大陆台湾英语led半导体照明术语对照表.doc

半导体照明术语对照表2009年2月序号大陆术语英文定义台湾地区术语一、基本术语1-01半导体semiconductor两种载流子引起的总电导率通常在导体和绝缘体之间的一种材料，这种材料中的载流子浓度随外部条件改变而变化。半導體1-02半导体器件semiconductor device其基本特性是由在半导体中的载流子流动所决定的器件。半導體元件1-03半导体二极管(semiconductor) diode具有非对称的电压电流特性的两引出端半导体器件。(半導體)二極體1-04发光二极管；LEDlight-emitting diode当被电流激发时通过传导电子和光子的再复合产生受激辐射而发出非相干光的一种半导体二极管。發光二極體1-05固态照明solid state lighting采用固体发光材料，如发光二极管（LED）、场致发光（EL）、有机发光（OLED）等作为光源的照明方式。固態照明1-06半导体照明 semiconductor lighting采用LED作为光源的照明方式。半導體照明1-07衬底substrate用于外延沉积、扩散、离子注入等后序工艺操作的基体单晶片。基板1-08外延片epitaxial wafer用外延方法制备的具有电致发光功能的结构片。磊晶片1-09发光二极管芯片 light-emitting diode chip具有PN结结构、有独立正负电极、加电后可辐射发光的分立半导体晶片。發光二極體晶片(粒)1-10LED模块LED module由单个或多个发光二极管芯片和驱动电路、控制电路封装在一起、带有连接接口并具有发光功能且不可拆卸的整体单元。LED模組1-12LED组件 LED discreteness由LED或LED模块和电子元器件组合在一起，具有一定功能并可维修或拆卸的组合单元。LED元組件1-13内量子效率inner quantum efficiency有源区产生的光子数与所注入有源区的电子-空穴对数之比。內部量子效率1-14出光效率light extraction efficiency逸出LED结构的光子数与有源区产生的光子数之比。出光效率1-15注入效率Injection efficiency注入LED的电子-空穴对数与注入有源区的电子-空穴对数之比。注入效率1-16外量子效率outer quantum efficiency逸出LED结构的光子数与注入LED的电子-空穴对数之比，等于内量子效率与出光效率和注入效率的乘积。外部量子效率二、LED类型2-01单色光LEDmonochromatic light LED发出单一颜色光的LED，有红色、绿色、蓝色、黄色、紫色等。單色LED2-02白光LEDwhite light LED用单色芯片加荧光粉或多色芯片组合合成白色光的LED。白光LED2-03直插式LED； DIP LEDDual In-line Package LED带有正负极引线、适用于穿孔直插安装工艺的LED。砲彈型封裝LED2-04贴片式LED； SMD LEDSurface Mounted Devices LED正负电极在封装基板上、适用于表面贴装工艺的LED。表面封裝型LED2-05小功率LEDlow power LED单芯片工作电流在100mA（含100mA）以下的发光二极管。小功率LED2-06功率LEDpower LED工作电流在100mA以上的发光二极管。高功率LED2-07LED数码管LED nixietube采用LED显示数字或字符的器件或模块。LED尼士管2-08LED显示器LED displayer采用LED显示数字、符号或图形的器件或模块。LED顯示器2-09LED背光源LED backlight采用LED作光源，为被动显示提供光源的LED器件或模块。LED背光源三、外延（工艺）3-01外延epitaxy用气相、液相或分子束等方法在衬底上生长单晶材料的工艺。在衬底上生长组分与衬底材料相同的单晶材料，称同质外延；在衬底上生长与衬底组分不同的单晶材料，称异质外延。磊晶3-02量子阱 quantum well组分不同或掺杂不同的半导体超薄层材料交替排列形成载流子势垒或势阱，并且具有量子效应的材料结构。量子井3-03单量子阱single quantum well只有一个量子阱的材料结构。