
单晶硅电池片
编号
SF5.405.010GGS
产品图号
SF5.405.010
版号
01
工位名称
一次清洗
工位编号
YCQX
需要人数

第4张共8张
流向
KS
11.2 大片盒放置硅片（同附表六）
11.2.1 使用大片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置
1～11#槽工艺与使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的相同
11.2.2 12～14#槽工艺参数的设置：
槽位
12#槽
13、14#槽
功能
慢拉
烘干
时间
2 min
17 min
温度℃
常温
170±2℃
11.3返工硅片腐蚀工艺参数的设置（同附表七）
11.3.1根据“一次清洗检验工艺规程”，对清洗后的硅片进行表面检查，重量、厚度检验和绒面质量分类。检验不合格的硅片，根据其厚度，按“11.1.1”选择相应的清洗腐蚀工艺。
11.3.2 不合格的硅片，厚度≤200µm直接转至扩散工序；200µm＜厚度≤230µm，按以下工艺返工：
槽位
1#槽
2-4#槽
功能
去损伤层
制绒
时间
0 min
20 min
温度℃
65±2
83±2
12.运行
12.1 根据《一次清洗工艺操作规程》，在手动工作状态下，按照“11 清洗腐蚀工艺参数的设置”，设定各槽时间，及相关的温度；
12.2 根据《一次清洗工艺操作规程》，打到自动工作状态，运行清洗设备，对硅片进行清洗腐蚀。
13 工艺安全及注意事项
13.1 工艺安全：盐酸、氢氟酸和氢氧化钠都具有强腐蚀性，在配液过程中，操作人员接触化学药品时应按照规定穿戴好防护服、防护面具、防护眼镜及长袖耐酸碱胶皮手套。
13.2 硅片在检测过程中，操作人员不能用手直接接触硅片和片盒，必须正确穿戴口罩、一次性手套、洁净工作服、工作帽、乳胶手套，防止钠离子、油类沾污硅片。
13.3 硅片易碎，在操作过程中，操作人员要轻拿轻放，以减少碎片。
14 引用文件
SF／QD-工艺-01一次清洗工艺操作规程
SF／QD –工艺-12一次清洗检验工艺规程
更改标记
数量
更改单号
签 名
日 期

签 名
日 期
第4 页

拟 制

审 核

共 8页

标准化

批 准

旧底图总号

底 图 总 号

日 期 签 名

SF
工艺说明
产品名称
单晶硅电池片
编号
SF5.405.010GGS
产品图号
SF5.405.010
版号
01
工位名称
一次清洗
工位编号
YCQX
需要人数

第5张共8张
流向
KS

附图一

更改标记
数量
更改单号
签 名
日 期

签 名
日 期
第5页

拟 制

审 核

共8页

标准化

批 准

硅片检验
1 将包装箱打开，查看规格、电阻率、厚度、单多晶、厂家、编号是否符合要求；
2 检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺角、油污、划痕、凹痕；
3 将不合格品放置规定碎片盒子内 ，作统一处理。

崩边

油污

油污

崩边、缺角

附图一

针孔

附图二

旧底图总号

底 图 总 号

日 期 签 名

SF
工艺说明
产品名称
单晶硅电池片
编号
SF5.405.010GGS
产品图号
SF5.405.010
版号
01
工位名称
一次清洗
工位编号
YCQX
需要人数

第6张共8张
流向
KS

更改标记
数量
更改单号
签 名
日 期

签 名
日 期
第6页

拟 制

审 核

共8页

标准化

批 准

片盒保持干净，每盒插25片硅片。

禁止手与片盒、硅片直接接触，须戴塑料洁净手套或乳胶手套操作，每插100片硅片，需更换手套。

工作服不能与硅片和片盒接触

片盒底部需垫海绵

插片
附图三

将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中，每篮12个片盒，片盒之间有相应的间隔
硅片插完后，取掉片盒底部的海绵，扣好压条。

上料
附图四

旧底图总号

底 图 总 号

日 期 签 名

SF
工艺说明
产品名称
单晶硅电池片
编号
SF5.405.010GGS
产品图号
SF5.405.010
版号
01
工位名称
一次清洗
工位编号
YCQX
需要人数