單層量子井3-04多量子阱multi-quantum well包含多个单量子阱的材料结构。多層量子井3-05金属有机化学汽相沉积；MOCVDmetal organic chemical vapor deposition金属有机化合物和非金属氢化物的汽相源经热分解合成反应外延生长单晶材料的方法。有機金屬化合物半導體磊晶技術3-06超晶格 super lattice两种（或两种以上）组分（或导电类型）不同、厚度极小的薄层材料交替生长在一起而得到的一种多周期材料结构，其薄层厚度远大于材料的晶格常数，但接近于或小于电子的平均自由程（或其德布洛意波长）。超晶格3-07异质结 heterogeneous structure由两种或两种以上不同的半导体材料形成的异型（P-N）异质结构或同型（P-P或N-N）异质结构。異質接面3-08单异质结 single heterojunction由两种不同的半导体材料形成的异型（P-N）异质结构或同型（P-P或N-N）异质结构。單異質接面3-09双异质结double heterojunction包含两个异质结的异质结构。雙異質接面3-10图形化衬底graphical substrate在外延生长前，采用蚀刻的方法，在表面形成一定图案的衬底。圖形化基板四、芯片（工艺）4-01湿法蚀刻 wet etching将晶片浸没于化学溶液中，通过化学反应去除晶片上不需要的部分，使光刻图形转移到晶片表面。濕式蝕刻4-02干法蚀刻dry etching将晶片置于等离子气体中，通过气体放电去除晶片上不需要的部分，使光刻图形转移到晶片表面。乾式蝕刻4-03曝光 exposure利用光学的方法，对涂布在晶片表面的光刻胶进行光化学反应的过程。曝光4-04烘胶 baking在一定的温度下，使光刻胶固化的过程。烘烤4-05蒸镀 evaporation将原材料通过某种方法变成蒸汽，使其在真空状态下沉积在待镀材料表面。蒸鍍4-06激光剥离laser lift-off利用激光照射在芯片上，使外延层和衬底界面处熔化，从而将二种材料分离的方法。雷射剝離4-07欧姆接触ohmic contact电压-电流特性遵从欧姆定律的非整流性的电和机械接触。歐姆接觸4-08氧化铟锡电极Indium Tin Oxide electrode ITO蒸镀在芯片表面的一种化学成分为氧化铟锡的透明导电膜，以形成欧姆接触，有利于电流扩展及透光。氧化銦錫電極4-09衬底转移；金属键合 substrate transfer metal bonding 将外延材料的外延层键合到其它衬底材料上并将原来的衬底去除的方法。基板黏合4-10金属反射层reflective metal electrode在LED芯片表面蒸镀一层金属，形成一种可提高外量子效率的光反射层。金屬反射層4-11同侧电极结构lateral electrode structureP、N电极在芯片的上面，使部分电流横向流过外延层的一种电极结构。同側電極結構4-12垂直电极结构vertical electrode structureP、N电极分别在芯片的上下二端，使电流垂直流过外延层的一种电极结构。垂直電極結構4-13承载基板 support substrate用来承载外延层或芯片，并提供电极接触的一种材料。承載基板4-14表面粗化 surface roughening在LED外延片或芯片表面形成可以提高芯片出光效率和外量子效率的粗糙表面结构。表面粗化4-15正装芯片 normal chip发光二极管芯片电极在出光面上，衬底材料与支架焊接在一起的一种芯片结构。傳統晶片4-16倒装芯片 flip chip发光二极管芯片电极倒扣焊接在承载基板上，形成一种芯片衬底（或靠原衬底面）朝上、引出电极在承载基板上的芯片结构。覆晶晶片4-17芯片分选chip sorting按不同参数（例如电压、电流、波长、光强等）对芯片进行分档测试选择。晶片分級4-18内陷电极 recessed electrode电极镶嵌在LED芯片外延层刻槽中。嵌入電極4-19互补电极 complementary electrode在LED芯片垂直结构中，为避免底部所发光被顶部N电极吸收，在N电极正下方电极区域制作一个高阻层，使电流分布在N电极投影以外的互补区域。互補電極4-20N面出光light extraction from N side发光二极管有源区发出的光从LED芯片的N面取出。N極出光4-21侧面钝化lateral passivation在LED芯片侧面镀上保护层，使芯片避免沾污、保护芯片稳定性和可靠性。側面鈍化五、封装5-01支架；框架leadframe提供引线端子和芯片焊接区域的一个或一组零件。支架5-02点胶coat在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。點膠5-03装架die attachment (die bond)将LED芯片安装在涂有银胶或绝缘胶的PCB或LED支架相应的位置上。固晶5-04烧结sinter通过高温加热，使银胶固化。固化5-05引线键合；压焊wire bonding为了形成欧姆接触用金属引线连接LED芯片电极与支架（框架）的引出端。打線5-06LED 封装LED package将LED芯片和焊线包封起来，并提供电连接、出光和散热通道、机械和环境保护及外形尺寸。LED封裝5-07灌封 embedding采用模条灌装成型的封装方式。嵌入5-08塑封 moulding采用模压成型的封装方式。模具成型5-09点胶封装coating package采用点胶成型的封装方式，也称软包封。點膠封裝5-10热沉heat sink与功率芯片粘接在一起的可以传导热量的金属或其它材料的导热体。散熱片5-12共晶焊eutectic bonding在LED芯片与支架或热沉中间放置一种合金焊料（例如金或铅锡等），通过加温加压使之共熔的一种焊接方法。共金結合5-13透明介质transparent medium无色透明的一种导电或非导电的胶状材料。透明介質5-14固化 cure通过高温加热，使封装环氧固化。固化5-15切筋 dam-bar cut切断LED支架的连筋。切腳5-16气泡air bladderLED封装体内存在的任何局部空隙。氣泡5-17黑点stain外来异物在LED封装体中所形成的点状体。黑點5-18划痕nickLED封装体表面上的机械划伤、压伤和外界杂质所引起的无序凹坑。刮痕5-19变色discolorationLED封装体及支架镀层上的任何颜色变化。變色六、光度量术语6-01可见光visible light能直接引起视觉的光学辐射。其波长范围一般在380780nm。可見光6-02辐射通量；辐射功率e；Pradiant fluxradiant power以辐射形式发射、传播或接收的功率，单位为W。輻射通量;輻射功率6-03光通量v；luminous flux 从辐射通量导出的量，该量是根据辐射对CIE标准光度观测者的作用来评价的。对于明视觉：式中:是辐射通量的光谱分布；是光谱光视效率。单位为lm注1：Km值(明视觉)和Km值(暗视觉)参见GB/T 2900.65-2004 定义845-01-56。注2：LED的光通量通常以它们所属种类的组来表示。光通量6-04总光通量total luminous flux总光通量是在光源立体角4范围内累积的光通量之和。式中I为发光强度；为光源立体角范围。總光通量6-05辐射能量Q；Qradiant energy在给定的持续时间t内，辐射通量e的时间积分，单位为J。輻射能6-06光量Qv；Qquantity of light在给定的持续时间t内，光通量v的时间积分，单位为lm/s。總光量6-07辐射强度Ie；I radiant intensity离开辐射源的，在包含给定方向的立体角元d内传播的辐射能量de除以该立体角元，单位为Wsr。輻射強度6-08发光强度IV；Iluminous intensity离开光源的，在包含给定方向的立体角元d内传播的光通量dv除以该立体角元，单位：cd=lm/sr光強度6-09平均发光强度ILED Ae、ILED Av、ILED Be、ILED Bv averaged luminous Intensity光源在一定的立体角内发射的光（或辐射）通量与该立体角的比，可表示为:注：CIE推荐标准条件A（探测器面积1cm2，光源到探测器间距316mm，对应立体角为0.001）和B（探测器面积1cm2，光源到探测器间距100mm，对应立体角为0.01）分别来测量远场和近场条件下的平均LED发光强度,可以分别用符号ILED Ae、ILED Av、ILED Be、ILED Bv来表示。平均光強度6-10辐射亮度radiance给定点的辐射束元在给定方向上的辐射强度，与辐射束元垂直于指定方向上的面积之比。