第7张共8张
流向
KS
附表一：化学腐蚀液的配制比例表
　槽号
1#槽
2-4#槽
7#槽
9#槽
功能
去损伤层
制绒
去Na2SiO3
去金属离子
清洗液组成
氢氧化钠
氢氧化钠
异丙醇
硅酸钠
氢氟酸
盐酸
NaOH
NaOH
IPA
Na2SiO3·9 H2O
HF
HCl
标准浓度（克/升）
40±5
18±5
5±2
3±1
53±5
84±5
加入试剂
9千克
2千克
12升
6千克
16升
32升
加入试剂（瓶)
18
4
3
12
4
8
液面高度（厘米）
42
32
32
32
30
30
附表二：工艺过程化学药品的补加
槽号
1#槽
2～4#槽
每清洗一篮硅片
排液(cm)
补加NaOH
补加NaOH
补加IPA
1.5±0.5
25±10g
25±10g
4升（一瓶）
备注
清洗停止1小时以上，每停1小时，需补加2升IPA，最多补加6升（1.5瓶）。
附表三：各槽化学液更换频率
工艺正常操作时（不允许全部排液、重新配液）
槽号
1#槽
2～4#槽
7#槽
9#槽
更换周期
24小时
24小时
12小时
12小时
更换时间
早班交接班
早班交接班
交接班
交接班
工艺不正常时（1～4#槽）更换条件
工艺不正常状态1
连续停机8小时以上，要求全部换液重配
工艺不正常状态2
2～4#槽，其中一槽连续3篮硅片出现白斑，可以对该槽单独重新配液。
工艺不正常状态3
2～4#槽，其中一槽硅片出现白斑超过50%，可以对该槽单独重新配液。
工艺不正常状态4
2～4#槽，连续都出现白斑，可以对1#槽单独重新配液。

更改标记
数量
更改单号
签 名
日 期

签 名
日 期
第7页

拟 制

审 核

共8页

标准化

批 准

旧底图总号

底 图 总 号

日 期 签 名

SF
工艺说明
产品名称
单晶硅电池片
编号
SF5.405.010GGS
产品图号
SF5.405.010
版号
01
工位名称
一次清洗
工位编号
YCQX
需要人数

第8张共8张
流向
KS
附表四：使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置
槽位
1#槽
2-4#槽
5#槽
6#槽
7#槽
功能
去损伤
制绒
漂洗
喷淋
去Na2SiO3
时间
270±30µm
240±30µm
230±30µm
30 min
5 min
5 min
1 min
4min
2min
1min
温度℃
65±2
83±2
常温
常温
常温
槽位
8#槽
9#槽
10#槽
11#槽
12#槽
13、14#槽
功能
漂洗
去金属离子
漂洗
喷淋
慢拉
烘干
时间
5 min
5 min
5 min
5 min
不使用
不使用
温度℃
常温
常温
常温
常温
不使用
不使用
附表五：使用小片盒离心甩干工艺
项目
主轴低速
主轴高速
喷水时间
吹气时间
开门时间
蜂鸣器延时
参数
205rpm
430rpm
30秒
180秒
10秒
10秒
附表六：使用大片盒承载硅片
使用大片盒清洗硅片工艺参数，1～11#槽工艺与使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置相同。12～14#槽工艺参数的设置为
槽位
12#槽
13、14#槽
时间
2 min
17 min
温度℃
常温
170±2℃
附表七：返工硅片腐蚀工艺参数的设置
1. 根据“一次清洗检验工艺规程”，对清洗后的硅片进行表面检查，重量、厚度检验和绒面质量分类。检验不合格的硅片，根据其厚度，按“附表四”选择相应的清洗腐蚀工艺。
2. 不合格的硅片，200µm≤厚度直接下转至扩散工序；200µm＜厚度≤230µm，按以下工艺返工
槽位
1#槽
2～4#槽
时间
0 min
15 min
温度℃
65±2
83±2

更改标记
数量
更改单号
签 名
日 期

签 名
日 期
第8页

拟 制

审 核

共8页

标准化

批 准

旧底图总号

底 图 总 号

日 期 签 名