其数值与辐射面的性质有关，并且随方向而变化，单位为W/(m2.sr)。輻射率(輻射亮度)6-11光亮度LVluminance给定点的光束元在给定方向上的发光强度，与光束元垂直于指定方向上的面积之比。单位为cd/m2。輝度6-12辐射照度Ee；Eirradiance包含该点的面元上所接收的辐射通量与该点面元面积之比。单位为W/m2。輻射照度6-13光照度；Eilluminance包含该点的面元上所接收的光通量，与该点面元面积之比。单位为lx或lm/m2。照度6-14平均照度Eoaverage illuminance被照表面接收到的光通量与接收面积的比值，单位为lx或lm/m2。平均照度6-15辐射出射度M e；Mradiant Exitance离开包含该点面元的辐射通量，与该点面元面积之比。单位：W/m2。輻射發散度(輻射出射度)6-16流明lmlumen光通量的SI单位：由一个发光强度为1cd的均匀点光源在单位立体角（球面度）内发射的光通量。（第9届国际度量大会，1948年）。等效定义：频率为5401012赫兹、辐射通量为1/683瓦特的单色辐射束的光通量。流明6-17辐射效率eradiant efficiency辐射源发射的辐射功率e与其消耗的电功率P的比值。輻射效率6-18发光效能；光源的光视效能Vluminous efficacyluminous efficacy of a source光源发射的光通量V与其消耗的电功率P的比值，单位为lm/W。發光效率6-18辐射的光视效能Kluminous efficacy of radiation 光源发射的光通量V与其发射的辐射功率e的比值，单位为lm/W。視效函數(光見度)6-20眩光glare由于光亮度的分布或范围不恰当，或对比度太强，而引起不舒适感或分辨细节或物体的能力减弱的视觉条件。眩光6-21光轴 optical axis关于主辐射能分布中心的一条直线。注：除非另有规定，光轴即为最大辐射能的方向。光軸6-22半强度角1/2half-intensity angle 发光强度值为光轴向强度值一半时光束方向与光轴向（法向）的夹角。半功率發射角(半強度角)6-23立体角solid angle以立体角的顶点为球心，以r为半径作一个球面，则此立体角为其边界在此球面上所截的面积dS与半径r的平方之比。立體角6-24光出射度 luminous exitance离开表面一点处的面元的光通量除以该面元的面积。光束發散度 (光出射度)6-25峰值发射波长ppeak emission wavelength辐射功率最大值所对应的波长。峰值波長6-26中心波长centre wavelength光谱带宽两端点处波长和的中心处波长定义为，计算式为： 注:在有些应用中用表示最大强度十分之一处对应的两个波长构成的光谱带宽。中心波長6-27重心波长centroid wavelength光谱分布的重心波长表示的是“质量中心的波长”，按下式计算：当测量计算不同LED的典型光谱分布的重心波长时，其结果可能受到相对光谱曲线渐小尾部的微小值的很大影响，此处测量的不确定性由于受到杂散辐射、噪声和放大器偏置的影响而增加。重心波長6-28光谱辐射带宽spectral radiation bandwidth 光谱辐射功率等于或大于最大值的一半时的波长间隔。光譜頻帶寬度(光譜輻射帶寬)6-29光谱功率分布P ()spectral power distribution光源辐射功率按波长的分布，称为光谱功率分布。以任意单位表示的光谱功率分布，称为相对光谱功率分布。光譜功率分佈6-30辐射通量密度radiant Flux Density通过单位面积的辐射通量，单位为W/m2。輻射通量密度6-31发光效率luminescent efficiency光源消耗每一瓦电能所发出的光。单位为流明每瓦（lm/w）。發光效率6-32光通量效率Vluminous flux efficiency; or Luminous efficiency器件发射的光通量V与器件的电功率（正向电流IF乘以正向电压VF）的比值。光通量效率七、色度量术语7-01显色指数 colour rendering index光源显色性的度量。以被测光源下物体的颜色和参照光源下物体的颜色的相符程度来表示。国际照明委员会CIE把太阳的显色指数定为100。演色指數7-02显色性 color-rendering properties光源显现被照物体真实颜色的能力。物体的真实颜色是指在参照照明体（通常为完全辐射体）下所呈现的颜色。演色性7-03色温Tccolour temperature当光源的色品是与某一温度下完全辐射体的色品相同时，该完全辐射体的绝对温度为此光源的色温，单位为K。色溫7-04相关色温 correlated colour temperature黑体轨迹上，和某一光源的色品坐标相距最近的那个黑体的绝对温度，即为该光源的相关色温。相關色溫7-05主波长 dominant wavelength为25环境温度下一单色刺激的波长，该单色刺激与规定的非彩色刺激按适当比例相加混合，以与所考虑的色刺激相匹配。对于LED，参考色刺激应为色坐标XE=0.3333，YE=0.3333的光源E。主發光波長(主波長)7-06色品坐标chromaticity coordinates一组三色刺激值中的每一个值与它们的总和之比。注1：由于三个色品坐标之和等于1，所以知道其中两个便能确定色品。注2：在CIE标准色度系统中，色坐标用符号x、y、z表示。色度座標7-07色饱和度 color saturation色饱和度也称为色纯度，是指彩色的纯洁性。在x-y色度图中，光谱色轨迹所代表的各种波长的单色光，其纯度最高，色饱和度规定为100%。色度图内各点所代表的某一颜色，被认为是由某一波长的单色光和白光混合而成，越靠近白点，所混白色越多，其色饱和度也越低。色飽和度7-08色差color difference定量表示的色知觉差别。用DE表示。色差7-09色容差color tolerance试验色与规定色之间色差的容许范围。色容差八、热、电测量术语8-01结温 junction temperatureLED器件中主要发热部分的半导体结的温度。接面溫度8-02额定结温 rated junction temperatureLED正常工作时所允许的最高结温。在此温度下，一切有关的额定值和特性都能得到保证。額定接面溫度8-03管壳温度 case temperatureLED工作时管壳规定点的温度。外殼溫度8-04热阻thermal resistance器件的有效温度与外部规定参考点温度之差除以器件中的稳态功率耗散所得的商。熱阻8-05结-管壳热阻 Rth（J-C）thermal resistance from junction to caseLED PN结到管壳之间的热阻。接面-外殼溫度8-06结-环境热阻Rth（J-A）thermal resistance from junction to ambientLED PN结到环境之间的热阻。它提供在最少热流失的特殊环境里结到环境的热阻值。接面-環境熱阻8-07静电放电；ESD electrostatic discharge具有不同静电电位的物体相互靠近或直接接触引起的电荷转移。靜電放電8-08静电放电电压敏感值 voltage使器件失效的静电放电电压值。ESD失效電壓8-09静电放电耐受电压 withstand voltage使器件不失效的最大静电放电电压值。ESD承受電壓8-10人体模式静电放电；HBMhuman body model采用电阻电容组成的放电网络模拟人体指尖的静电放电。人體放電模式8-11机器模式静电放电；MMmachine model采用200pF电容和零欧姆串联电阻组成放电网络模拟来自机器的静电放电。機器放電模式8-12总电容capacitance在规定正向偏压和规定频率下，LED两端的电容。總電容8-13寿命life timeLED在规定工作条件下光输出功率或光通量衰减到初始值50%或70%时的工作时间。单位为小时（h）。壽命8-14正向电流IFforward current发光二极管正常发光时，流过LED器件的电流。順向電流8-15正向电压VFforward voltage通过LED器件的正向电流IF为规定值时，在两极间产生的电压降。順向電壓8-16反向电流IRreverse current加在LED器件两端的反向电压为确定值时，流过LED器件的电流。逆向電流8-17反向电压VRreverse voltageLED器件通过的反向电流为确定值时，在两极间所产生的电压降。逆向電壓8-18最大正向电流IFMmaximum forward current允许通过LED的最大的正向直流电流。最大順向電流 8-19最大正向峰值电流IFPMforward Peak-current允许加于LED两端正向脉冲电流的最大值。最大順向峰值電流8-20击穿电压VBRbreakdown voltage允许加于LED两端的最大反向电压。擊穿電壓8-21额定功耗Pmrated power consumption允许加于LED两端电功率的最大值。額定功率8-22电压-电流特性 voltage-current characteristic发光二极管的电压与电流的函数关系曲线。電壓-電流特性8-23响应时间 response timeLED开通时间、关断时间、上升时间、下降时间和开通或关断的延迟时间的总称。主要取决于载流子寿命、器件的结电容及电路阻抗。反應時間(回應時間)8-24扩散电流diffusion currentLED热平衡状态遭到破坏，因浓度差引起载流子的扩散运动，产生的电流。擴散電流8-25漂移电流drift currentLED在外加电场作用下，载流子将在热骚动状态下做漂移运动，产生的电流。飄移電流8-26势垒电容barrier capacitance在LED的PN结上的电压有一小的变化，即VV,相应产生的贮存电荷量变化为Q-Q。当V足够小，可近似认为Q与V呈线性关系时，定义势垒电容CT: 隔離電容(障壁電容)8-27扩散电容diffusion capacitance当外加正向电压时，注入P 区的少子（电子）在P 区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流越大，积累的电荷就越多。这样所产生的电容就是扩散电容。擴散電容8-28微变电阻 tiny change of resistor是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比微變電阻九、材料9-01LED用荧光粉phosphor for LED指可以被发光二极管（LED芯片）发出的光激发而发出可见光的无机粉末材料。半導體發光二極體用螢光粉9-02光谱功率分布Spectral power distribution光源辐射功率按波长的分布，称为光谱功率分布。以任意单位表示的光谱功率分布，称为相对光谱功率分布。光譜功率分佈9-03相对亮度Brrelative brightness在规定的激发条件下，荧光粉试样与同牌号标准样品的亮度之比。相對亮度9-04激发波长exexcitation wavelength激发荧光粉发光的光源的波长，单位为nm。激發波長9-05激发光谱excitation spectrum指荧光粉发出的光的某一谱线或谱带的强度或发光效率随激发波长（或频率）的变化。激發光譜9-06发射光谱emission spectrum荧光粉发光的强度按波长或频率的分布曲线，称为发射光谱。發射光譜9-07发射主峰emmain emission peak荧光粉发射光谱中强度最大的波长，单位为nm。主峰值波長9-08半宽度；FWHMFull Width at Half Maximum光谱曲线峰值的一半处的总宽度，单位为nm。光譜頻帶寬度9-09能量（功率）效率penergy efficiency荧光粉的发射荧光能量（功率）与所吸收的激发能量（功率）之比。能量(功率)效率9-10量子效率qquantum efficiency发射的荧光光子数与所吸收的激发光子数之比。量子效率9-11流明效率lluminous efficiency发光的流明数与激发能量之比，称为流明效率。它和能量效率的关系如下： 式中：常数683是光功率的最大流明当量。 光谱功率分布，lm/W； 光谱光视效率，见GB 3102.6-93中的6-37.2。 發光效率9-12劣化；退化deterioration 指荧光粉在半导体发光二极管中使用时发光强度随时间逐渐降低的现象。劣化9-13红色比Rred ratio红色比为光源所发射的光谱红色部分（600780nm）占可见光部分（380780nm）的百分比。紅色比9-14体色body color在自然光下，直接观察荧光粉时所看到的荧光粉的颜色。體色9-15机械杂质mechanical impurity在自然光下，直接观察荧光粉时所看到的不同于粉体的其它夹杂物。機械雜質9-16比表面积Specific surface area荧光粉颗粒的表面积与其质量（或体积）之比。单位为cm2/g（或cm-1）比表面積9-17密度；density单位体积荧光粉的质量，也称真密度。单位为g/cm3密度9-18松装密度；aapparent density在指定的条件下荧光粉自由降落至充满单位体积的质量，即单位体积松装荧光粉的质量。单位为g/cm3視密度9-19粒度分布particle size distribution荧光粉试样按粒度不同分为若干等级，每一级粉末（按质量、数量或体积）所占的百分率。粒徑分佈9-20中心粒径；d50medium particle diameter荧光粉试样粒径累积分布中对应于50%的颗粒数、体积或质量的粒径。单位为m。指对应于体积（与质量相关）的中心粒径。中心粒徑9-21平均粒径dmmean diameter粒径测量结果的算术平均值。单位为m。平均粒徑9-22热稳定性thermal stability热稳定性表示荧光粉在半导体发光二极管中工作时对热的稳定性，包括发光亮度、激发光谱、发射光谱及色品坐标等。熱穩定性9-23化学稳定性chemical stability在存放或使用过程中，荧光粉对空气等周围环境及树脂等封装材料的稳定性。化學穩定性9-24pH值 pH value荧光粉在一定体积去离子水中的酸碱度。pH值9-25电导率conductivity荧光粉在一定体积去离子水中可溶性杂质离子浓度高低的度量。单位为S/cm。電導率十、LED应用产品10-01LED交通信号灯LED traffic sign lamp以LED为光源、向往来车辆和行人传递禁止、限制、要求或警告等信息的灯具。LED交通號誌燈10-02LED信号灯LED signal light以LED为光源、用于发射光信号的装置。LED信號燈10-03LED标志灯LED marker light以LED为光源、安装于地面或固定物体上，用来显示位置、形状、符号等信息的可视装置。LED標誌燈10-04LED航标灯LED pharos light以LED为光源、安装在陆地或水上，用来协助飞机或船舶导航的信号灯。LED航標燈10-05LED汽车灯LED motorcar lamp以LED为光源、安装在汽车上的灯具。LED汽車燈10-06LED转向灯LED turning light安装在机动车上，用来显示车辆准备向左或向右移动的LED灯。LED方向燈10-07LED前照灯LED head light以LED为光源、安装在机动车上为其前方道路或现场提供照明的聚光灯。LED頭燈10-08LED刹车灯LED brake light以LED为光源、安装在机动车上，向后方显示该车正在减速刹车的信号灯。LED煞車燈10-09LED景观灯LED landscape light以LED为光源、用于景观装饰与照明的灯具。LED景觀燈10-10LED像素灯LED pixel lamp以LED为光源、用于舞台、建筑等场合，有绚丽多彩的视觉效果的灯具。LED顯示看板10-11LED护栏灯LED flexible lamp以LED为光源、用于桥梁、建筑物等轮廓勾勒及图案文字显示的灯具。LED可撓式照明燈10-12LED投光灯LED projector以LED为光源、借助反射或折射增加限定立体角内光强的灯具。LED投光燈10-13LED灯带LED lighting cincture串联或并联连接固定成组的LED灯。LED燈條10-14LED泛光灯LED flood light以LED为光源、用于较大面积泛光照明的灯具。LED泛光燈10-15LED壁灯LED wall light以LED为光源、安装在墙壁或固定在垂直面上的灯具。LED壁燈10-16LED异形灯LED strange lamp以LED为光源、形状各异、用于装饰、点缀多彩效果的灯具。LED異型燈10-17LED水底灯LED under-water lamp以LED为光源、密封良好、放入水底可正常点亮的灯具。LED水底燈10-18LED地埋灯LED buried lamp以LED为光源、嵌入地面可多彩显示的灯具。LED地底燈10-19LED路灯LED street lamp以LED为光源、用于街道、广场路面照明的灯具。LED路燈10-20LED台灯LED table lamp以LE